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  • 本申请涉及智能变色器件技术领域,公开了一种热致变色伪装器件及其制备方法和应用。所述热致变色伪装器件,其包括沿厚度方向依次复合设置的衬底、反射间隔层和热致变色层;所述反射间隔层为本征黑色导热聚酰亚胺薄膜;所述热致变色层为聚合物分散胆甾液晶薄膜...
  • 本发明提供了一种电致可调反射率器件的控制方法、控制装置及控制系统,涉及电致反光技术领域。该控制方法无论是在着色过程还是在褪色过程都分为强制活化阶段和主工作阶段进行控制,并且在强制活化阶段和主工作阶段都设置有各自阶段对应的电压参数和监测参数,...
  • 本发明公开了一种显示模组及显示装置。显示模组包括显示结构和视角调节结构;视角调节结构包括沿显示结构指向视角调节结构方向层叠设置的第一基底、电泳液层和第二基底,电泳液层中设置有多个隔离柱,电泳液层包括多个电泳粒子,电泳液层靠近第一基底的一侧还...
  • 本发明公开了一种显示模组及显示装置,显示模组包括显示结构和位于显示结构出光侧的视角调节结构;显示模组包括显示区和至少部分围绕显示区的非显示区;视角调节结构包括电泳液层和位于电泳液层远离显示结构一侧的第一基板;电泳液层包括多个电泳粒子,电泳液...
  • 本发明公开了一种改善断电后显示效果的电泳显示装置,其包括由下到上依次顺序叠加设置的第一透明导电基板、电泳层、密封层和第二透明导电基板,电泳层内形成有多个微杯结构,每个微杯结构内均设置有高浓度电泳液、低浓度电泳液和电泳粒子,高浓度电泳液与低浓...
  • 本申请提供一种显示装置以及电子设备,涉及显示技术领域,显示装置包括:顶部基板、阵列基板、支撑结构以及流动介质层;阵列基板包括衬底板以及设置于衬底板上的多个像素单元,像素单元包括像素电极层以及薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极层、半导体层以及源漏...
  • 本发明公开了应用于主动矩阵背板控制领域的基于柔性OTFT主动矩阵背板的可调焦透镜及其驱动方法,通过像素电极的逐点寻址实现可编程电压场分布与局部折射率的精确调制,从而达成快速的变焦与像差校正功能,该系统采用低温制程,兼容塑料薄膜基材并支持卷对...
  • 本发明提供一种光栅压缩装置、其压缩方法和光纤激光系统。本发明的光栅压缩装置、其压缩方法和光纤激光系统具有以下有益效果:激光通过腔内光栅衍射后,在装置内光栅等镜件之间反射来进行压缩,通过基础折返镜可以使得经过光栅对压缩后的光束沿竖直方向平移一...
  • 本申请公开了一种高重频低峰值倍频装置及其激光器,高重频低峰值倍频装置包括第一模块、第二模块以及第三模块,所述第一模块、第二模块与第三模块依次设置并构成一用于引导红外脉冲光输入并输出绿色脉冲光的倍频模组;激光器,包括高重频低峰值倍频装置;本发...
  • 本发明所涉及金属微纳光学器件及电光集成技术领域,尤其涉及集成电路光网络与片上光计算技术领域的一种基于MIM波导与VO2相变的多波段电光NOT门。其中器件结构包括由金属银为基底构成的MIM单波导‑圆形谐振器,以及贴合在圆形谐振器外的VO2微纳...
  • 本发明涉及快门驱动技术领域,具体涉及一种SMA合金丝快门驱动结构,包括围绕快门窗口设置的驱动轴,所述驱动轴用于驱动快门叶片活动,其特征在于:具有第一固定点和第一SMA合金丝,所述第一SMA合金丝的一端与第一固定点连接,所述第一SMA合金丝的...
  • 本申请实施例公开了一种光学镜片、镜头、摄像模组及电子设备,属于光学镜片技术领域。该光学镜片包括光学部和机构部,所述机构部位于所述光学部的边缘;所述光学镜片的表面具有杂散光透射区,所述杂散光透射区位于所述机构部,所述杂散光透射区用于使所述光学...
  • 本申请提供一种投影光机及投影设备,涉及光学技术领域。该投影光机可以实现对投影光机中光学组件的快速加热,并可以提升投影光机的散热效率。该投影光机包括:基体、光学组件、成像组件和液冷介质。其中,基体具有加热腔和冷却腔;光学组件设置于基体;成像组...
  • 本发明涉及投影设备技术领域,提供一种LCD投影光机及其控制方法和控制装置。LCD投影光机包括:三基色固态光源模块,包括红光光源、绿光光源和蓝光光源;光线处理装置;液晶显示屏,集成有红、绿、蓝三色彩色滤光片;投影镜头,用于将调制后的图像投射输...
  • 本发明的反射型掩模坯料(100)是作为EUV光刻中使用的反射型掩模(110)的原材料。该反射型掩模坯料(100)包括:基板(1);多层反射膜(2),其形成于基板(1)的一个主表面的上方,用于反射曝光光;保护膜(3),其形成于多层反射膜(2)...
  • 本发明所涉及的反射型掩模坯料(100)是一种用作以极紫外(EUV)光作为曝光光的EUV光刻中所使用的反射型掩模(110)的材料的反射型掩模坯料(100)。该反射型掩模坯料(100)包括:基板(1);形成于基板(1)的一个主表面上的、用于反射...
  • 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种制造光掩模的方法包括:在衬底之上形成反射式多层堆叠,以及在反射式多层堆叠之上形成帽盖层。在帽盖层之上形成吸收层,并且在吸收层之上形成硬掩模。在硬掩模中形成开口,暴露吸收层。使用硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻...
  • 本发明提供了一种光刻掩模的优化方法及相关产品。光刻掩模的优化方法包括获取掩模版图的多个扩展区块中的目标扩展区块,目标扩展区块存在更高优先级的相邻扩展区块;对目标扩展区块内的掩模图形进行有限轮次的初步OPC图形修正;使用相邻扩展区块的与目标扩...
  • 本申请提供了一种基于曲线掩膜的光刻邻近效应修正方法及系统,涉及半导体制造技术领域,方法包括基于待处理版图数据建立掩膜图形的曲线化表示,获得曲线边界及其曲线控制量集合;确定包括多个工况的工艺条件集合;针对各工况,基于光刻工艺模型计算曲线边界对...
  • 本申请公开了一种掩膜版及光刻装置,掩膜版包括沿第一方向层叠设置的多个遮光子版,至少两个遮光子版沿第二方向和/或第三方向相对可活动设置,各遮光子版包括掩膜开口;在使用状态下,各遮光子版的掩膜开口沿第一方向投影至少部分重叠,以形成透光图案,第一...
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