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最新专利技术
  • 一种高柔韧性的半导体基板的制备方法
    一种高柔韧性的半导体基板的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411507869.5
    本发明公开了一种高柔韧性的半导体基板的制备方法，包括：对硅基材料层的第一表面和第二表面进行清洗处理；在清洗后的第一表面和第二表面分别涂覆高分子材料，并进行烘干处理，对应形成第一高分子层和第二高分子层；在第一高分子层和第二高分子层的表面分别涂...
    2026-05-10
  • 晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置
    晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置_浙江求是半导体设备有限公司_202512042015.5
    本申请公开了一种晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置，其中，晶圆激光退火的控制方法包括：对激光光束进行整形，使整形后的激光光束的加工参数信息达到预设要求；根据场镜最大幅面限制和光斑畸变允许要求，设置振镜使用幅面；根据加工参数信...
    2026-05-10
  • 改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法
    改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610139419.8
    本发明公开了一种改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法，包括：进行批次内晶圆间膜厚改善工艺。批次内晶圆间膜厚改善工艺包括：将一批次的晶圆依次在刻蚀腔中进行AIO刻蚀。在各晶圆的AIO刻蚀过程中实时监测刻蚀腔中的副产物并形成副产物的...
    2026-05-10
  • 间隙填充方法
    间隙填充方法_江苏首芯半导体科技有限公司_202610179033.X
    本申请公开了一种间隙填充方法。该间隙填充方法包括：将具有间隙的衬底置于沉积腔室内；在第一沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第一载气与反应气体，以在衬底表面沉积氧化物薄膜；在第二沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第二载气与反应气体，以在衬底表面继...
    2026-05-10
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202610181994.4
    本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。接收具有阵列区域和周边区域的基板，其中阵列区域的厚度大于周边区域的厚度。在基板的阵列区域中形成沟槽。在基板的阵列区域上和沟槽中形成第一介电层。在第一介电层上和沟槽中形成第一导电层。在第...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法以及半导体结构
    半导体结构的制造方法以及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411518604.5
    本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法以及半导体结构。其中，该制造方法包括：提供基底；采用第一光刻蚀刻工艺在基底上形成第一转移层；形成覆盖第一转移层侧壁的侧墙；形成覆盖侧墙和第一转移层的调节层以满足第一尺寸大于或者等于第一预设值；其中，第...
    2026-05-10
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_新唐科技股份有限公司_202510923161.6
    本发明提出一种半导体装置的制造方法，包含：提供衬底，其中所述衬底包含阱区，以及所述阱区包含顶掺杂区；在所述阱区上沉积第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成至少一接触通孔；在所述第一层间介电层中形成第一下金属层；在所述第一层间介电层上沉积...
    2026-05-10
  • 一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法
    一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法_重庆芯联微电子有限公司_202512002679.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有刻蚀得到的通孔和沟槽，所述通孔底部暴露有铜互连结构表面；对所述衬底进行第一等离子体处理，以去...
    2026-05-10
  • 应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法
    应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法_联合微电子中心有限责任公司_202610167818.5
    本发明提供一种应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法，在硅衬底上采用大马士革布线工艺和PI布线工艺依次形成多层大马士革布线层和多层有机介质布线层，从而使该硅转接板能够实现TSV盲孔深宽比不小于10 : 1、布线层数为8层的高密度集成，显著提...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202610371397.8
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，该制备方法包括步骤：提供半导体基体；于半导体基体上依次形成第一阻挡层、第一牺牲层以及第二阻挡层；形成第一支撑部以及至少两个第一导电部，第一支撑部贯穿第二阻挡层和第一牺牲层，第...
    2026-05-10
  • 半导体结构制备方法及半导体结构
    半导体结构制备方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610435065.1
    本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供顶面覆盖有第一叠层的衬底；形成贯穿第一叠层的至少一通孔后，于通孔内形成顶面低于介电叠层顶面的第一导电结构，横向刻蚀并去除部分介电叠层，得到暴露出第一导电结构全部顶...
    2026-05-10
  • 一种金属线制造方法及半导体结构
    一种金属线制造方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443732.0
    本申请实施例公开了一种金属线制造方法及半导体结构，包括：在衬底上形成钌材料的金属层；对金属层进行第一刻蚀，形成沟槽中间结构；在沟槽中间结构的内壁上沉积碳基保护层；对沟槽中间结构底部上的碳基保护层进行第二刻蚀以去除，对露出的钌材料的表面进行氧...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构制作方法及半导体结构
    一种半导体结构制作方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443735.4
    本申请实施例公开了一种半导体结构制作方法及半导体结构，包括：在衬底的表面上形成第一金属图形；循环使用氧等离子体和氢等离子体，对第一金属图形的侧壁进行第一处理，以降低粗糙度；在衬底的表面上形成低介电常数材料的介质层，将第一金属图形的顶部覆盖；...
    2026-05-10
  • 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件
    半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610449908.3
    本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件，半导体结构的制备方法包括：提供具有金属互联层的半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；刻蚀介质层以形成凹槽；在凹槽内共形形成吸气层后再填满保护层；刻蚀保护层、...
    2026-05-10
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510874857.4
    本公开提供了半导体器件及形成方法。半导体器件的电介质层可被使用氧化处理工艺进行处理以调整电介质层的介电常数。例如，半导体器件的互连层中的蚀刻停止层(ESL)可以由高介电常数(高k)电介质材料形成，其为ESL提供了相对于互连层中的其他电介质层...
    2026-05-10
  • 三维芯片及电子设备
    三维芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411540461.8
    本申请实施例提供一种三维芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，用以改善现有三维芯片需要设置较多冗余接口的问题。三维芯片包括第一裸片和第二裸片，第一裸片包括第一存储器件和冗余存储器件，第二裸片包括第一输入输出端口和多路选择器阵列，多路选择器阵列用...
    2026-05-10
  • 芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备
    芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411540946.7
    本申请实施例提供一种芯片结构、芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低阻容延迟。芯片堆叠结构包括层叠设置且电连接的第一芯片结构和第二芯片结构。第一芯片结构包括依次层叠设置的第一有源层、第一布线层以及第二布线层；第二布...
    2026-05-10
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511965829.X
    本发明提供了一种互连结构及其形成方法，属于半导体领域。该互连结构包括基底，形成有沟槽；阻挡层，形成于所述沟槽的内壁和底部；粘结层，形成于所述阻挡层的内壁和底部，且所述粘结层掺杂金属，填充在所述沟槽。本发明通过在Ru薄膜中掺杂金属Sn，由于R...
    2026-05-10
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411515943.8
    一种半导体结构和半导体结构的制备方法，该半导体结构包括基底，基底中具有导电块，介电层，介电层位于基底上，覆盖基底，导电插塞，导电插塞贯穿介电层与导电块连接，其中，导电插塞包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分、第二部分和第三部分在垂直于...
    2026-05-10
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610153180.X
    本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：基底，基底上具有接触点；介质层，形成于基底上；接触孔，形成于介质层中，接触孔显露接触点；金属层，形成于接触孔的侧壁及底部；接触孔侧壁金属层的第一厚度与接触孔顶部两侧金属层的第二厚...
    2026-05-10
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