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最新专利技术
  • 物料密度指数
    物料密度指数_拓普康定位系统公司_202480063451.1
    提供了一种用于对收割作物的材料密度进行确定的系统和方法。该方法包括：接收第一吞吐量信号的测量结果；接收第二吞吐量信号的测量结果，其中，相比于第一吞吐量信号，第二吞吐量信号对物料密度的变化更敏感；将第一吞吐量信号与第二吞吐量信号进行比较；以及...
    2026-04-30
  • 作业车辆
    作业车辆_井关农机株式会社_202480062249.7
    一种作业车辆，其能够检测由拍摄装置预先拍摄的基准图像与由所述拍摄装置新拍摄的图像的差异，其中，基准图像和新拍摄的图像均在田地中的同一场所且朝向同一方位拍摄，在基准图像和新拍摄的图像中均包含作业车辆的一部分，设定进入图像的作业车辆的基准部，使...
    2026-04-30
  • 一种真空密封MEMS芯片的高可靠电信号垂直引出方法
    一种真空密封MEMS芯片的高可靠电信号垂直引出方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511996853.X
    本发明提供一种真空密封MEMS芯片的高可靠电信号垂直引出方法，包括：S1、在MEMS芯片的垂直引线层的底面进行金属层或介质层沉积、光刻和刻蚀，形成键合图形层；其中，垂直引线层为TGV层或TSV层；S2、将含有硅微结构的硅片与键合图形层进行对...
    2026-04-30
  • 一种兼容Econodual封装的低寄生电感SiC模块
    一种兼容Econodual封装的低寄生电感SiC模块_北一半导体科技(广东)有限公司_202610141403.0
    本发明公开一种兼容Econodual封装的低寄生电感SiC模块，涉及半导体领域。该兼容Econodual封装的低寄生电感SiC模块包括封装壳体、并联设置于所述封装壳体内的至少两个功率子单元以及集成于所述封装壳体内的换流组件。该兼容Econo...
    2026-04-30
  • 一种带压力均衡微孔的电源管理芯片封装结构
    一种带压力均衡微孔的电源管理芯片封装结构_深圳市鸿润芯电子有限公司_202610116340.3
    本发明涉及电源管理芯片封装技术领域，具体涉及一种带压力均衡微孔的电源管理芯片封装结构，包括封装体以及设置于所述封装体内的芯片，所述封装体的外表面设有第一凹腔；所述第一凹腔的底部设有第一外侧孔口；所述封装体内部设有第一内侧孔口，所述第一内侧孔...
    2026-04-30
  • 一种半桥栅极驱动芯片及其封装结构
    一种半桥栅极驱动芯片及其封装结构_广州市力驰微电子科技有限公司_202610068689.4
    本发明公开了一种半桥栅极驱动芯片及其封装结构，包括：芯片主体，内部集成有驱动电路；封装外壳，至少部分包覆所述芯片主体；至少一个引脚连接座，设置于所述芯片主体并电性连接至所述驱动电路，所述引脚连接座内设有机械锁紧结构；至少一个可插拔引脚组件，...
    2026-04-30
  • 一种混合集成电路外壳的封装装置及其工艺
    一种混合集成电路外壳的封装装置及其工艺_广东华聚精密工业有限公司_202610133824.9
    本发明涉及一种混合集成电路外壳的封装装置及其工艺，包括工作台、输送机构、支架、压合轮、弧形板、抵压板、转动板；还包括两组交错分布的转盘，转盘的边缘处固定连接有于抵压板内转动连接的自转杆，自转杆与连接件连接，转盘上转动连接有限位环，限位环上固...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610135939.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，在衬底结构的金属层上依次形成第一钝化层、应力缓冲层和第二钝化层，第一钝化层设置于金属层远离衬底结构的一侧，应力缓冲层设置于第一钝化层远离金属层的一侧，第二钝化层设置于应力缓冲层远离第一钝化层的一侧。其中...
    2026-04-30
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(江阴)有限公司_202610114028.0
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一封装体，包括：第一基板，第一基板包括正面以及与其相背的背面；传感器元件，设置于第一基板的正面且与第一基板电连接；金属盖结构，设置于第一基板的正面且环绕包围传感器元件；第二封装体，包括：第二基板；第一通...
    2026-04-30
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202511509577.X
    本公开提供了一种封装结构。所述封装结构包含第一衬底、第二衬底、连接元件和压缩元件。所述第二衬底安置在所述第一衬底上方。所述连接元件包含在所述第一衬底与所述第二衬底之间延伸以将所述第一衬底连接到所述第二衬底的第一接触件。所述压缩元件安置在所述...
    2026-04-30
  • 功率半导体器件
    功率半导体器件_台达电子企业管理(上海)有限公司_202411496282.9
    本案为一种功率半导体器件，包含：仅一个功率芯片，功率芯片的上表面设置第二电极和第三电极，功率芯片的下表面设置第一电极，第三电极用来控制第一电极和第二电极的连通或关断；驱动模块，用以驱动功率芯片，驱动模块包含驱动芯片；以及塑封结构，用以封装功...
    2026-04-30
  • 一种基于扇出型的芯片封装方法
    一种基于扇出型的芯片封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202610135584.6
    本发明提供了一种基于扇出型的芯片封装方法，其能够在不重新设计高密度RDL层的前提下，有效补偿封装对位误差，从而提升封装体的连接可靠性和生产良率。其将封装单元作为一个整体，再布线层整体与对应的芯片坐标为基准进行同步预偏移，从而有效补偿封装对位...
    2026-04-30
  • 一种半导体封装用装料模
    一种半导体封装用装料模_深圳市宸悦存储电子科技有限公司_202610133032.1
    本发明涉及半导体封装领域，且公开了一种半导体封装用装料模，包括上模具，所述上模具的顶部设置有注塑口，所述注塑口的底部与上模具的顶部相固定连通，所述注塑口的内部设置有柱体，所述柱体的顶部呈环形阵列装设置有若干感应电极，若干所述感应电极的两侧均...
    2026-04-30
  • 一种压应力钝化方法及氮化镓毫米波器件
    一种压应力钝化方法及氮化镓毫米波器件_西安电子科技大学_202610047751.1
    本发明公开了一种压应力钝化方法，应用于薄势垒氮化镓毫米波器件，该方法通过界面钝化与应力工程的协同作用在器件表面形成具有压应力的叠层氮化硅钝化层，从而实现了器件钝化；其中，叠层氮化硅钝化层包括位于底层的界面功能层和位于界面功能层上的应力调制层...
    2026-04-30
  • 一种集成电路滤波器混合封装方法
    一种集成电路滤波器混合封装方法_日月新半导体(昆山)有限公司_202512052720.3
    本发明公开了一种集成电路滤波器混合封装方法，本发明属于半导体封装领域，包括步骤一：贴片：将所述滤波器晶片与非滤波器晶片贴装在载板的表面，所述滤波器晶片与非滤波器晶片间距小于160微米；步骤二：底部填充：在所述非滤波器晶片底部填充底填胶。本发...
    2026-04-30
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(滁州)有限公司_202511992843.9
    本申请公开了一种封装结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供框架；提供第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括相对的有源面和背面，将所述第一半导体芯片的有源面贴装在所述框架上，所述第一半导体芯片与所述框架电连接；提供金属空腔，所述金属空腔包括...
    2026-04-30
  • 一种封装结构的制备方法
    一种封装结构的制备方法_长电科技(滁州)有限公司_202511992770.3
    本申请公开了一种封装结构的制备方法，所述制备方法包括：提供引线框架，引线框架由若干个框架单元组成，框架单元包括基岛和管脚，框架单元之间通过连筋结构连接；贴装芯片，若干芯片与若干基岛的第一表面贴合；形成塑封层，塑封层包裹引线框架和芯片；在框架...
    2026-04-30
  • 曲面基底元器件封装方法
    曲面基底元器件封装方法_中国航空工业集团公司济南特种结构研究所_202511965677.3
    本发明涉及曲面基底元器件封装方法，涉及航空复合材料成型技术领域。包括步骤：所述基底为曲面构型，该曲面为不可展曲面，将所述不可展曲面划分为多个子曲面，所有子曲面构成完整不可展曲面，所述子曲面均为可展曲面；对应每个子曲面将封装材料裁切为对应小块...
    2026-04-30
  • 封装及信号输出结构、制作方法和功率半导体模块
    封装及信号输出结构、制作方法和功率半导体模块_斯达半导体股份有限公司_202511840276.5
    本发明涉及功率模块技术领域，具体涉及一种功率半导体模块的封装及信号输出结构，包括：形成于基板上的过渡金属块和塑封体；塑封体形成于基板上方并包裹电子元件、电路，以使得过渡金属块的顶表面暴露作为上层焊盘；输出端子与上层焊盘连接固定，作为功率半导...
    2026-04-30
  • 一种大电流肖特基二极管并联结构
    一种大电流肖特基二极管并联结构_贵阳航空电机有限公司_202511948177.9
    本发明公开了一种大电流肖特基二极管并联结构，用于将D1与D2两组二极管阳极端并联以形成共阳极端，包括输入汇流条和输出汇流条，所述输入汇流条一端同D1与D2两组二极管的共阳极端连接，该输入汇流条的另一端连接有蓄电池，二极管D1或二极管D2的阴...
    2026-04-30
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