Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体工艺设备及其冷却控制装置
    半导体工艺设备及其冷却控制装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202411548433.0
    本申请公开了一种半导体工艺设备及其冷却控制装置。其中，该冷却控制装置包括：底座，用于承托承载舟，所述承载舟用于承载需要冷却的晶片；设置于所述底座中的旋转电机，用于带动所述底座旋转，以带动所述承载舟旋转；设置于所述底座上方的冷却箱体，所述冷却...
    2026-05-09
  • 传送机械手及基板处理方法
    传送机械手及基板处理方法_细美事有限公司_202511572058.8
    本发明提供了一种传送机械手及基板处理方法。具体地，提供了一种用于传送基板的传送机械手，该传送机械手包括：用于支承基板的手部；以及用于驱动手部的驱动单元，其中，所述手部包括：基座板；安装在基座板上并真空吸附基板的底表面且支承基板的第一支承部；...
    2026-05-09
  • 一种防溅液晶圆卡盘支撑结构
    一种防溅液晶圆卡盘支撑结构_上海至纯洁净系统科技股份有限公司_202511998189.2
    本发明公开了半导体清洗领域的一种防溅液晶圆卡盘支撑结构，其包括水平旋转基板及四个切向分布的一体式支撑件，支撑件一端设尖角状分流部以引导切向液流绕流，上半部由两个正圆锥部构成V型定位槽，通过圆锥壁与被清洗件倒角面的线或点接触实现支撑与自对中，...
    2026-05-09
  • 一种晶圆夹持及其升降翻转装置
    一种晶圆夹持及其升降翻转装置_至微半导体(上海)有限公司_202512009746.X
    本发明涉及晶圆夹持领域的一种晶圆夹持及其升降翻转装置，包括扁平化外壳、导杆组件、传动机构及柔性驱动件，导杆穿设于外壳周侧，传动机构置于壳内，通过旋转盘与连杆将平面旋转转化为导杆的径向伸缩，柔性驱动件一端偏心连接旋转盘，另一端连至外部驱动源，...
    2026-05-09
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202610134477.1
    本发明提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置包括：用于水平地保持基片的保持部；用于使保持部旋转的旋转部；和控制部。保持部包括：旋转盘，能够由旋...
    2026-05-09
  • 晶圆翻转装置、晶圆翻转方法及晶圆处理设备
    晶圆翻转装置、晶圆翻转方法及晶圆处理设备_华海清科股份有限公司_202610432475.0
    本申请公开了晶圆翻转装置、晶圆翻转方法及晶圆处理设备，属于先进制程晶圆加工技术领域。用于解决边缘粗糙晶圆放片时倒片方向随机、易掉落损坏，且下限位件易磨损导致晶圆滑片不到位的技术问题。本申请的晶圆翻转装置包括底座、转动连接于底座的托架以及摆动...
    2026-05-09
  • 一种晶圆的吸盘式转运机构
    一种晶圆的吸盘式转运机构_苏州同冠微电子有限公司_202610417780.2
    本发明涉及晶圆吸盘技术领域，尤其是一种晶圆的吸盘式转运机构，包括机械臂、支撑环、吸盘组件、气路结构和驱动单元，支撑环设在机械臂输出端；吸盘组件包括支撑块和吸盘主体，支撑块设在支撑环上，吸盘主体转动设置在支撑块内，吸盘主体为锥状主体，并与支撑...
    2026-05-09
  • 基片处理装置和测量方法
    基片处理装置和测量方法_东京毅力科创株式会社_202511485975.2
    本发明提供一种基片处理装置和测量方法，其能够以简易的结构来测量位于基片的表面的膜的膜厚。基片处理装置包括输送装置、测量装置和控制部。输送装置具有保持并输送基片的输送臂。测量装置测量位于基片的表面的膜的膜厚。测量装置具有：壳体，其具有能够供保...
    2026-05-09
  • 焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品
    焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品_深圳佰维存储科技股份有限公司_202610182588.X
    本申请公开一种焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品，涉及电子封装技术领域，在该焊点测试架构中，测试基板的表面形成有至少一个测试基体结构；覆盖于测试基板及测试基体结构的表面上的互联测试层包括焊点焊盘、互连焊盘以及测试焊盘；焊点焊...
    2026-05-09
  • 半导体测试结构及方法
    半导体测试结构及方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610425182.X
    本申请提供了一种半导体测试结构及方法，属于半导体技术领域，所述半导体测试结构位于一待检测晶圆上，包括设于待检测晶圆中漏区、源区及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述漏区与所述源区之间，以隔离所述漏区与所述源区，所述源区包括至少一个第一叉指...
    2026-05-09
  • 半导体测试结构及厚度测量方法
    半导体测试结构及厚度测量方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610427694.X
    本申请实施例公开了一种半导体测试结构及厚度测量方法。该半导体测试结构包括：衬底，衬底上形成有凹槽；外延层，基于所述凹槽形成，外延层包括依次堆叠的缓冲层、籽晶层和硅帽子层；缓冲层覆盖所述凹槽的底部表面；籽晶层呈凸起状，且位于缓冲层上方；硅帽子...
    2026-05-09
  • 缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质
    缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511842176.6
    本公开提供一种缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质。该拦截方法包括：获取待退火晶圆上的缺陷的预测失效风险系数，其中，预测失效风险系数用于量化待退火晶圆上的缺陷在退火制程中发生劣化后，由劣化缺陷诱发待退火晶圆发生失效的概率；基于预测失效风险系...
    2026-05-09
  • 一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法
    一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法_佛山大学_202610041655.6
    本发明涉及微电子可靠性试验技术领域，一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法，包括扫描单元、移动单元、处理单元、执行限制机构和检测模块，由于执行限制机构包括力过载保护模组、悬臂梁、剪切顶针和通电探针，悬臂梁的一端连接力过载保护模组，另一端分...
    2026-05-09
  • VDMOS器件的制造检测方法
    VDMOS器件的制造检测方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202610148948.4
    本申请提供一种VDMOS器件的制造检测方法。该方法通过获取表征VDMOS器件阵列区沟槽结构的工艺监测信号，并对工艺监测信号进行特征提取处理，以获得沟槽几何特征参数，然后，基于沟槽几何特征参数，确定对应VDMOS器件的导通电阻及击穿电压的预测...
    2026-05-09
  • 一种晶圆显微检测系统
    一种晶圆显微检测系统_瀚积智能科技(上海)有限公司_202610231716.5
    本发明公开了一种晶圆显微检测系统，涉及晶圆检测技术领域，旨在解决传统检测效率低、易误判及晶圆易二次损伤的问题。该系统包括工作台，工作台上设机械臂，机械臂端部有吸盘；工作台上还布置晶圆分类仓、宏检测装置、微检测装置和识别装置，各装置均位于机械...
    2026-05-09
  • 太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件
    太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610432786.7
    本申请涉及一种太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件，太阳能电池断栅检测方法包括如下步骤：提供多片半导体基片；在若干片半导体基片表面采用第一浆料进行金属化处理形成第一主栅线，得到第一基片；且在若干片半导体基片表面采用第二浆料进行金属化处...
    2026-05-09
  • 一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件
    一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511944578.7
    本发明公开了一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件，涉及半导体功率器件领域，方法包括：在碳化硅外延片上形成带沟槽的氧化硅掩膜；旋涂稀释后的PI光刻胶，利用旋涂流动性和台阶差在沟槽内自然形成U形槽；采用无需曝光的分步可控显影工艺，先后使用...
    2026-05-09
  • 基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法
    基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法_中北大学_202610315795.8
    本发明提供一种基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法，涉及半导体技术领域，其中，方法包括：对待刻蚀晶圆与电镀母版硅片进行清洗操作；在待刻蚀晶圆之上依次形成黏附层以及种子层，并在电镀母版硅片之上形成键合层；将待刻蚀晶圆、电镀母版硅片进行基...
    2026-05-09
  • 碳化硅电化学阳极氧化-等离子体协同抛光方法
    碳化硅电化学阳极氧化-等离子体协同抛光方法_浙江工业大学_202610117126.X
    本发明提供了碳化硅电化学阳极氧化‑等离子体协同抛光方法，该方法包括以下步骤：S1，将碳化硅晶片进行机械研磨；S2，将碳化硅晶片进行清洗；S3，配制电解液；S4，将碳化硅晶片作为阳极放入电解池中，与电源正极相连；在阳极上方设置阴极板，并与电源...
    2026-05-09
  • 一种半导体硅片中的裂缝处理方法
    一种半导体硅片中的裂缝处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411500732.7
    本发明公开了一种半导体硅片中的裂缝处理方法，包括：在半导体硅片的表面上涂布氧化剂，并保持第一预设时间，以对所述半导体硅片的表面上的裂缝进行氧化处理；以预设的填充压力将绝缘体填充到氧化后的裂缝中，并在所述填充压力下保持第二预设时间；对所述氧化...
    2026-05-09
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证