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  • 本发明涉及一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法,属于半导体封装和印刷线路板领域,解决了现有大尺寸芯片在埋入芯板时易发生扭曲或上翘导致共面性不良、芯片贴装对位精度较差以及由此带来的产品良率下降等问题中的至少一个。一...
  • 本申请的实施例提供了一种封装基板的通孔成型方法,涉及半导体工艺领域,主要解决目前封装基板的通孔工艺存在着刻蚀速度慢,成孔效率低或者成孔工艺不良的问题。该方法包括:在封装基板上定义通孔位置;采用掩膜版,在第一表面的通孔位置形成第一电极,并在第...
  • 本发明提供一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法,通过先制备有散热结构的金属基板,再在金属基板上沉积梯度化高导热陶瓷绝缘层,之后在绝缘层表面依次沉积并加厚电极层,最后对电极层进行图案化,即得所述金属化高导热绝缘金属基板。通过渐变式沉积技术...
  • 集合体片材(1)的制造方法包括:蚀刻工序,通过向金属制的基材(M)喷射蚀刻液而对基材(M)进行蚀刻,形成仅由金属构成的金属部分。在蚀刻工序中,调整具有金属部分的尺寸变得大于目标值的倾向的列的蚀刻条件,以使金属部分的尺寸变小,调整具有金属部分...
  • 本申请公开一种显示面板、显示装置及制备方法,涉及显示技术领域,能够改善显示面板的漏光问题。本申请的显示面板包括驱动基板和发光器件层,驱动基板包括衬底层和驱动层,发光器件层设置于驱动层远离衬底层的一侧,驱动层包括像素电路;发光器件层包括第一电...
  • 本公开涉及硅衬底上方的蛇形高电压电阻器。集成电路(100)包含:多层级金属化结构,其位于半导体层(102)上方,所述多层级金属化结构具有介电层(116);焊盘金属层(118),其位于所述介电层(116)上且包含第一电阻器端子(131)和第二...
  • 本申请提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制造技术领域,该方法包括:在晶圆标记区域内,在P型衬底上生成N型注入区,在N型注入区表面形成接触孔,N型注入区与P型衬底构成PN结二极管;在N型注入区表面生成第一层金属层;按芯片金属...
  • 本公开涉及用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法。本说明书涉及一种检测设备,该检测设备包括从第一导电类型的半导体衬底的第一表面被掩埋的半导体区域,被掩埋的半导体区域具有第二导电类型,并且介于半导体衬底的第二表面与电子电路之间;在...
  • 本发明涉及热交换设备技术领域,具体涉及一种均热微通道散热装置及其生产工艺,包括中间散热块;底板,上表面中部开设有容纳槽,容纳槽与容纳孔相连通共同形成密闭的均热腔室;均热件,其由填充于均热腔室内的金属粉末经烧结成型,形成内部具有金属毛细孔结构...
  • 本申请公开了一种电力驱动产品封装结构及其形成方法,电力驱动产品封装结构包括:基岛和位于基岛周围的多个分立的管脚;功率芯片,功率芯片贴装在基岛上,功率芯片与管脚电连接;多个分立的第一垂直打线,位于功率芯片上且与其电连接;多个分立的第二垂直打线...
  • 本发明公开了一种微流道集成导热基板及其制备方法,包括液冷散热器(60),具有高导热绝缘介质层(601),所述高导热绝缘介质层设置有液冷微流道(603);所述高导热绝缘介质层具有第一表面,在所述第一表面上沉积有过渡层(605);和在所述过渡层...
  • 本发明公开一种微型电子器件主动冷却装置,包括:一个配置有多个入口阀的共振腔,所述共振腔还具有至少一个排出口;设置于所述共振腔内的压电冷却元件,所述压电冷却元件受控于电信号产生振动,所述振动驱动所述共振腔内的流体形成至少一条流体通道的单向流动...
  • 本发明涉及一种用于冷却功率电子元件的冷却器,包括壳体部件,所述壳体部件具有用于冷却流体的流动通道;和湍流器,所述湍流器具有周期性交替结构,其中,所述湍流器布置在所述流动通道中,其中,所述流动通道沿流动方向延伸,并且其中,到所述湍流器中的流入...
  • 本申请提供了一种散热盖、芯片封装结构、电路板组件及电子设备。其中,散热盖包括:底座;盖体,盖体设于底座上,盖体包括朝向底座的第一表面以及与第一表面相对的第二表面,第一表面与底座之间形成第一容纳腔,第二表面上设有第一孔,第一表面上设有与第一孔...
  • 本发明提供一种液冷封装盖板及其制造方法,液冷封装盖板由冷却板和支承环两部分结构组合而成,冷却板由至少两层预制片材层叠而成,各层预制片材上设置有具有预设的平面图形且贯通其厚度方向的至少一个通孔结构,通孔结构在层叠后相互连通形成液冷微流道,在液...
  • 本发明公开了一种带有微结构的复合散热器及其制备方法,用于功率半导体封装技术领域。本发明包括基板和盖板,基板的针翅间隙具有密集排布的微结构,所述微结构包括水滴形微结构和波浪形微结构;所述水滴形微结构的形状是旋转椭球体的上半部分,旋转椭球体的短...
  • 本申请涉及散热器技术领域,尤其涉及一种带独立工质回流通路的3DVC散热器。该3DVC散热器包括热板及至少一个具有冷凝腔的冷却件,所述热板内部设有接头和导流件,所述冷却件通过接头连通热板的腔室,且腔室与冷凝腔形成真空腔,所述接头设有引流槽,所...
  • 本发明属于半导体器件领域,公开了一种碳化硅功率模块封装结构,包括:电路基板和分别设置在所述电路基板两侧的散热底板和绝缘密封件;所述散热底板远离所述电路基板的一侧表面设有散热鳍片阵列,所述散热底板除所述散热鳍片阵列所在表面之外的其余表面上设置...
  • 本发明公开了一种双层结构的双面水冷散热功率模块及其制作方法,其中双层结构的双面水冷散热功率模块包括:第一水冷散热基板、第二水冷散热基板和双层集成化结构,所述双层集成化结构设置于所述第一水冷散热基板和第二水冷散热基板之间;所述双层集成化结构包...
  • 本发明提供一种扇出型封装集成散热结构及其制备方法,所述扇出型封装集成散热结构包括扇出型封装结构,在所述扇出型封装结构上设置第一介质‑热界面材料层,在所述第一介质‑热界面材料层上设置散热器和/或均热片;其中,所述扇出型封装结构包括的芯片与所述...
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