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最新专利技术
  • 功率模块封装基板及其制作方法
    功率模块封装基板及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202511960790.2
    本公开提供一种功率模块封装基板及其制作方法。具体地，通过在嵌埋功率模块的框架基板的两个表面对称布设第三介质层，并且在第三介质层上设置第一散热槽暴露针对功率模块的散热面，能够在提高散热面积的同时保持封装基板的对称性，有效防止封装基板产生翘曲。
    2026-05-08
  • 引脚框架、SSD模组以及SSD装置
    引脚框架、SSD模组以及SSD装置_深圳三地一芯电子股份有限公司_202411531717.9
    本申请公开了一种引线框架、SSD模组以及SSD装置。该方案包括：第一基岛，第一基岛用于安装存储控制芯片；第二基岛，第二基岛用于安装Flash；引脚阵列，引脚阵列分布于第一基岛的四周。由于第一基岛和第二基岛的设置，使得引线框架能够同时集成有存...
    2026-05-08
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_无锡华润安盛科技有限公司_202411549545.8
    本申请提供一种半导体结构。所述半导体结构包括引线框、散热基板及支撑连接线。引线框包括基岛区，及位于所述基岛区一侧并且与所述基岛区间隔的第一外接引脚区，所述基岛区设有裸片，所述第一外接引脚区具有多个第一引脚；散热基板与所述第一外接引脚区位于所...
    2026-05-08
  • 电源模块
    电源模块_成都芯源系统有限公司_202511169145.9
    本揭露提供一种提供电源模块。电源模块包括第一引线框架、第一裸芯片、基板、第二引线框架以及第二裸芯片。第一引线框架具有第一和第二部分。第一裸芯片设置在第一引线框架的第一部分的上方。第一功率装置形成在第一裸芯片的上方。基板设置在第一引线框架的第...
    2026-05-08
  • 一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体
    一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体_宁波康强电子股份有限公司_202512008870.4
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体。本发明公开了一种镍铁合金镀铜引线框架，包括：引线框架基材及包覆在所述引线框架基材至少部分表面的复合铜镀层；其中，所述引线框架基材为Ni80Fe20镍铁...
    2026-05-08
  • 一种多FC封装框架结构及其加工方法
    一种多FC封装框架结构及其加工方法_华天科技(宝鸡)有限公司_202610082087.4
    本发明属于半导体FC封装技术领域，具体公开了一种FC封装框架结构及其加工方法，包括有沿横向和/或纵向形成于框架上的多个封装单元；每个封装单元上设置有相背的芯片连接面和底面，芯片连接面通过蚀刻工艺形成有管脚，且管脚的表面沿延伸方向设置有焊接端...
    2026-05-08
  • 光学传感器的封装结构、方法及电子设备
    光学传感器的封装结构、方法及电子设备_广东国峰半导体有限公司_202610124906.7
    本申请涉及传感器封装技术领域，公开了一种光学传感器的封装结构、方法及电子设备，其中，该申请的封装结构包括：引线框架以及固定于引线框架上的射频主控芯片和光学传感器芯片；引线框架包括第一基岛、第二基岛、射频天线和管脚组，第一基岛与第二基岛相互电...
    2026-05-08
  • 一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块
    一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块_无锡利普思半导体有限公司_202610159741.7
    本发明涉及一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块, 包括外壳、设置于外壳内的两块基板、DC正负端子和AC端子。通过正负端子之间重叠设置, 基板上两个连接区相邻且电流相反, 产生邻近效应抵消磁场, 降低杂散电感。设计底板...
    2026-05-08
  • 一种引线框架及其制备方法
    一种引线框架及其制备方法_济南晶恒电子有限责任公司_202610181184.9
    本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开一种引线框架及其制备方法。在本申请中一种引线框架包括由铜或铜合金制成的框架基材，所述框架基材上具有至少一个封装单元，所述封装单元包含用于安装芯片的内引脚区域和用于与外部电路连接的外引脚区域；所述引线框架...
    2026-05-08
  • 基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构
    基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构_广西华芯振邦半导体有限公司_202512038202.6
    本发明公开了基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构，属于半导体封装领域，基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构，包括覆晶薄膜(Tape)、双芯片、铜通孔、线路层、阻焊层、封胶区，所述覆晶薄膜为多层复合结构，包括基材、导电层、绝缘层及层间粘合剂，所述基材...
    2026-05-08
  • 封装基板
    封装基板_爱玻索立克公司_202511530489.8
    实例涉及封装基板，封装基板(100)包括：玻璃晶片(20)；多个过孔(25)，配置于所述玻璃晶片(20)；铜电极(40)，配置于所述过孔(25)或所述玻璃晶片(20)的表面；以及绝缘层(30)，包饶所述过孔(25)或所述铜电极(40)。所述...
    2026-05-08
  • 基板
    基板_爱玻索立克公司_202511565607.9
    实例的基板包括玻璃芯。玻璃芯包括沿厚度方向贯通所述玻璃芯的贯通过孔。贯通过孔的直径为50μm至100μm。玻璃芯的硫含量(原子%)和氮含量(原子%)之和为0.2原子%至8原子%。在这种情况下，可以提供更稳定地实现贯通玻璃芯的电连接，并在高湿...
    2026-05-08
  • 一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法
    一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法_电子科技大学_202511883602.0
    本发明公开了一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法，属于射频微系统技术领域。本发明基于硅基封装，将射频前端芯片：功分器、低噪声放大器及多功能芯片进行功能划分，并将四通道的射频芯片分别进行硅基内嵌封装，通过硅通孔(TSV)引出。将分...
    2026-05-08
  • 玻璃基板及其制备方法、电子设备
    玻璃基板及其制备方法、电子设备_深圳莱宝高科技股份有限公司_202512032940.X
    本申请提供一种玻璃基板及其制备方法、电子设备，涉及半导体封装领域。该玻璃基板包括玻璃芯板、第一金属层、绝缘层、第二金属层和阻焊层；玻璃芯板具有多个开孔部，玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上形成有凹槽结构；第一金属层至少包括设置于凹槽结构内的...
    2026-05-08
  • 一种OFPGA芯片封装结构及工艺方法
    一种OFPGA芯片封装结构及工艺方法_宁波德葳智能科技有限公司_202610162866.5
    本发明公开了一种OFPGA芯片封装结构，其包括OFPGA硅芯片主体和玻璃基板，玻璃基板上设置有TGV通孔、细间距波导和耦合光栅，所述OFPGA硅芯片主体与所述玻璃基板通过微凸点键合及共价键结合，实现机械固定与信号互联；所述玻璃基板承通过高密...
    2026-05-08
  • 内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备
    内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备_华为技术有限公司_202411515932.X
    本申请实施例公开了一种内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备。该内埋基板包括芯部保持体和埋嵌在芯部保持体中的芯片，其正面增层包括覆于芯部保持体的第一面的正面第一增层，该芯片的正面朝向芯部保持体的第一面设置，芯片的正面包括焊盘和位于...
    2026-05-08
  • 晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法
    晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法_海光信息技术股份有限公司_202610121229.3
    本发明提供一种晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法。所述晶圆级PCB封装结构包括封装晶圆和PCB载板，所述PCB载板上表面设置有金属连接端子，所述封装晶圆通过所述金属连接端子与PCB载板连接；所述封装晶圆内部设置有多个压力传感器，用于监测晶...
    2026-05-08
  • 封装基底和制造封装基底的方法
    封装基底和制造封装基底的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202610125340.X
    提供了封装基底和制造封装基底的方法。所述封装基底包括：基底层，包括第一表面和在垂直于第一表面的第一方向上与第一表面相对的第二表面；第一上布线层和第一下布线层，第一上布线层在基底层的第一表面上，第一下布线层在基底层的第二表面上；第一绝缘层，在...
    2026-05-08
  • 半导体衬底、半导体封装及其形成方法
    半导体衬底、半导体封装及其形成方法_日月光半导体制造股份有限公司_202610143853.3
    本公开提供一种半导体衬底，其包含：第一图案化导电层；在所述第一图案化导电层上的介电结构，其中所述介电结构具有侧表面；第二图案化导电层，其处于所述介电结构上且在所述侧表面上延伸；以及第三图案化导电层，其处于所述第二图案化导电层上且在所述侧表面...
    2026-05-08
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411607338.3
    本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包括一基板、一导电柱、一电容结构以及多个虚设柱状结构。导电柱设置于基板中。电容结构设置于基板中，与导电柱彼此分开。虚设柱状结构随机分布于导电柱与电容结构之间。
    2026-05-08
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