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  • 本发明提供了一种用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件。解决了现有技术存在的刻蚀均匀性差、易损伤器件、良率低等问题。去除方法包括:对与器件晶圆临时键合的硅载体晶圆进行机械研磨,将其减薄至第一厚度;在减薄后的硅载体晶圆表面形成图案化的...
  • 本公开涉及一种用于切割集成电路IC裸片的制造工艺。一个实例包含用于切割包含多个集成电路IC裸片(106)的半导体晶片(102)的方法。所述方法包含提供穿过所述半导体晶片(102)的衬底的在所述半导体晶片(102)的经制造电路之间的厚度的一部...
  • 提供一种基板加工方法、制造方法及基板加工装置。基板加工方法包括:液体处理操作,将处理液体供应到所述基板;干燥操作,从所述基板上去除在所述液体处理操作中供应的所述处理液体;以及线宽校正操作,校正在所述液体处理操作中形成在所述基板上的图案的线宽...
  • 本公开提供了一种晶圆清洁系统及方法,系统包括传输单元、表面特性检测单元、多模式清洁组件、工具致动机构以及控制器;其中,传输单元用于沿工艺路径输送晶圆;表面特性检测单元布置于工艺路径的预设位置,配置为以非接触方式探测晶圆待清洁表面的物理表面特...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种氮化镓单晶衬底的三步湿法化学清洗方法。所述方法包括以下步骤:对GaN单晶衬底表面进行预清洗,而后采用浓硫酸与双氧水进行清洗,后用去离子水冲洗;于BOE溶液中浸泡而后用去离子水冲洗;再于盐酸、双氧水混...
  • 本发明提供了一种实验晶圆清洗设备,其包括:基台;承载机构,其包括晶圆载台;喷淋机构,其包括安装架、旋转组件、升降组件及喷淋组件,旋转组件驱动安装架绕第一转动中心线旋转,升降组件驱动喷淋组件升降移动,喷淋组件包括至少两个喷淋管,至少两个喷淋管...
  • 本发明公开了晶圆清洗领域的一种小流量液体精密输送系统及控制方法。该系统包括依次连接液源、缓冲罐及用液终端的供液路线,以及连接缓冲罐顶部气口的供气系统,供气系统在缓冲罐内形成恒定气压,利用柔性气垫取代机械泵驱动液体输出,从物理层面消除动力源脉...
  • 本发明提供了一种晶圆清洗机构及晶圆清洗设备;晶圆清洗机构包括清洗腔、承载驱动组件以及流体供给组件;承载驱动组件包括真空吸盘、中空驱动电机以及升降驱动器;流体供给组件包括第一供给部和第二供给部。本发明通过集成了吸附、旋转与升降功能的承载驱动组...
  • 本申请公开了一种液相法SiC衬底表面金属污染去除方法。液相法SiC衬底表面金属污染去除方法包括如下步骤:对SiC衬底进行清洗处理;对清洗处理后的所述SiC衬底进行低温气相清洗处理;以及,对低温气相清洗处理后的所述SiC衬底进行高温气相清洗处...
  • 本发明涉及晶片制造设备技术领域,公开了一种晶片清洗装置及晶片清洗方法。所述晶片清洗装置包括清洗槽体、固定组件以及滚动机构,固定组件安装在清洗槽体内,固定组件用于夹持固定装载有晶片组件的卡塞;滚动机构包括驱动模块和转动件,转动件设置在清洗槽体...
  • 本公开实施例提供了一种控制系统和半导体设备,控制系统包括腔体和管路,腔体包括加热静电吸盘,晶圆吸附于加热静电吸盘上,管路与加热静电吸盘连接;管路中流动有背部气体,背部气体通入至晶圆和加热静电吸盘之间;管路按照背部气体流入腔体的方向依次设置有...
  • 本申请公开了一种基板热处理装置及涂覆设备。基板热处理装置包括:腔体,设置有可开闭地基板输送口;热板,设置于腔体内,用于承载和加热基板;进气机构,用于向腔体内输送洁净气体;排气机构,用于排出腔体内的气体;其中,排气机构包括整流板和排气口,整流...
  • 本申请公开了一种温度调节装置、半导体工艺设备及温度调节方法,属于半导体加工技术领域。温度调节装置用于调节晶圆的温度,温度调节装置包括遮光组件、温度检测组件和驱动组件,遮光组件活动地设置于加热源与晶圆之间,并用于遮挡晶圆;温度检测元件用于检测...
  • 本申请公开一种温降控制方法和温降控制系统,温降控制方法包括:确定待降温件的温度值;在所述温度值大于第一阈值的情况下,控制降温器件以预设功率工作,其中,所述第一阈值大于预设值;在所述温度值小于所述第一阈值,且大于所述预设值的情况下,控制所述降...
  • 本发明提供一种发光二极管筛选方法,包含以下步骤:提供一晶圆,该晶圆上具有多个发光二极管结构;晶圆级静电放电测试该晶圆上的各该发光二极管结构;晶圆级崩溃电压测试该晶圆上的各该发光二极管结构;晶圆级光电特性测试该晶圆上的各该发光二极管结构;劈裂...
  • 本发明要提供一种可以在处理空间的边缘区域中精密地控制等离子体分布的基板支承组件、喷头组件以及包括其的基板处理装置。根据本发明的在利用等离子体的基板处理装置中支承基板的基板支承组件包括:陶瓷材料的支承板,支承所述基板;金属材料的基底板,位于所...
  • 本发明涉及一种基板支承单元以及包括其的基板处理装置,根据本发明的一实施例的基板支承单元,其特征在于,包括:定位器,被安放基板;基底板,用于支承所述定位器;以及环组件,沿着所述定位器以及所述基底板的周边配置,所述环组件包括焊盘,沿着所述焊盘的...
  • 提出了一种歧管结构。为了同时使用多种气体,本公开提出了一种歧管,其包括设置在歧管顶部的气体入口部分,其中主气体通道放置在气体入口部分的中心;沿着竖直轴线设置在气体入口部分下方的多个主体部分;以及沿着竖直轴线设置在底部的混合部分,混合部分包括...
  • 提供一种机构,该机构能够对喷嘴的位置进行调整,蚀刻宽度的处理精度高,且能够抑制微粒向基板处理区域流出。喷嘴机构(50)具有喷嘴主体(52)、以及使喷嘴主体在基板的半径方向上往复移动的喷嘴驱动部(53),喷嘴主体在喷出口(521)的相反侧具有...
  • 本发明公开了一种多工位共晶贴片机,包括基座,基座中央前侧设有能够沿X轴和Y轴平移的中空晶圆治具,中空晶圆治具用于放置带有芯片的晶圆,中空晶圆治具后侧的基座上设有能够沿X轴和Y轴平移、绕Z轴转动用于放置待共晶芯片的芯片中转台,基座上设有用于转...
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