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最新专利技术
  • 成像设备
    成像设备_佳能株式会社_202511500187.6
    一种成像设备，配置为在记录材料上形成图像，成像设备包括：设备主体，至少包括沿竖直方向布置的第一框架主体和第二框架主体；第一电气构件，设置在第一框架主体中，并且配置为基于电控制而物理地操作；第二电气构件，设置在第二框架主体中，并且配置为基于电...
    2026-04-30
  • 三五族半导体化合物用光刻胶清洗剂、其制备方法及用途
    三五族半导体化合物用光刻胶清洗剂、其制备方法及用途_浙江奥首材料科技有限公司_202512056757.3
    本发明涉及三五族半导体化合物用光刻胶清洗剂、其制备方法及用途，其中三五族半导体化合物用光刻胶清洗剂，按照重量份计算包括如下组分：缓蚀剂0.5‑2份；有机碱1‑20份；润湿剂10‑20份；有机溶剂70‑90份；超纯水1‑5份。本发明采用的缓蚀...
    2026-04-30
  • 一种可变偏振、深宽比及像面旋转的高通量直写光刻方法
    一种可变偏振、深宽比及像面旋转的高通量直写光刻方法_杭州玉之泉精密仪器有限公司_202610375851.7
    本发明公开一种可变偏振、深宽比及像面旋转的高通量直写光刻方法，包括如下步骤：提供包括至少两种不同波长的光源，通过数字微镜阵列的开关状态切换光源，以选择性地使用不同波长的光源生成刻写光束；对数字微镜阵列反射的刻写光束进行偏振调制；通过光束调制...
    2026-04-30
  • 大口径衍射结构剂量-路径联合优化与拼接方法
    大口径衍射结构剂量-路径联合优化与拼接方法_南通诺瞳奕目医疗科技有限公司_202610317290.5
    本发明公开了大口径衍射结构剂量‑路径联合优化与拼接方法，涉及衍射结构制造技术领域，包括对大口径衍射结构的设计版图进行几何解析，得到分场与重叠区的空间布局数据并提取形貌控制相关关键特征点；以该空间布局数据和关键特征点为输入，训练以拼接区形貌平...
    2026-04-30
  • 一种阻焊卷对卷直接成像设备
    一种阻焊卷对卷直接成像设备_苏州天准科技股份有限公司_202610301456.4
    本发明提供了一种阻焊卷对卷直接成像设备，设备包括上卷站、曝光站和收卷站，上卷站和收卷站设有接料机构和恒张力送料机构，接料机构用于吸附定位辅助接料，恒张力送料机构通过纵向移动输送去护膜的物料；曝光站采用对位坐标系、曝光坐标系、标定坐标系、世界...
    2026-04-30
  • 一种折反射式光刻投影系统及曝光装置
    一种折反射式光刻投影系统及曝光装置_苏州全芯光科技有限公司_202610292512.2
    本申请提供了一种折反射式光刻投影系统及曝光装置，通过非同心反射镜组件与对称式透镜组的配合，本系统能够在大数值孔径条件下实现三阶像散、彗差、球差及色差的综合校正，使波像差保持在衍射极限以内，从而在实现大曝光视野的同时维持高分辨率成像能力。
    2026-04-30
  • 光刻像差补偿驱动参数扰动前兆预测方法及系统
    光刻像差补偿驱动参数扰动前兆预测方法及系统_南通诺瞳奕目医疗科技有限公司_202610190363.9
    本发明提供了一种光刻像差补偿驱动参数扰动前兆预测方法及系统，先同步捕获非球面镜片3×3网格测量点的频带补偿残差序列并截取30ms窗口数据，经汉明窗STFT生成时频谱矩阵后提取3项特征向量；将特征向量输入2层LSTM预测器输出扰动概率P和预判...
    2026-04-30
  • 偏转线圈的控制方法、电子束曝光机、介质及产品
    偏转线圈的控制方法、电子束曝光机、介质及产品_东莞泽攸科技有限公司_202610140718.3
    本申请公开了一种偏转线圈的控制方法、电子束曝光机、介质及产品，应用于电子束曝光技术领域。方法应用于包括第一数模转换器、第二数模转换器和偏转线圈的电子束曝光机，第一数模转换器的转换速率低于第二数模转换器，第一数模转换器的转换精度高于第二数模转...
    2026-04-30
  • 一种硅片双面超表面结构微纳加工方法
    一种硅片双面超表面结构微纳加工方法_浙江大学_202511782532.X
    本发明公开了一种硅片双面超表面结构微纳加工方法，其在对硅片进行双面加工过程中，利用匀厚保护胶、粘贴蓝膜等方式，保护微纳结构不被破坏以及表面的清洁度，利用边角边线和方向定位标记来实现双面结构的粗对准，利用按约3 : 1的比例混合的浓硫酸与双氧...
    2026-04-30
  • 衬底处理设备及衬底处理方法
    衬底处理设备及衬底处理方法_细美事有限公司_202511530382.3
    提供一种衬底处理设备，所述设备包括：液体处理腔室，其用于处理衬底；液体供应单元，其用于将液体供应至所述衬底。所述液体供应单元包括：储存组件，在所述储存组件中储存液体；液体供应管，其用于将所述储存组件中的所述液体供应至所述液体处理腔室中；以及...
    2026-04-30
  • 一种光刻胶、光刻胶涂布与图形化及系统
    一种光刻胶、光刻胶涂布与图形化及系统_博康(嘉兴)半导体科技有限公司_202610083744.7
    本申请提供了一种的光刻胶，属于光刻技术领域，开发了具有三层复合结构的新型光刻胶系统，通过底层流动层、中间调控层和顶层成像层的协同作用，实现真正的自适应平坦化。创新性地引入嵌段共聚物自组装材料，通过微观相分离形成50‑100nm的微区结构，主...
    2026-04-30
  • 树脂组合物、硬化层、硬化层的制造方法以及蚀刻方法
    树脂组合物、硬化层、硬化层的制造方法以及蚀刻方法_新应材股份有限公司_202511233938.2
    本发明提供一种树脂组合物、硬化层、硬化层的制造方法以及蚀刻方法。树脂组合物包括树脂(A)、交联剂(B)以及溶剂(C)。树脂(A)包括由下述式(A‑1)表示的结构。交联剂(B)包括包含由下述式(B‑1)表示的第一结构单元以及下述式(B‑2)表...
    2026-04-30
  • 一种感光干膜抗蚀剂及其制备方法和应用
    一种感光干膜抗蚀剂及其制备方法和应用_盛虹(上海)新材料科技有限公司_202610197048.9
    本发明提供一种感光干膜抗蚀剂及其制备方法和应用，所述感光干膜抗蚀剂按照重量百分比计，包括如下组分：碱溶性聚丙烯酸树脂40%~60%；光聚合单体30%~50%；光聚合引发剂1%~5%；添加剂5%~15%；所述碱溶性聚丙烯酸树脂通过第一单体、第...
    2026-04-30
  • 一种光敏性锡可控掺杂氧化铟纳米簇的制备及表界面处理方法
    一种光敏性锡可控掺杂氧化铟纳米簇的制备及表界面处理方法_南京大学_202610070350.8
    本发明属于纳米功能氧化物材料的制备与调控技术领域，特别涉及一种光敏性锡可控掺杂氧化铟纳米簇的制备及表界面处理方法，本发明的光敏性锡可控掺杂氧化铟纳米簇尺寸在4~10 nm之间，锡的掺杂比例为0~10%，表面包覆有功能性光敏配体；本发明利用铟...
    2026-04-30
  • 感放射线性组合物、硬化物、透镜、平坦化膜、硬化物的制造方法及化合物
    感放射线性组合物、硬化物、透镜、平坦化膜、硬化物的制造方法及化合物_JSR株式会社_202511517698.9
    本发明提供一种感放射线性组合物、硬化物、透镜、平坦化膜、硬化物的制造方法及化合物，感放射线性组合物可获得在能够进行图案化的同时，耐化学品性及耐高温高湿性优异、而且折射率高的硬化物。设为一种感放射线性组合物，含有：芴化合物(A)，具有作为选自...
    2026-04-30
  • 抗蚀剂组成物、层叠体、图案形成方法及抗蚀剂组成物的制造方法
    抗蚀剂组成物、层叠体、图案形成方法及抗蚀剂组成物的制造方法_信越化学工业株式会社_202511503251.6
    本发明涉及抗蚀剂组成物、层叠体、图案形成方法及抗蚀剂组成物的制造方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，感度及极限解析度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物、以及使用了该抗蚀剂组成物的层叠体、图案形成方法及前述抗蚀剂组成物的制造方法。该...
    2026-04-30
  • 生物芯片及其制备方法
    生物芯片及其制备方法_深圳华大智造科技股份有限公司_202411486876.1
    本申请提供一种生物芯片及其制备方法，该制备方法包括于基底的表面上形成衬底；于衬底的表面形成牺牲层；于牺牲层的表面上形成压印胶层；对压印胶层进行压印和固化以形成固化胶层，固化胶层具有多个间隔设置的孔结构；去除每个孔结构内的牺牲层，以露出衬底；...
    2026-04-30
  • 用于产生图案形成装置且因此产生图案的系统、产品和方法
    用于产生图案形成装置且因此产生图案的系统、产品和方法_ASML荷兰有限公司_202610033473.4
    具有指令的非暂时性计算机可读介质，指令在由计算机执行时使计算机执行用于改进图案形成装置的设计的方法。方法包括：获得掩模特征的设计的掩模点，其中，掩模特征与待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征相关联；以及调整掩模点的位置，以基于被调整的掩模点...
    2026-04-30
  • 一种改善金属层光罩缺陷的方法、OPC设备及存储介质
    一种改善金属层光罩缺陷的方法、OPC设备及存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511951870.1
    本发明公开了一种改善金属层光罩缺陷的方法、OPC设备及存储介质，所述方法包括，接收待处理版图，在所述待处理版图中确定待处理线端；根据所述待处理线端确定所述待处理线端上的临边OPC分段；在所述待处理线端中找到多个相互邻近的线端，每两个相互邻近...
    2026-04-30
  • 一种相移掩模薄膜和相移掩模基板
    一种相移掩模薄膜和相移掩模基板_绍兴芯链半导体科技有限公司_202610236846.8
    本发明涉及一种相移掩模薄膜和相移掩模基板，相移掩模薄膜从下至上依次包括 : 过渡层，其被配置为提升所述基板与该过渡层的结合力，并实现初始应力缓冲；主体功能层，其被配置为提供相移和光学衰减；以及表面修饰层，其被配置为抵消所述主体功能层残留的应...
    2026-04-30
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