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  • 提供了封装基底和制造封装基底的方法。所述封装基底包括:基底层,包括第一表面和在垂直于第一表面的第一方向上与第一表面相对的第二表面;第一上布线层和第一下布线层,第一上布线层在基底层的第一表面上,第一下布线层在基底层的第二表面上;第一绝缘层,在...
  • 本公开提供一种半导体衬底,其包含:第一图案化导电层;在所述第一图案化导电层上的介电结构,其中所述介电结构具有侧表面;第二图案化导电层,其处于所述介电结构上且在所述侧表面上延伸;以及第三图案化导电层,其处于所述第二图案化导电层上且在所述侧表面...
  • 本发明公开一种半导体结构及其制作方法,其中半导体结构包括一基板、一导电柱、一电容结构以及多个虚设柱状结构。导电柱设置于基板中。电容结构设置于基板中,与导电柱彼此分开。虚设柱状结构随机分布于导电柱与电容结构之间。
  • 本发明提供一种封装基板,包括玻璃芯、布线层及绝缘层,玻璃芯是配置有通孔的板状玻璃,布线层是配置于玻璃芯的表面上的导电层,绝缘层是配置于导电层之间的空间并包含高分子树脂与绝缘性粒子的混合物的层,封装基板具有用于安装电子元件的上表面和与其相对的...
  • 实例涉及通过调节玻璃芯的上部和下部的物性差异来提高抗热震性、耐冲击性、耐久性、可靠性等的封装基板。实例的封装基板是包括玻璃芯、布线层及绝缘层的封装基板,布线层为配置于玻璃芯的表面的导电层,绝缘层为配置于导电层之间的层,封装基板具有上部面以及...
  • 实例的封装基板为包括玻璃芯、上部重布线层及下部重布线层的封装基板,玻璃芯为配置有过孔的板状玻璃,上部重布线层配置于玻璃芯的上部,下部重布线层配置于玻璃芯的下部。重布线层包括布线层及绝缘层,布线层由具有晶粒的铜层图案化而成,在上部重布线层的上...
  • 实例的基板包括具有上部面的玻璃芯。作为玻璃芯的上部面的最大高度粗糙度的Rmax值为3nm至7nm。玻璃芯的上部面的表面能为50mN/m至63mN/m。在这种情况下,可在玻璃芯上实现具有得到提高的耐剥离性的绝缘层,并可以进一步提高基板的电气可...
  • 实例的封装基板包括芯层及配置于所述芯层上的绝缘层。所述绝缘层包含绝缘树脂。所述绝缘层包括第一绝缘层及配置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层。所述第二绝缘层的利用傅里叶变换红外光谱(FT‑IR)来测定的羟基峰强度小于所述第一绝缘层的利用傅里叶变换...
  • 本发明公开一种芯片的打线加工装置,包括机台、夹具基板、控制单元和超声焊接头,所述超声焊接头与固定板之间连接有一套设于伸缩杆外侧的弹簧,下表面与机台连接的所述夹具基板的上表面开设有至少2个相互平行的滑槽,每个所述滑槽内均设置有2个与该滑槽滑动...
  • 本发明涉及晶圆流片用贴片装置,涉及晶圆贴片技术领域,包括用于对芯片进行放置的支撑框架,支撑框架中间固定有支撑推板,支撑推板固定安装在纵向移动板上,纵向移动板通过气缸安装在固定支撑板上,且支撑推板上均匀设置有若干个真空吸附孔,本申请支撑框架上...
  • 本发明公开了一种基于多视觉协同的热压键合设备及方法,属于半导体封装技术领域,包括载台、中转平台、拾取头、键合头、第一视觉组件、第二视觉组件和第三视觉组件,拾取头用于将待键合芯片逐个放置在所述中转平台的各摆放位上,键合头用于拾取所述中转平台上...
  • 本发明涉及半导体功率器件技术领域,具体涉及一种提升端子振动性能的半导体功率模块及其制备方法,包括:基板;外壳,垂直于基板的一侧边缘设置,外壳朝向基板的一侧设有外壳端子;覆铜陶瓷基板,设置于基板上;芯片,设置于覆铜陶瓷基板上,芯片通过键合线连...
  • 本发明涉及芯片贴装检测技术领域,具体为基于热压键合设备的芯片贴装位置识别方法。本发明通过预设位置部署参数采集组采集关键点温度、应变、采集坐标及初始贴装坐标,基于AEKF算法的动态误差修正模型,经状态预测、卡尔曼增益计算、状态更新输出x/y/...
  • 本申请涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种焊剂托盘、SMT焊剂浸润装置、SMT键合机及倒装芯片表面贴片方法,由于本申请焊剂托盘的焊剂容置槽内不同容置区域的不同深度与待贴片的若干倒装芯片中不同的凸点高度相对应,因此当需在单个封装中键合多种凸点...
  • 本发明公开了一种基于氮化铝键合结构的三维系统芯片的制造方法及三维系统芯片,属于半导体先进封装领域。该制造方法包括:提供母晶圆,其表面具有母芯金属电极阵列;提供至少一个子芯粒,其表面具有子芯金属电极阵列;在所述母晶圆的表面和/或所述子芯粒的表...
  • 本发明公开了一种基于生长传导模块的金属凸块结构及集成方法,包括步骤:S1:提供一晶圆,所述晶圆表面形成有钝化层及暴露焊盘的开口;S2:在晶圆表面沉积生长传导模块材料层,使其填充所述焊盘开口并覆盖焊盘,并对该材料层进行图形化,形成与焊盘电连接...
  • 本发明提供一种倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法、电子设备。制备方法至少包括以下步骤:提供设有用于焊接倒装芯片球栅阵列封装所需的片式电阻的焊盘及对应的阻焊开窗的基板;在所述焊盘上施加锡膏并贴装片式电阻;进行回流焊接,以使锡膏熔化并形成焊点...
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个范例中,一种电子装置包括包含接触焊盘的电子组件。第一介电结构可安置在所述电子组件上方,且可界定使所述接触焊盘从所述第一介电结构暴露的开口。导电结构可安置在所述第一介电结构上方且耦合到所述接触焊盘。第二...
  • 本发明公开了基于垂直排列金属纳米柱的三维微互连结构及其制备方法,属于半导体封装领域。该结构从下至上依次包括底层芯片焊盘、UBM层、Ti/Ni过渡层、垂直纳米柱阵列和顶部封装连接层。通过微纳加工技术实现,单个凸块内集成数百至数千根纳米线,从根...
  • 本发明公开了一种基于金属凸块互连的三维系统芯片的制造方法,包括:母芯结构,其表面具有第一原始焊垫阵列;至少一个子芯粒,倒扣堆叠于所述母芯结构之上,其表面具有第二原始焊垫阵列;再布线金属柱结构,设置于所述母芯结构和/或所述子芯粒的表面,所述再...
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