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最新专利技术
  • 具有静电放电保护功能的芯片
    具有静电放电保护功能的芯片_联发科技股份有限公司_202511532562.5
    本发明公开一种具有静电放电保护功能的芯片，包括：输出驱动器，具有耦合于该芯片的输入/输出焊盘和地之间的第一输出驱动晶体管，以及耦合于电源和该输入/输出焊盘之间的第二输出驱动晶体管；以及静电放电保护控制电路，具有耦合于该第一输出驱动晶体管的控...
    2026-05-10
  • 静电放电保护器件及其制作方法
    静电放电保护器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610409574.7
    本申请涉及一种静电放电保护器件及其制作方法。静电放电保护器件的制作方法包括以下步骤：提供衬底；对衬底进行离子注入，形成彼此分离的多个第一掺杂区，多个第一掺杂区共同构成静电放电保护器件的第一极；在衬底上形成阻挡层，阻挡层至少覆盖多个第一掺杂区...
    2026-05-10
  • 一种玻璃增透膜及其制备方法
    一种玻璃增透膜及其制备方法_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511730403.6
    本发明公开了一种玻璃增透膜及其制备方法，属于玻璃增透膜领域。包括高透超白玻璃基底以及设置于所述基底表面的增透膜层；所述增透膜层分为两种结构：单膜层结构：仅包含多孔AlPO4薄膜，该薄膜折射率为1.36‑1.39，孔隙率为20%‑35%，厚度...
    2026-05-10
  • 一种负间距光伏组件
    一种负间距光伏组件_中建材浚鑫科技有限公司_202511887682.7
    本发明公开了一种负间距光伏组件，包括：电池层，包括依次串联的电池串，电池串包括依次串联的电池片，电池片依次搭接；胶膜层，设置有两个，分别层叠于电池层的两面，包括胶膜本体，胶膜本体一体连接有凸条，凸条沿胶膜层的长度方向紧邻分布且沿胶膜层的长宽...
    2026-05-10
  • 光伏组件和光伏组件的制备方法
    光伏组件和光伏组件的制备方法_通威太阳能(盐城)有限公司_202512015959.3
    本申请提供了一种光伏组件和光伏组件的制备方法，包括电池串、反射层、阻挡层、第一封装层以及第一盖板，电池串由多个太阳能电池连接而成；反射层位于电池串的一侧，反射层的材料至少包括POE；阻挡层位于反射层远离电池串的一侧，阻挡层的材料包括EVA；...
    2026-05-10
  • 一种光伏背板玻璃及其制备方法和光伏组件
    一种光伏背板玻璃及其制备方法和光伏组件_宁波旗滨光伏科技有限公司_202512053223.5
    本发明公开了一种光伏背板玻璃及其制备方法和光伏组件，属于光伏玻璃技术领域。本发明对光伏背板玻璃进行设计，使背板玻璃包括玻璃基板和功能层，功能层为网格结构，网格结构包括网格线和网格线之间形成的网格单元，网格单元的设置可与光伏组件中设置的电池相...
    2026-05-10
  • 热压设备和光伏组件封装生产线
    热压设备和光伏组件封装生产线_东方日升新能源股份有限公司_202610153424.4
    本发明属于光伏组件生产技术领域，公开了一种热压设备和光伏组件封装生产线。热压设备包括支撑架体以及设置于所述支撑架体上的组件传输机构，所述组件传输机构用于沿输送方向传输光伏组件、至少四个归正机构、组件吸附支撑机构和至少四个热压机构，至少四个所...
    2026-05-10
  • 曲面光伏瓦及其制造方法
    曲面光伏瓦及其制造方法_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411535912.9
    本发明公开了一种曲面光伏瓦及其制造方法。方法包括：提供一曲面组件，曲面组件包括曲面背板、第一粘胶和曲面电池片，第一粘胶连接曲面背板和曲面电池片；将曲面组件与曲面面板层叠固定，曲面组件的形状与曲面面板的形状相同。如此，通过得到与曲面面板形状相...
    2026-05-10
  • 背接触太阳能电池模块
    背接触太阳能电池模块_协鑫集成科技股份有限公司_202511861331.9
    本申请公开了背接触太阳能电池模块。一种背接触太阳能电池模块，包括电池串，所述电池串包括：n+1个电池片；互联导线，所述互联导线位于所述电池片的一侧，且将n+1个所述电池片电互联；n个第一覆膜；所述第一覆膜位于所述互联导线远离所述电池片的一侧...
    2026-05-10
  • 基于透明柔性衬底材料小尺寸光伏电池片特异性布置方案
    基于透明柔性衬底材料小尺寸光伏电池片特异性布置方案_中国科学技术大学_202511949226.0
    本发明公开了基于透明柔性衬底材料小尺寸光伏电池片特异性布置方案，涉及光伏应用技术领域。本发明包括透明柔性衬底本体、若干小尺寸光伏电池片，所有光伏电池片间隔设置于所述透明柔性衬底本体的一侧表面；连接组件，包括带绝缘层的铜芯导线及焊点。本发明透...
    2026-05-10
  • 一种汇流条、光伏组件及光伏系统
    一种汇流条、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610433629.8
    本发明公开一种汇流条、光伏组件及光伏系统，汇流条包括主体段和引出段，引出段包括第一折弯段和第二折弯段，第一折弯段与主体段连接并位于主体段背向电池片的一侧，第二折弯段相对第一折弯段朝背向主体段的方向延伸。第一折弯段与主体段之间存在预设间隙，预...
    2026-05-10
  • 一种超表面集成的半导体等离激元毫米波探测器件及方法
    一种超表面集成的半导体等离激元毫米波探测器件及方法_复旦大学_202511991674.7
    本发明属于光电探测技术领域，具体为一种超表面集成的半导体等离激元毫米波探测器件及方法。本发明探测器件采用分层堆叠架构，包括衬底层、半导体等离激元层、超表面层和欧姆接触金属‑半导体‑金属(OMSM)结构，优化于毫米波频段。本发明通过在半导体制...
    2026-05-10
  • 一种双顶极4H-SiC位置探测器及其制备方法和应用
    一种双顶极4H-SiC位置探测器及其制备方法和应用_松山湖材料实验室_202610053793.6
    本发明公开了一种双顶极4H‑SiC位置探测器及其制备方法和应用。所述双顶极4H‑SiC位置探测器包括：4H‑SiC基底；设置在基底硅面彼此分立的第一、第二顶电极；设置在基底碳面的底电极。该探测器利用分立双顶极结构在单一4H‑SiC材料体系中...
    2026-05-10
  • 基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法
    基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法_西安电子科技大学_202610075270.1
    本发明公开了基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法，该探测器包括基底，基底自下而上包含N+型SiC衬底和N‑型SiC外延层；N‑型SiC外延层表面的部分区域层叠设置有绝缘隔离层，剩余部分区域定义为异质结接触区，异质结接触...
    2026-05-10
  • 一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用
    一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用_西湖大学光电研究院_202610138316.X
    本发明公开了一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用，涉及光电探测技术领域。所述量子点偏振光电探测器包括自下而上依次设置的衬底、金层、三氧化二铝层、图案化金层1、ZnO量子点层和图案化金层2。本发明的量子点偏振光电探测器能实现紫外光的偏振...
    2026-05-10
  • 一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法
    一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法_甘肃省科学院传感技术研究所_202610180829.7
    本发明公开了一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明通过先构筑具有空间有序三维锥状结构的阵列衬底，该结构利用三维界面特有的几何与物理优势，在显著提升光吸收与光捕获能力的同时，优化了载流子传...
    2026-05-10
  • 一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法
    一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202610418736.3
    本发明公开了一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法，垂直光入射型的锗硅光电探测器，包括衬底和探测区，探测区置于衬底上方；在衬底的底层上刻蚀出背孔，在背孔的孔底制备金属反射层；探测区自该区域中心向外侧依次为硅Si光栅结构、N型掺杂区、锗...
    2026-05-10
  • 一种具有U型电势的光电探测器
    一种具有U型电势的光电探测器_苏州大学_202610426251.9
    本申请提供一种具有U型电势的光电探测器，涉及光电探测技术领域。光电探测器包括由下至上依次层叠布置的衬底层、N型沟道层和P型光敏结构层，N型沟道层两侧设有施加偏压的第一电极层和第二电极层，对第一电极层施加的电压大于第二电极层，以在N型沟道层内...
    2026-05-10
  • 一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法
    一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202610171573.3
    本发明提供一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法。该探测器包括第一电极、N型InP层和本征InGaAs层；在本征InGaAs层的侧壁外侧设有环状的P型InP区，氧化层设于本征InGaAs层的另一侧表面，氧化层上设有透明电极；P型...
    2026-05-10
  • 基于硫卤族半导体Cu2Br2-nInSe6的X射线探测器及其制备方法
    基于硫卤族半导体Cu2Br2-nInSe6的X射线探测器及其制备方法_山东大学_202610162744.6
    本发明公开一种基于硫卤族半导体Cu2Br2‑nInSe6的X射线探测器及其制备方法，该探测器是以Cu2Br2‑nInSe6晶体作为探测半导体，其中0≤n≤2；在晶体的上下两侧设置金属电极；其制备方法包括以下步骤：(1)制备Cu2Br2‑nI...
    2026-05-10
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