Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法
    一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法_上海申和投资有限公司_202512002531.5
    本发明提供了一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法：通过电泳沉积结合冷等静压和低温退火的制备工艺，能够实现碲化铋基热电薄膜的高致密化与高度c轴取向，使其在远低于传统块体工艺温度下即达到ZT≥1.1，并具备优异柔性的高性能。
    2026-05-09
  • 形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构
    形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构_ASMIP私人控股有限公司_202512046498.6
    公开了用于在衬底表面上形成多晶钼膜的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；将成核膜直接沉积在衬底的暴露表面上，其中成核膜包含金属氧化物成核膜或金属氮化物成核膜中的一种；以及将多晶钼膜直接沉积在成核膜上；其中多晶钼膜包含多个具有小于8...
    2026-05-09
  • 一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法
    一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511988529.3
    本发明公开了一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法，所述制备方法采用等离子体增强化学气相沉积方法进行以下沉积步骤：步骤S1、在介质层表面沉积第一氮掺杂碳基材料层，采用的第一反应气体为四甲基硅烷和氨气的组合；步骤S2、在所述第一氮掺杂碳基材...
    2026-05-09
  • 一种离子注入SiC的激活及表面保护方法
    一种离子注入SiC的激活及表面保护方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202610418260.3
    本发明公开的一种离子注入SiC的激活及表面保护方法，涉及半导体制造技术领域；包括以下步骤：对SiC晶圆进行高温离子注入；在高温离子注入后的SiC晶圆上进行PVD镀碳膜；对镀碳膜后的SiC晶圆进行激光激活退火；对退火后的SiC晶圆进行等离子体...
    2026-05-09
  • 一种掺杂方法和半导体器件
    一种掺杂方法和半导体器件_深圳技术大学_202610045076.9
    本发明公开一种掺杂方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，所述掺杂方法包括以下步骤：提供一反应容器，所述反应容器具有一反应腔，将待处理对象置于所述反应腔内，将掺杂气体通入所述反应腔，并进行超临界处理，以得到处于超临界状态的掺杂流体，以使得所述...
    2026-05-09
  • 一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置
    一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置_广西仁固节能科技有限责任公司_202610139285.X
    本发明公开了一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置，属于半导体制造设备技术领域。包括磁浮输送机构和清洁模块，所述磁浮输送机构包括轨道基板、电机定子模块和磁浮气浮托板，所述电机定子模块设置于所述轨道基板内部，所述磁浮气浮托板位于所述电机定子模块上方...
    2026-05-09
  • 一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结构
    一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511950645.6
    本发明提供一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结果，刻蚀工艺包括：提供衬底，衬底表面层叠设置有低k介质层和图形化的刻蚀掩膜层；图形化的刻蚀掩膜层中包括至少两种线宽不同的图形；通过干法刻蚀工艺在低k介质层中对应形成具有不同线宽的沟槽；其中，干法刻蚀...
    2026-05-09
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610407639.4
    本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供一具有栅极结构层的衬底，栅极结构层包括间隔设置的多个栅极；在栅极结构层背离衬底的一侧，形成栅极之间的牺牲层；在牺牲层背离衬底的一侧形成覆盖牺牲层和栅极结构层的...
    2026-05-09
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610419234.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在研磨阻挡层上依次形成第一介质层、刻蚀阻挡层和第二介质层，第一介质层的厚度等于研磨阻挡层和焊盘之间的间距；形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二凹槽外侧的第二介质...
    2026-05-09
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511554337.1
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明在致动器与喷嘴本体之间的空间中，能够以任意形状设计压力传感器，实现衬底处理装置的构成的小型化。处理单元具备：喷嘴本体(52)，朝向衬底的下表面周缘部喷出处理液；轴(532)，通过电动机(531...
    2026-05-09
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202511554339.0
    本发明提供一种机构，其在喷嘴配置于衬底的下方的衬底处理装置中，能够进行喷嘴的位置调整，且能够容易地进行更换零件时的维护作业。本发明的衬底处理装置(1)具备喷嘴机构(50)。喷嘴机构具备两个以上具有喷嘴本体(52)、与使喷嘴本体在衬底的半径方...
    2026-05-09
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511554526.9
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明通过使用压力传感器对多个压力检测点的检测结果，精度良好地检测轴的进退移动的异常。本发明的处理单元具备：喷嘴本体(52)，用于对衬底进行规定表面处理；轴(532)，通过电动机(531)的驱动而在...
    2026-05-09
  • 一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法
    一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法_安徽沃天传感技术有限公司_202511931900.2
    本发明提出了一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法，包括：将纯水、HNO3、HF、Hac以175：120：130：70的比例依次加入盛有催化剂的聚乙烯容器中；缓慢搅拌和摇晃，放置50min后，制成腐蚀液用于腐蚀单片晶圆，通过通过采用纯水、HNO₃、HF...
    2026-05-09
  • 一种半导体芯片生产用的浸蚀装置
    一种半导体芯片生产用的浸蚀装置_江苏唐龙电子科技有限公司_202610154398.7
    本发明公开了一种半导体芯片生产用的浸蚀装置，涉及半导体芯片生产加工领域，包括：装置外壳与设置于安装于装置外壳内侧的放置框，放置框的顶部设置有挡罩，且放置框与挡罩的内侧均安装有防护格栅，挡罩的外侧固定安装有转杆，转杆的外侧铰接装配有两个套座，...
    2026-05-09
  • 硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件
    硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件_中国科学院物理研究所_202610135494.7
    本发明提供了一种硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件。该化学抛光后处理方法包括：在基底或器件结构表面制备硫化镉薄膜；以及将硫化镉薄膜浸入化学抛光液中进行后处理，其中，化学抛光液被配置为对硫化镉薄膜的表面的松散颗粒产生选择性溶解并...
    2026-05-09
  • 芯片到晶圆先进封装方法
    芯片到晶圆先进封装方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610177274.0
    本发明提供一种芯片到晶圆先进封装方法，包括以下步骤：提供载体晶圆和待切割晶圆，所述待切割晶圆具有多个预定义的芯片单元；通过临时键合工艺将所述待切割晶圆的背面与所述载体晶圆的正面键合，形成一个键合整体；以所述载体晶圆作为工艺承载基体，对所述键...
    2026-05-09
  • 片源分离装置
    片源分离装置_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511855283.2
    本公开提供了一种片源分离装置，属于半导体器件制造技术领域。所述装置包括工作台、升降台、多个刀片组件以及连接组件，所述工作台具有用于固定键合在一起的两个片源的第一表面；所述升降台与所述第一表面间隔布置且能够沿着垂直于所述第一表面的方向移动；所...
    2026-05-09
  • 用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件
    用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171624.2
    本发明提供了一种用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件。解决了现有技术存在的刻蚀均匀性差、易损伤器件、良率低等问题。去除方法包括：对与器件晶圆临时键合的硅载体晶圆进行机械研磨，将其减薄至第一厚度；在减薄后的硅载体晶圆表面形成图案化的...
    2026-05-09
  • 用于切割集成电路(IC)裸片的制造工艺
    用于切割集成电路(IC)裸片的制造工艺_德州仪器公司_202511487408.0
    本公开涉及一种用于切割集成电路IC裸片的制造工艺。一个实例包含用于切割包含多个集成电路IC裸片(106)的半导体晶片(102)的方法。所述方法包含提供穿过所述半导体晶片(102)的衬底的在所述半导体晶片(102)的经制造电路之间的厚度的一部...
    2026-05-09
  • 基板加工方法、制造方法及基板加工装置
    基板加工方法、制造方法及基板加工装置_细美事有限公司_202511562032.5
    提供一种基板加工方法、制造方法及基板加工装置。基板加工方法包括：液体处理操作，将处理液体供应到所述基板；干燥操作，从所述基板上去除在所述液体处理操作中供应的所述处理液体；以及线宽校正操作，校正在所述液体处理操作中形成在所述基板上的图案的线宽...
    2026-05-09
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证