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信息存储应用技术
  • 本发明涉及一种水性浆料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:(1)将增稠剂与水混合,得到第一胶液;(2)将第一胶液与导电剂和有机溶剂混合,得到第二胶液;(3)将第二胶液与活性炭混合,得到固液溶胶;(4)将固液溶胶与水混合,得到第三胶...
  • 本公开涉及用于减小开关装置的电应力的系统及方法。提供用于可控地将第一导电线耦合到第二导电线或将所述第一导电线与所述第二导电线解耦的开关装置的技术的方法、系统及装置。所述开关装置包含初级晶体管的分支及电路的分支。初级晶体管的一或多个分支中的至...
  • 本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置例如为三维与非门闪存,且提供高性能以及高容量的储存介质。存储器装置包括多个页缓冲器以及多个第一开关。页缓冲器相互串联耦接。第一开关分别对应页缓冲器,其中各第一开关耦接至对应的页缓冲器的感测端。...
  • 本公开提供用于降低和抑制交叉开关电路中随机电报噪声(RTN)的机制。处理设备可以执行编程过程以将交叉开关电路中电阻式随机存取存储器(RRAM)器件编程到目标电导值。然后所述处理设备可确定与所述RRAM器件相关的电报噪声(RTN)值是否在可接...
  • 本发明涉及电极材料技术领域,具体公开了一种复合电极材料及其制备方法和应用,本发明提供的复合电极材料,通过内层刚性高导电骨架与外层多孔活性包覆层相结合的设计,充分发挥了各组分间的结构与电化学协同效应,有效缩短了电解质离子的扩散路径,使得最终制...
  • 公开了存储器装置及存储器装置的操作方法。所述存储器装置的示例性操作方法包括:基于第0偏置条件控制第一存储器块,第0偏置条件对应于与第一存储器块连接的多条地选择线的第0 GSL编码模式;基于第一存储器块的编程和擦除循环是第一参考值,将第一存储...
  • 本发明公开一种基于动态时窗关联的监控与日志一体化故障诊断系统,适用于数据中心及GPU集群运维。系统在监控指标异常触发时,依据采样周期、日志延迟、网络抖动与时钟偏差等自适应计算检索窗口,并在窗口内自动检索聚合相关日志,生成结构化关联事件。通过...
  • 本申请提供一种终端设备及基于云端协同的终端设备自检方法,涉及终端设备技术领域,所述方法可以响应于终端设备的开机指令,在内核启动完成后,获取拓扑网络,根据拓扑网络,为每个功能节点创建自检任务,并计算每个自检任务的优先级。根据优先级,将自检任务...
  • 本公开涉及数字内容创作技术领域,公开了一种用于数字内容创作的操作回退方法、装置、设备及介质,本公开的用于数字内容创作的操作回退方法,通过获取用户对目标对象执行的操作记录,并将其转换成一份结构化的操作历史日志来实现。该日志详细记录了每个操作事...
  • 本申请公开了一种Ceph分布式存储测试方法及系统,涉及分布式存储系统测试技术领域,公开的Ceph分布式存储测试方法及系统,通过注入梯度时延实现真实慢盘故障模拟,协同采集多维度运行数据,动态生成健康基线以适应负载变化,并系统化追踪故障传播路径...
  • 本公开提供一种零部件测量设备,包括:置物台、视觉识别组件和测量组件。置物台用于放置待测零部件,置物台上方设置视觉识别组件,视觉识别组件用于识别放置在置物台上的待测零部件的类型,并在识别到置物台上的待测零部件后,向测量组件发送触发指令。测量组...
  • 一种存储阵列、存储器及其写入、读取、擦除方法,其中存储阵列包括:呈阵列排布的若干存储单元;存储单元包括:选择管、第一存储管以及第二存储管,选择管串联于第一存储管和第二存储管之间;其中,同一行存储单元的选择管连接至同一字线,不同行存储单元的选...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件及其操作方法、存算装置、结构及电子设备,半导体器件包括:第一半导体结构和第二半导体结构;第一半导体结构和第二半导体结构键合连接;其中,第一半导体结构包括模数转换电路和数据处理电路;第二半导体结构包括用于执行第...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件及其操作方法、半导体结构及电子设备,半导体器件包括:堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构;第二半导体结构通过总线接口电路连接到第一半导体结构;其中,第一半导体结构包括数据处理电路;第二半导体结构包括键合连...
  • 本实用新型提供了减压放松用音乐播放器,包括壳体、内腔、活动板、播放器、调节组件和定位组件;内腔,内腔开设于壳体的内部;活动板,活动板滑动连接于内腔的内部;播放器,播放器设置于壳体的内部;调节组件,调节组件设置于壳体内部与活动板之间;定位组件...
  • 本发明涉及环境检测,更具体的说是一种环境检测仪,装置支架上转动连接有转动支架,转动支架上固定连接有伸缩机构Ⅰ,伸缩机构Ⅰ的伸缩端上固定连接有支撑环,支撑环上设置有两个能够相互扣合的组合半筒,每个组合半筒内均固定连接有安装座,检测仪安装在安装...
  • 本申请实施例提供一种半导体器件及其操作方法、系统,该半导体器件包括:存储器阵列;存储器阵列包括多个存储串,每个存储串包括串联在位线和源极层之间的多个存储单元;存储单元被配置为存储权重数据;源极层包括多个沿第一方向间隔的第一子源极层,存储同一...
  • 本发明公开了一种碳包覆锡酸锌材料及其应用。所述碳包覆锡酸锌材料具有核壳结构,包括锡酸锌纳米颗粒以及包覆在所述锡酸锌纳米颗粒的碳层;在所述碳包覆锡酸锌材料中锌锡摩尔比为2:1.65~1.85。本发明提供的碳包覆锡酸锌材料可应用于锂离子电容器中...
  • 本发明公开了一种普鲁士蓝电极材料及其制备方法和超级电容器,属于电容器技术领域。其中,制备方法包括:将K3Fe(CN)6溶于水中,搅拌均匀,得到溶液A;将FeSO4·7H2O、MnCO3和络合剂加入水中,搅拌均匀,得到溶液B;将溶液B滴加至溶...
  • 本申请提供了一种存储系统的操作方法、存储系统、存储器装置及存储介质,涉及存储技术领域。该读电压确定包括:采用候选读电压以及多对偏移读电压分别执行读取操作,获得所述候选读电压对应的原始数据,以及多对所述偏移读电压中的每个所述偏移读电压分别对应...
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