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最新专利技术
  • 用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构
    用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构_联华电子股份有限公司_202411628291.9
    本发明公开一种用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构，其中用于三维芯片的保护二极管电路包含一覆硅绝缘体基板、一后段金属互连结构位于该覆硅绝缘体基板上、一底接触件连接该覆硅绝缘体基板的硅基底与该后段金属互连结构的第一部分、一第一保护二极管，...
    2026-04-29
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202610052992.5
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳能电池单晶硅衬底、第一钝化接触结构和第二钝化接触结构，单晶硅衬底的第一侧包括第一区域和第二区域；第一钝化接触结构设置在第一区域上，第一钝化接触结构包括依次层叠的本征非晶硅层、掺杂硅材料...
    2026-04-29
  • 一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法
    一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法_中环(桐城)新能源科技有限公司_202610112103.X
    本发明公开了一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该电池板包括基板，基板的正面依次设有P+发射极层、氧化铝钝化层以及氮化硅减反层，反面依次设有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、氧化铝钝化层以及氮化硅减反层；其中，在...
    2026-04-29
  • 太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备
    太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610411995.3
    本申请公开了一种太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备，属于太阳能电池技术领域。所述太阳能电池片包括：基底和多晶硅层，所述多晶硅层位于所述基底的一面；所述太阳能电池片的所述多晶硅层的薄层电阻与所述基底的电阻率的比值处于预设比值范围，...
    2026-04-29
  • 一种彩色光伏组件
    一种彩色光伏组件_上饶海优威应用薄膜有限公司_202511283002.0
    本申请涉及一种彩色光伏组件，包括前板玻璃，与前板玻璃牢固粘合的彩色层，与彩色层一自由面牢固熔合的第一封装层，与第一封装层一自由面牢固粘合的电池阵列，与电池阵列一自由面牢固粘合的第二封装层，以及与第二封装层一自由面牢固粘合的背板；彩色层的厚度...
    2026-04-29
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_丰田自动车株式会社_202511502307.6
    提供一种能够确保来自模块端部的水蒸气透过率性能的太阳能电池模块。太阳能电池模块(1)具备：以包围被密封材料(6)密封的太阳能电池单元的方式配置于表面板(2)的端部和背面板(3)的端部之间，确保在太阳能电池单元的厚度方向上配置太阳能电池单元的...
    2026-04-29
  • 审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法
    审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法_马卡罗有限公司_202511530589.0
    本发明涉及一种审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法，本发明一实施例所述的透光型太阳能电池模组的制造方法包括：第一步骤，形成薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包括在玻璃基板上经过图案化而成的薄膜太阳能电池层；以及第二步骤，在所述薄膜太阳...
    2026-04-29
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610141673.1
    本申请涉及一种光伏组件，包括多个电池串，电池串包括多个串联的电池片，电池片的尺寸较小，减小了电池串内的电流，进而降低了光伏组件中的功率损失。多个电池串的两端均设置有汇流条，以连接多个电池串。汇流条包括间隔设置的第二汇流条和第三汇流条，第二汇...
    2026-04-29
  • 一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法
    一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法_深圳技术大学_202610262111.2
    本发明公开了一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法，属于钙钛矿技术领域。本发明通过在钙钛矿异质结的电极与卤化钙钛矿层之间引入稀土氧化物缓冲层，形成金属电极层/稀土氧化物缓冲层/卤化钙钛矿活性层/稀土氧化物缓冲层/金属电极层的对称...
    2026-04-29
  • 一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法
    一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法_浙江大学嘉兴研究院_202610021201.2
    本发明公开了一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法。包括金属电极及等离子波导结构、绝缘隧穿层、二维材料导电沟道、吸收层、输入光波导和输出光波导；金属电极及等离子波导结构采用类工字形结构，类工字形结构中部的条形中部设置有狭缝，狭缝与条...
    2026-04-29
  • 一种量子点光电探测器及其制备方法
    一种量子点光电探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511874265.9
    本发明公开了一种量子点光电探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。所述量子点光电探测器包括：衬底，所述衬底表面开设有盲孔；量子点层，设于所述盲孔内的中部区域；空穴传输层与电子传输层，彼此相对地覆盖设于所述量子点层的两侧侧壁上；第一电极层，覆...
    2026-04-29
  • 具有超高响应度的高速锗硅光电探测器
    具有超高响应度的高速锗硅光电探测器_希烽光电科技(南京)有限公司_202610411012.6
    本发明公开了一种具有超高响应度的高速锗硅光电探测器，包括面入射光电探测器，所述面入射光电探测器包括衬底、吸收区、多晶硅层、顶部接触区、顶部电极区、掩膜层、底部接触区、底部电极区和金属电极层，面入射光电探测器上增加光反射结构，光反射结构位于面...
    2026-04-29
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411977883.1
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层、一第二导电型半导体层及一金属硅化物层(Silicide)。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，用于接收一特定波长的一光线后对应地产生一光电流。第二导...
    2026-04-29
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985551.8
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层、一第二导电型半导体层及一上缘角。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，第二导电型半导体层设置于本征层的一中央区域上并裸露出环绕中央区域外的本征层的一外...
    2026-04-29
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985844.6
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层及一第二导电型半导体层。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，用于接收一特定波长的一光线后对应地产生一光电流。第二导电型半导体层设置于本征层的一中央区域...
    2026-04-29
  • 一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法
    一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法_闽南师范大学_202610137191.9
    本发明提供了一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法：包括衬底，所述衬底上设置有垂直PIN结，所述垂直PIN结包括由下至上依次设置的InP层、InGaAs层、PdSe2层，所述InP层设置于衬底上，所述InGaAs层位于InP层上表...
    2026-04-29
  • 一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源
    一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源_广东工业大学_202311633144.6
    本发明公开了一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源，涉及噪声源技术领域。本发明将非相干光源模块产生的非相干光，经由光波导芯片模块传输并衍射至MSM光电探测器模块，然后将非相干光进行光学下变频，产生并输出毫米波噪声。另外，本发明...
    2026-04-29
  • 用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法
    用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法_株式会社钟化_202511502204.X
    提供用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法，在基板层叠体的制造过程中的检查中，在已明确包含第一基板和第二基板的前驱层叠体的不良情况时，通过将第一基板和第二基板剥离(返工)而能够对第一基板和/或第二基板加以再利用。该制造方法包括：形成第一基板...
    2026-04-29
  • 晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器
    晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202610398191.4
    本申请提供了一种晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器，属于红外探测器领域；解决了传统小像元场景下的互连精度低以及传统晶圆级键合中边缘对准偏差大、键合空洞率高的问题；该方法通过Ti‑W/TaN/Pt/Au‑Sn四元复合键合层作为探测器芯...
    2026-04-29
  • 一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法
    一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法_格科半导体(上海)有限公司_202411497110.3
    本发明公开了一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法，所述改善图像传感器工艺缺陷的方法至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，所述衬底上沉积有一多晶硅层，将所述衬底置于反应腔内；步骤S2，向所述反应腔内至少通入硅源前驱体和氧源前驱体，在所...
    2026-04-29
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