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最新专利技术
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610036579.X
    本发明公开一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池可包括：电池基体以及设置于电池基体的主表面的含氘原子的钝化层，通过为钝化层引入氘原子，能够有效地提升钝化层和太阳能电池抗紫外衰减的能力。
    2026-04-30
  • 太阳能电池及其制备方法、制备设备
    太阳能电池及其制备方法、制备设备_通威太阳能(成都)有限公司_202610039079.1
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、制备设备。所述方法包括：在基底的至少一侧形成钝化接触结构，钝化接触结构包括隧穿氧化层和多层硅掺杂层。多层硅掺杂层形成在隧穿氧化层背离基底的一侧，其掺杂元素包括金属掺杂元素和导电类型掺杂元素；各硅掺杂层中...
    2026-04-30
  • 一种太阳能电池片及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    一种太阳能电池片及其制备方法、叠层电池和光伏组件_滁州捷泰新能源科技有限公司_202610056698.1
    本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种太阳能电池片及其制备方法、叠层电池和光伏组件，制备成的太阳能电池包括硅基体，从硅基体背面由内向外依次设置的氧化铝界面修饰层、隧穿氧化层、重掺杂多晶硅层、背面钝化膜层及背面电极，从硅基体正面由内向外依次设...
    2026-04-30
  • 一种异质结硅电池及其制备方法
    一种异质结硅电池及其制备方法_电投新能源科技(龙港)有限公司_202610057005.0
    本发明涉及异质结硅电池技术领域，尤其是涉及一种异质结硅电池及其制备方法。包括：单晶硅片其正面和背面均设有硅薄膜层；第一透明导电膜和第二透明导电膜安装于硅薄膜层上；金属栅线分别安装于远离硅薄膜层的第一透明导电膜和第二透明导电膜表面；二氧化铈透...
    2026-04-30
  • 可视化纤维状日盲光电探测器及其制备方法和应用
    可视化纤维状日盲光电探测器及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610060049.9
    本发明公开了一种可视化纤维状日盲光电探测器及其制备方法和应用。可视化纤维状日盲光电探测器包括：纤维状的工作电极，工作电极的表面为氧化镓光敏结构；纤维状的对电极；功能化准固态聚合物凝胶基质，功能化准固态聚合物凝胶基质中含有日盲紫外响应特性的荧...
    2026-04-30
  • 光学传感器封装结构及其制造方法
    光学传感器封装结构及其制造方法_长电科技(江阴)有限公司_202610080529.1
    本发明提供一种光学传感器封装结构及其制造方法，光学传感器封装结构包括：基板；透光转接板，设置在基板表面；传感器芯片，设置在透光转接板表面，传感器芯片背离透光转接板的表面具有感光区；透光层，包覆传感器芯片，且透光层的底部与透光转接板接触，入射...
    2026-04-30
  • 一种局部反光复合膜结构、光伏组件及其制备方法与应用
    一种局部反光复合膜结构、光伏组件及其制备方法与应用_英利能源发展有限公司_202610051430.9
    本发明提供一种局部反光复合膜结构、光伏组件及其制备方法与应用，涉及光伏技术领域。本发明的局部反光复合膜为透明绝缘层覆盖连接多个间隔的阵列单元集成形成；阵列单元从下至上依次包括：基材层、导光层和反光层，导光层表面为微结构阵列，反光层形成于微结...
    2026-04-30
  • 一种光伏光热一体化系统及其制备方法和应用
    一种光伏光热一体化系统及其制备方法和应用_浙江大学_202610110975.2
    本发明涉及绿色建筑技术领域，提供了一种光伏光热一体化系统及其制备方法和应用。本发明提供的光伏光热一体化系统由透光发电的光伏玻璃、选择性吸收紫外/红外并转换为热能的光热玻璃、位于两者之间的流体通道以及位于光热玻璃室内侧的透明气凝胶构成。光伏玻...
    2026-04-30
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司_202511971238.3
    本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低隔离区的表面粗糙度，利于提高表面钝化层对隔离区的钝化效果，利于提高背接触电池的转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。半导体基底包括相对设...
    2026-04-30
  • 光伏电池及其制造方法、光伏组件
    光伏电池及其制造方法、光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610253174.1
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件，光伏电池包括：具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面的基底，第一方向为基底的厚度方向；第一表面包括多个第一区和多个第二区，第一区的表面形貌包括第一金字塔结构，第二区的表面形貌为抛光...
    2026-04-30
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511746561.0
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括：电池本体，电池本体具有相对的第一表面和第二表面；多条集电电极，位于电池本体的第二表面上，多条集电电极以不同的极性交替间隔设置；其中，集电电极的材质包括铜，在电池...
    2026-04-30
  • 一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管
    一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管_重庆康佳光电科技有限公司_202411437329.4
    本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管；该方法包括：在生长衬底上形成外延层，在外延层上形成多个金属电极，再在外延层设置有金属电极的一面依次整层沉积第一钝化层及反射层，蚀刻去除各个微型发光二极管之间的反射...
    2026-04-30
  • 一种LED固晶机及固晶方法
    一种LED固晶机及固晶方法_苏州弘磊光电有限公司_202511951253.1
    本发明公开了一种LED固晶机及固晶方法，属于半导体封装技术领域，包括用于上料基板的上料机构、用于给基板点胶的点胶机构、用于传送芯片料碗的传送机构、用于将芯片从芯片料碗搬移至基板上的搬移机构、用于检测基板上是否漏晶的检测机构和用于收集成品的收...
    2026-04-30
  • 一种AlGaN模板及其器件的制备方法
    一种AlGaN模板及其器件的制备方法_北京大学_202512002018.6
    本发明公开了一种AlGaN模板及其器件的制备方法，属于半导体薄膜领域。本发明；本发明通过将受控应力释放的三维缓冲层与界面位错调控/过滤的位错过滤层耦合，形成从应力释放到位错过滤的连续有效路径，实现对不同Al组分的AlGaN薄膜在应力与缺陷演...
    2026-04-30
  • 一种衬底剥离方法及衬底剥离装置
    一种衬底剥离方法及衬底剥离装置_佛山市国星半导体技术有限公司_202610001650.0
    本发明公开了一种衬底剥离方法及衬底剥离装置，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：将键合晶圆移送至翘曲检测平台上配合激光测量仪进行翘曲状态检测，所述翘曲状态分为无翘曲、正翘曲或负翘曲；若所述键合晶圆无翘曲，则移送至激光加工平台上配合激光输出机构...
    2026-04-30
  • 晶圆重构方法和重构晶圆
    晶圆重构方法和重构晶圆_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202610054416.4
    本发明公开了一种晶圆重构方法和重构晶圆。该晶圆重构方法包括：在待重构晶圆的一侧设置刻蚀阻挡层，待重构晶圆包括第一衬底和设置于第一衬底上的发光功能层，刻蚀阻挡层设置于发光功能层远离第一衬底的一侧；对待重构晶圆进行刻蚀形成凹槽，凹槽的深度延伸至...
    2026-04-30
  • 一种LED外延片结构及其制备方法
    一种LED外延片结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610352983.8
    本发明公开了一种LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件技术领域。LED外延片结构包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层、P型窗口层和P型接触层；所述有源层包括周期性交替层叠的G...
    2026-04-30
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032664.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-30
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054777.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-30
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512021880.1
    本申请提供了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括衬底和半导体叠层，半导体叠层具有分别露出第一半导体层的若干个第一台面以及露出第二半导体层的第二台面，其中第一台面的水平投影呈相互隔离的岛状分布于半导体叠层的水平投影范围内；第一反射层设置...
    2026-04-30
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