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最新专利技术
  • 一种显示装置
    一种显示装置_海信视像科技股份有限公司_202610406929.7
    本发明涉及显示技术领域，本发明公开了一种显示装置，包括显示面板、背光模组。背光模组包括多个发光单元和基板，发光单元的多个芯片采用封装装置封在基板上，封装装置采用两次点胶组成，第一次点胶形成的第一胶层掺杂有光扩散粒子，多个芯片发射的光在第一胶...
    2026-05-10
  • 发光基板及显示装置
    发光基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411508997.1
    本公开的实施例提供了一种发光基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于降低制备成本。发光基板包括驱动背板、发光器件、第一封装层和第二电极层。驱动背板包括第一焊盘和第二焊盘，发光器件包括发光堆叠层和第一电极，第一电极与第一焊盘连接，且相较于发光堆...
    2026-05-10
  • 一种显示面板及其制作方法、显示装置
    一种显示面板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411534986.0
    本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括：多个发光器件，所述发光器件的出光面具有多个凹槽，所述多个凹槽包括多个第一凹槽，所述多个凹槽还包括至少一个第二凹槽和/或至少一个第三凹槽；所述第一凹槽位于所述发光器件的发光区，所...
    2026-05-10
  • 显示模组及显示装置
    显示模组及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411547097.8
    本申请公开了一种显示模组及显示装置，涉及显示技术领域。显示模组包括衬底基板，位于衬底基板上的驱动电路层，多个发光组件以及指纹识别获取组件。由于指纹识别获取组件位于驱动电路层远离衬底基板的一侧，因此指纹信号获取组件在发射检测信号或接收指纹信号...
    2026-05-10
  • 垂直堆叠式微型显示面板
    垂直堆叠式微型显示面板_威弗洛得有限公司_202510392118.1
    本发明涉及垂直堆叠式微型显示面板，其特征在于，包括：背面晶圆，在所述背面晶圆的上部面排列有多个CMOS电极焊盘；多个LED堆叠体，分别包括朝向垂直方向堆叠的多个发光部和多个接合层，且分别排列于多个所述CMOS电极焊盘；以及公共电极，形成于多...
    2026-05-10
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202511190488.3
    根据本发明的实施方式的显示装置可包括：基板；多个发光器件，所述多个发光器件设置在所述基板上并且位于显示区中；多条列线，所述多条列线电连接到所述多个发光器件中的每一个的第一电极；多条行线，所述多条行线电连接到所述多个发光器件中的每一个的第二电...
    2026-05-10
  • 无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板及其制作方法
    无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板及其制作方法_威弗洛得有限公司_202511522275.6
    本发明涉及无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板，其特征在于，包括：背面晶圆，在上部面排列有多个CMOS电极焊盘；多个LED堆叠体，分别包括朝向垂直方向堆叠的多个发光部和多个接合层，且分别排列于多个所述CMOS电极焊盘；以及公共电极，形成于多个所...
    2026-05-10
  • 无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板
    无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板_威弗洛得有限公司_202511522282.6
    本发明涉及无滤色器的垂直堆叠式微型显示面板，其特征在于，包括：背面晶圆，在上部面排列有多个CMOS电极焊盘；以及多个LED堆叠体，分别包括朝向垂直方向堆叠的多个发光部和多个接合层，且分别排列于多个所述CMOS电极焊盘，多个所述LED堆叠体分...
    2026-05-10
  • 改善键合错位的显示面板及其制备方法
    改善键合错位的显示面板及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511817985.1
    本公开提供了一种改善键合错位的显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示面板包括：发光功能层、驱动基板和键合金属块，发光功能层包括多个间隔排布的发光单元，发光单元具有相反的出光面和背光面，发光功能层位于驱动基板的一侧，且出光面远离...
    2026-05-10
  • 改善静电释放的显示面板、面板制品及其制备方法
    改善静电释放的显示面板、面板制品及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511818029.5
    本公开提供了一种改善静电释放的显示面板、面板制品及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示面板包括：驱动基板、发光功能层、键合金属层和导电层；所述驱动基板的板面具有第一区域和第二区域，所述键合金属层位于所述第一区域和所述第二区域，所述发光...
    2026-05-10
  • 一种基于复合透明电极的晶膜屏及其制备方法
    一种基于复合透明电极的晶膜屏及其制备方法_山东浪潮超高清智能科技有限公司_202610136220.X
    本申请涉及显示领域，公开一种基于复合透明电极的晶膜屏及其制备方法，包括：透明基底、复合透明电极层和灯珠阵列；所述复合透明电极层附着于所述透明基底的表面，所述灯珠阵列键合于所述复合透明电极层远离所述透明基底的一侧。本发明的透明导电氧化物层通过...
    2026-05-10
  • 增强型Micro LED显示芯片及其制备方法
    增强型Micro LED显示芯片及其制备方法_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202610139918.7
    本发明公开了一种增强型Micro LED显示芯片及其制备方法。该增强型Micro LED显示芯片包括在厚度方向上层叠设置的第一基板、LED外延层和至少一光子晶体微结构层，该光子晶体微结构层包括多个光子晶体微结构单元，光子晶体微结构单元包含周...
    2026-05-10
  • 微型发光结构、微型发光器件及微型发光结构的制备方法
    微型发光结构、微型发光器件及微型发光结构的制备方法_厦门思坦集成科技有限公司_202610151611.9
    本申请提供一种微型发光结构、微型发光器件及微型发光结构的制备方法。微型发光结构包括：发光阵列，发光阵列包括并排的多个发光单元，每个发光单元为台面结构，台面结构包括第一台面、与第一台面相对的第二台面，第一台面的面积大于第二台面的面积，每个发光...
    2026-05-10
  • 垂直堆叠式微型显示面板及其制作方法
    垂直堆叠式微型显示面板及其制作方法_威弗洛得有限公司_202511531918.3
    本发明涉及垂直堆叠式微型显示面板，包括：背面晶圆，在上部面排列有多个CMOS电极焊盘；多个LED堆叠体，分别包括通过接合层来向垂直方向堆叠的发光部，并分别排列于多个所述CMOS电极焊盘；以及公共电极，形成于多个所述LED堆叠体，多个所述LE...
    2026-05-10
  • 像素结构、显示芯片、显示器件以及显示芯片的制备方法
    像素结构、显示芯片、显示器件以及显示芯片的制备方法_立芯精密智造(昆山)有限公司_202610079738.4
    本申请涉及一种像素结构、显示芯片、显示器件以及显示芯片的制备方法，像素结构包括第一衬底、像素单元、第一导电结构以及多个第二导电结构。像素单元包括于第一衬底上依次堆叠设置的多个发光单元，各发光单元均包括第一半导体层与第二半导体层。第一导电结构...
    2026-05-10
  • 一种兼具光束整形和光提取增强功能的超表面集成Micro-LED结构
    一种兼具光束整形和光提取增强功能的超表面集成Micro-LED结构_福州大学_202610005976.0
    本发明公开了一种兼具光束整形和光提取增强功能的超表面集成Micro‑LED结构，该结构包括Micro‑LED芯片和直接集成于其出光面上的单层超表面结构，该超表面由按二维阵列排布的多个亚波长纳米单元构成。其中，纳米单元的自身尺寸及其空间周期根...
    2026-05-10
  • 一种远紫外micro-LED光触媒单片集成芯片及其制备方法
    一种远紫外micro-LED光触媒单片集成芯片及其制备方法_武汉纺织大学_202610432707.2
    本发明公开了一种远紫外micro‑LED光触媒单片集成芯片及其制备方法。该芯片采用发射峰位220–230 nm的AlGaN基micro‑LED阵列作为远紫外光源，并在其出光面上单片集成具备光学整形与光催化双重功能的共形复合层结构，所述复合层...
    2026-05-10
  • 一种多芯片LED封装结构及方法
    一种多芯片LED封装结构及方法_湘能华磊光电股份有限公司_202610130498.6
    本发明属于LED芯片封装技术领域，尤其是一种多芯片LED封装结构及方法，针对现有的多芯片LED芯片封装结构散热性较差的问题，现提出以下方案，包括电路板，所述电路板的上侧设置有封装基板, 封装基板内设置有陶瓷热沉, 陶瓷热沉的上侧设置有绝缘板...
    2026-05-10
  • 封装结构及封装结构的形成方法、光机
    封装结构及封装结构的形成方法、光机_上海显耀显示科技股份有限公司_202411475465.2
    一种封装结构及封装结构的形成方法、光机，封装结构包括：微显示芯片，所述微显示芯片包括发光面，所述微显示芯片包括显示区和环绕所述显示区的非显示区位于所述发光面上的支撑结构，所述支撑结构位于所述非显示区。所述封装结构的体积减小。
    2026-05-10
  • 一种大面积有机单晶晶体管及其制备方法和应用
    一种大面积有机单晶晶体管及其制备方法和应用_中国科学院化学研究所_202411539335.0
    本发明公开了一种大面积有机单晶晶体管及其制备方法和应用，属于有机半导体领域。本发明的有机单晶晶体管从下到上依次包括柔性无缝包埋金属电极、金属氧化物层、有机半导体层、聚合物绝缘层和图案化的栅极层。本发明的有机单晶晶体管具有高器件性能并且没有回...
    2026-05-10
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