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最新专利技术
  • 一种叉指型红外探测器及其制备方法
    一种叉指型红外探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511876740.6
    本发明公开了一种叉指型红外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述叉指型红外探测器从下至上，包括：衬底、金属反射层、第一PVA层、叉指电极层、PbS量子点层、第二PVA层、SnO2层。本发明的探测器中设置金属反射层、两层PVA高透绝...
    2026-04-29
  • 一种低折射率透明导电氧化物层及其制备方法
    一种低折射率透明导电氧化物层及其制备方法_浙江水晶光电科技股份有限公司_202610133023.2
    一种低折射率透明导电氧化物层及其制备方法，涉及光电器件制造工艺技术领域。该制备方法包括：提供衬底；在衬底表面沉积透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层的表面沉积多个互相分离的岛状纳米金属结构以构成掩膜层；以掩膜层为保护，对透明导电氧化物层进行...
    2026-04-29
  • 高效的背接触电池结构及其制造方法
    高效的背接触电池结构及其制造方法_江苏凌众新能科技有限公司_202610072376.6
    本发明公开了一种高效的背接触电池结构及其制造方法，所述制造方法包含以下步骤：对硅片依次进行双面制绒、正面硼扩、激光打孔、第一次碱抛、背面去BSG及第二次碱抛、背面Poly沉积、磷扩或退火、激光图形化、去除PSG、RCA、沉积正背面钝化膜、印...
    2026-04-29
  • 一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池的方法
    一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池的方法_电子科技大学中山学院_202610068654.0
    本发明公开了一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池的方法，制备步骤如下：步骤1：制备阴离子源溶液；步骤2：配制阳离子源；步骤3：配制前驱体溶液；步骤4：化学浴沉积制备吸收层；步骤5：化学浴沉积制备缓冲层；步骤6：制备窗口层；步骤7：真空热蒸镀镍‑铝电...
    2026-04-29
  • α-Ga2O3/Li掺杂NiO垂直异质结探测器及其制备方法和应用
    α-Ga2O3/Li掺杂NiO垂直异质结探测器及其制备方法和应用_中南大学_202511921359.7
    本发明实施例提供了一种α‑Ga2O3/Li掺杂NiO垂直异质结探测器及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该探测器的制备方法包括以下步骤：S1：配置镓源前驱体水溶液，通过雾化化学气相沉积技术将镓源前驱体水溶液在衬底上外延生长α‑Ga2...
    2026-04-29
  • 电池串返修方法、电池串及光伏组件
    电池串返修方法、电池串及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511881989.6
    本申请提供了一种电池串返修方法、电池串及光伏组件，可广泛应用于光伏技术领域，该方法包括：切断不良电池片和与所述不良电池片相连的两个正常电池片之间的焊带；将所述不良电池片从电池串的第一位置移除，以及；将已焊接焊带的合格电池片放置于所述第一位置...
    2026-04-29
  • 一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化工艺
    一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化工艺_苏州晶拓半导体科技有限公司_202511812369.7
    本发明提出一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化工艺，其包括如下工艺步骤：S1、提供一钝化设备，其包括控制柜，其内设置有臭氧发生器，臭氧发生器的输出端通过第二管道与钝化槽连接，在第二管道上，钝化槽之前设置有臭氧浓度检测仪；第二管道与钝化槽内的环形匀流...
    2026-04-29
  • 太阳能电池串输送装置及其操作方法
    太阳能电池串输送装置及其操作方法_蒙德拉贡自动化西班牙集团_202511478468.6
    本发明涉及一种太阳能电池串输送装置及其操作方法。太阳能电池串输送装置(100)包括沿纵向方向(LD)分布并被配置成保持至少一个太阳能电池串(200)的多个保持构件(2)、以及与保持构件(2)相关联的框架(1)。保持构件(2)中的至少一个保持...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411515799.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层表面形成有介质层；外延沟槽，贯穿所述介质层并延伸至所述顶硅层中；侧墙，位于所述外延沟槽侧壁；外延层，填满所述外延沟槽。本申请提供一种半导体...
    2026-04-29
  • 感测器封装结构、及感测模块与其制造方法
    感测器封装结构、及感测模块与其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202411509034.3
    本发明公开一种感测器封装结构、及感测模块与其制造方法。所述感测模块包含一感测芯片及一盖体。所述感测芯片的顶面包含有一感测区域及位于所述感测区域外侧的一承载区域。所述盖体包含一透光片与一不透明粘着层。所述透光片的内表面包含一透光区域及围绕于所...
    2026-04-29
  • 图像传感器的制作方法、图像传感器及掩模版组件
    图像传感器的制作方法、图像传感器及掩模版组件_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202411504098.4
    一种图像传感器的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行离子注入形成多个感光像素单元；在所述半导体衬底上形成滤光层和格栅结构；所述滤光层位于所述感光像素单元的入光侧，所述格栅结构至少用于防止相邻所述感光像素单元之间的串...
    2026-04-29
  • 一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构
    一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构_福建福顺半导体制造有限公司_202511964284.0
    本发明提供一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构，包括：外壳、两个发射组件和两个接收组件，两个所述发射组件和两个所述接收组件分别对称设置于所述外壳的两侧；两个所述发射组件均包括发射端引脚和LED发光芯片。本发明提供的一种高绝缘型双通道光电耦...
    2026-04-29
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202511504118.2
    提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：基板，包括第一区域和靠近第一区域的第二区域，并且包括彼此相反的第一表面和第二表面；包括在基板内部的光电转换层的多个单位像素区；在第一区域中布置在基板的第一表面上的网格图案；在第一区域中在基板...
    2026-04-29
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511271675.4
    一种图像传感器包括：光电装置，被配置为生成光电电荷；第一节点，被配置为积累从光电装置生成的光电电荷；第一传输晶体管，连接在第一节点与光电装置之间；第一复位晶体管，连接在第一节点与电源电压之间；第一漏极晶体管，连接在光电装置与电源电压之间；以...
    2026-04-29
  • 具有共用电容器的图像传感器
    具有共用电容器的图像传感器_三星电子株式会社_202510860502.X
    一种图像传感器，包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一单元像素，设置在衬底中，并且包括第一光电二极管和第二光电二极管；第二单元像素，设置在衬底中，并且包括第三光电二极管和第四光电二极管；以及电容器，被配置为存储由第二光电二...
    2026-04-29
  • 一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法
    一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202512052130.0
    本发明属于半导体材料领域，具体公开了一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括IC基底、绝缘层、金属层、空穴传输层、量子点层、纳米晶保护层、电子传输层和第二电极层；绝缘层位于IC基底的上表面，光刻得到的孔洞从绝缘层延伸到IC...
    2026-04-29
  • 一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器
    一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器_武汉高芯科技有限公司_202511986294.4
    本发明涉及红外探测技术领域，具体涉及一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器，包括读出电路、红外敏感层、红外衬底以及超表面偏振阵列，所述红外敏感层设置于所述红外衬底的正面上，所述读出电路设置于所述红外敏感层的下方，且所述红外敏感层与所述...
    2026-04-29
  • 图像传感器和包括该图像传感器的电子设备
    图像传感器和包括该图像传感器的电子设备_三星电子株式会社_202511440888.5
    提供了一种图像传感器和包括该图像传感器的电子设备，图像传感器包括传感器基板和纳米光子透镜阵列，传感器基板包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，纳米光子透镜阵列包括第一超区域、第二超区域、第三超区域和第四超区域，第一至第四超区域中的每个...
    2026-04-29
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511342462.6
    示例图像传感器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板、在基板中的光电转换部分、与基板的第一表面相邻的像素电路、以及延伸穿过基板的至少一部分并包括隔离部分的隔离图案。隔离部分限定设置光电转换部分的区域。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包...
    2026-04-29
  • 一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法
    一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法_格科半导体(上海)有限公司_202411497110.3
    本发明公开了一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法，所述改善图像传感器工艺缺陷的方法至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，所述衬底上沉积有一多晶硅层，将所述衬底置于反应腔内；步骤S2，向所述反应腔内至少通入硅源前驱体和氧源前驱体，在所...
    2026-04-29
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