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最新专利技术
  • 一种高密度功率器件双排引线框架
    一种高密度功率器件双排引线框架_斯达半导体股份有限公司_202512054194.4
    本发明涉及集成电路引线及引线框架技术领域，具体涉及一种高密度功率器件双排引线框架，包括：两条相互平行且相对设置的边框；多个框架单元，多个框架单元在两条所述边框之间排列成两排，且每排中的框架单元沿所述边框的长度方向依次设置；多个基岛，每个所述...
    2026-05-01
  • 一种引线框架及芯片封装结构
    一种引线框架及芯片封装结构_长电科技(江阴)有限公司_202610022711.1
    本申请提供一种引线框架及芯片封装结构，引线框架包括：具有引脚阵列对的框架单元；设置在相邻框架单元之间的中筋，中筋包括至少一个中筋实体，中筋实体用于连接相邻两个框架单元的引脚阵列，中筋实体在中筋宽度方向的实体切割宽度或者实体切割宽度之和小于等...
    2026-05-01
  • QFN封装结构及其制作方法
    QFN封装结构及其制作方法_长电科技(江阴)有限公司_202610028231.6
    本申请公开了一种QFN封装结构及其制作方法，所述QFN封装结构，包括：若干分立的管脚，每一个所述管脚包括相对的正面和背面；包覆所述管脚的塑封层，所述塑封层的背面露出所述管脚的背面；位于所述塑封层中至少与部分所述管脚电连接的管脚延伸部；贯穿所...
    2026-05-01
  • 一种SOP塑封封装结构以及封装方法
    一种SOP塑封封装结构以及封装方法_南京睿芯峰电子科技有限公司_202610046444.1
    本发明公开了一种SOP塑封封装结构以及封装方法，该封装结构包括引线框架，通过塑封料包覆引线框架的上下两面并填充基岛与引脚之间的间隙形成塑封层，引脚的引出端暴露于塑封层外，引线框架的上表面的塑封层通过开盖至少暴露出基岛的装片区和引脚的键合区，...
    2026-05-01
  • 上下两侧分布上桥和下桥且均含有单管的功率模块及制备工艺
    上下两侧分布上桥和下桥且均含有单管的功率模块及制备工艺_江苏尊阳电子科技有限公司_202610240319.4
    本发明涉及一种上下两侧分布上桥和下桥且均含有单管的功率模块，包括下桥、上桥、塑封体和若干端子；下桥包括下基板和若干下单管；若干下单管贴装在下基板的上表面；上桥包括上基板和若干上单管；若干上单管贴装在上基板的下表面；若干下单管的底部引脚与下基...
    2026-05-01
  • 重新布线层基板及其制造方法
    重新布线层基板及其制造方法_瑞昱半导体股份有限公司_202511388187.1
    本申请涉及重新布线层基板及其制造方法。一种重新布线层基板包含顶层、底层、多个中间层以及保护层。顶层包含多个第一导电垫。底层包含多个第二导电垫。多个中间层设置于顶层及底层之间，多个中间层包含多个层间走线，分别连接各第一导电垫及各第二导电垫。保...
    2026-05-01
  • 一种功率模块和功率模块组件
    一种功率模块和功率模块组件_上汽通用五菱汽车股份有限公司_202511881512.8
    本申请涉及汽车功率模块领域，尤其涉及一种功率模块和功率模块组件。功率模块包括第一衬底和第二衬底，第一衬底上的第一金属层设置有第一金属区域、第二金属区域和第三金属区域。第二衬底上的第二金属层设置有第四金属区域和第五金属区域。第四金属区域上有第...
    2026-05-01
  • 芯片封装器件和电子设备
    芯片封装器件和电子设备_维沃移动通信有限公司_202610137507.4
    本申请公开一种芯片封装器件和电子设备，属于电子设备技术领域，芯片封装器件中，所述第二芯片、所述转接件和所述第一芯片依次层叠设置，所述转接件包括转接本体和连接线，所述第一芯片通过所述连接线与所述第二芯片电性连接；在垂直于层叠方向的方向上，所述...
    2026-05-01
  • 衬底接合系统及相关方法
    衬底接合系统及相关方法_半导体元件工业有限责任公司_202411896920.6
    本公开涉及衬底接合系统及相关方法。半导体封装件的实施方式可包括包含金属的衬底和层压衬底，该包含金属的衬底包括耦接到其的焊料预成型件，该层压衬底包括开口。该层压衬底可通过焊料预成型件固定耦接到该包含金属的衬底。
    2026-05-01
  • 具有连接件的IC封装结构及其制造方法
    具有连接件的IC封装结构及其制造方法_乾坤科技股份有限公司_202510311580.4
    本公开提出一种具有连接件的IC封装结构，包括一晶粒接合至一导线架、多个连接件接合至该导线架、一模封件形成在该导线架上、一金属层形成在该模封件上且电性连接至多个连接件以及一电子元件安装在该金属层上。
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_联华电子股份有限公司_202411565072.0
    一种半导体装置，包括介电层、金属导线以及多个插塞结构。介电层设置在基底上，金属导线则设置在介电层内。插塞结构相互分隔地设置在介电层内，位在金属导线上并直接接触金属导线。插塞结构沿着相互垂直的第一方向和第二方向排列成至少2×2的阵列，其中，插...
    2026-05-01
  • 基板构造及其电子装置
    基板构造及其电子装置_方略电子股份有限公司_202511537438.8
    本申请的题目为“基板构造及其电子装置”。本发明公开一种基板构造，包括基板、膜层结构以及多个导电构件。基板具有多个通孔；各个通孔具有容置空间以及界定该容置空间的内表面。膜层结构至少部分封闭所对应的这些通孔位于该基板的表面的开口；该膜层结构朝所...
    2026-05-01
  • 半导体装置及半导体结构
    半导体装置及半导体结构_瑞昱半导体股份有限公司_202510877395.1
    本公开提供了半导体装置及半导体结构。一种半导体装置包含基板、电路层、介电层、走线层、金属缓冲层及金属打线垫。电路层设置于基板的上表面。介电层设置于电路层的上表面。走线层设置于电路层的上表面且位于介电层中。金属缓冲层设置于走线层的上表面且位于...
    2026-05-01
  • 芯片接合设备以及芯片接合方法
    芯片接合设备以及芯片接合方法_聚嵘科技股份有限公司_202411473175.4
    本申请提供一种芯片接合设备以及芯片接合方法。芯片接合设备包括承载模块、转移模块、限位模块、接合模块、控制模块以及监控模块。承载模块被配置以用于承载基板。转移模块被配置以用于运送多个芯片组件。当转移模块位于承载模块与限位模块之间时，控制模块驱...
    2026-05-01
  • 一种提高CBGA焊点可靠性的加胶工艺方法
    一种提高CBGA焊点可靠性的加胶工艺方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511965532.3
    本发明属于电子装配工艺技术领域，具体涉及一种提高CBGA焊点可靠性的加胶工艺方法。包括：步骤1：CBGA器件完成电子装联后，在器件周边建立围坝限制胶水移动；步骤2：选择低CTE、高模量、高Tg值的胶水，在坝体与CBGA器件本体之间的缝隙之间...
    2026-05-01
  • 一种功率芯片的烧结方法
    一种功率芯片的烧结方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511969174.3
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开一种功率芯片的烧结方法，旨在解决现有单层厚PTFE膜烧结时残留氧气导致DBC/AMB基板铜层氧化的问题。该方法包括：热压单层PTFE膜边缘形成含上凸状结构、下凸状结构及对应凹槽的咬合结构，制得单层凹凸PTF...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅功率器件模组及其封装方法
    一种碳化硅功率器件模组及其封装方法_上海得倍电子技术有限公司_202610123344.4
    本发明公开了一种碳化硅功率器件模组及其封装方法，包含晶圆预处理与芯片封装：预处理通过电镀/溅射生长铜钛镍钼金属层，刻蚀成焊柱并预留气道，晶圆减薄后底部金属层刻蚀分区，划片得单芯片；进行封装，本发明通过铜钛镍钼缓冲层缓解热应力，利用焊柱与底部...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅功率器件及其封装方法
    一种碳化硅功率器件及其封装方法_上海得倍电子技术有限公司_202610123346.3
    本发明公开了一种碳化硅功率器件及其封装方法，包含晶圆预处理与芯片封装：预处理通过电镀/溅射生长铜钛镍钼金属层，刻蚀成焊柱并预留气道，晶圆减薄后底部金属层刻蚀分区，划片得单芯片；进行封装，本发明通过铜钛镍钼缓冲层缓解热应力，利用焊柱与底部分区...
    2026-05-01
  • 一种系统级封装结构及其引出端结构与制造方法
    一种系统级封装结构及其引出端结构与制造方法_北京新雷能科技股份有限公司_202411474725.4
    本发明涉及一种系统级封装结构及其引出端结构与制造方法，系统级封装结构包括封装基板及塑封层，封装基板包括第一面及相背的第二面，塑封层位于第一面及第二面，封装基板内部沿第一面至第二面方向设置多层金属线路层，至少一层金属线路层电性连接有引出端走线...
    2026-05-01
  • 带有引线绝缘的电子装置
    带有引线绝缘的电子装置_德州仪器公司_202511446576.5
    本公开涉及一种带有引线绝缘的电子装置。电子装置(100)包含引线(109)，所述引线带有从封装结构(108)向外延伸且经涂布有延伸到所述封装结构(108)的侧(103、104)的介电薄膜(114)的第一部分(115)，及从所述第一部分(11...
    2026-05-01
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