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最新专利技术
  • 一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法
    一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法_四川东泽科技有限公司_202610163859.7
    本发明涉及一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法，属于探测器制备技术领域，通过等离子体处理通过高活性粒子活化蓝宝石衬底，引入羟基活性位点，为超宽禁带Ga2O3薄膜的异质外延生长奠定洁净界面基础，确保Ga2O3对紫外光的特异性吸收能...
    2026-05-10
  • 一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池
    一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池_河北大学_202610160978.7
    本发明提供了一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池。该方法包括：在氢等离子体环境中采用磁控溅射法制备铜铟镓硒前驱体，随后在其表面沉积一层铜铟镓硫薄膜，最后高温退火制备CIGSe梯度吸收层。该方法利用表面铜铟镓硫作为盖层延迟结晶并促进晶粒横...
    2026-05-10
  • 一种TBC太阳能电池及其制备方法
    一种TBC太阳能电池及其制备方法_南京工业大学_202610143887.2
    本发明公开了一种TBC太阳能电池制备方法，步骤如下：碱抛；依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层；硼扩转化为P型多晶硅；激光图形化为沉积N区做准备；酸洗并碱抛；再次依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层；磷扩转化为N型多晶硅；正面去PS...
    2026-05-10
  • 一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法
    一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法_南京工业大学_202610143881.5
    本发明公开了一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法，步骤为：S1、碱制绒处理形成正金字塔绒面；S2、硼扩散形成硼扩散层；S3、背面去硼硅玻璃；S4、基底抛光；S5、背面依序沉积二氧化硅隧穿氧化层、磷掺杂非晶...
    2026-05-10
  • 用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法
    用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法_复旦大学义乌研究院_202610141699.6
    本发明属于电子材料技术领域，具体为一种用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法。本发明所述的制备方法包括隧穿氧化层钝化接触电池清洗、激光开槽、酸性氧化液反向电镀、碱性氧化液反向电镀、淋洗、电镀高熵合金电极以及真空退火；高熵合金电极...
    2026-05-10
  • TBC电池及其制备方法
    TBC电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610128447.X
    本申请公开一种TBC电池及其制备方法，通过在硅片背面依次构建硼掺杂与磷掺杂的载流子选择性接触区域，并结合隧穿氧化层与多晶/非晶硅薄膜的协同作用，有效实现了对少数载流子的高效阻挡与多数载流子的选择性传输，显著抑制了界面复合损失，从而大幅提升电...
    2026-05-10
  • 低压刻蚀背接触电池及其制备方法
    低压刻蚀背接触电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610128155.6
    本申请公开一种低压刻蚀背接触电池及其制备方法，通过引入低压环境下的两次选择性刻蚀工艺，结合精准的薄膜沉积与掺杂顺序设计，从源头抑制了底切缺陷的形成，同时兼顾了表面钝化质量与载流子选择性传输性能，从而在提高TBC电池光电转换效率的同时，显著提...
    2026-05-10
  • 重掺杂背接触电池及其制备方法
    重掺杂背接触电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610127474.5
    本申请公开一种重掺杂背接触电池及其制备方法，通过沉积含硼或磷的掺杂掩膜并结合激光选择性掺杂，精准控制掺杂位置与浓度，避免传统高温扩散中掺杂原子挥发、横向扩散及污染问题，确保掺杂分布的一致性与重复性。该方法可实现精细图案化，工艺适配性强，且无...
    2026-05-10
  • 一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法
    一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法_东华理工大学_202610110153.4
    本发明公开了一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法，以硅作为衬底层，在硅衬底上下双面采用化学气相沉积技术生长Si3N4钝化层，利用匀胶机在一面的Si3N4钝化层上旋涂负性光刻胶层，对负性光刻胶层进行曝光显影，在另一面重复上述步骤，正反两面光...
    2026-05-10
  • 一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途
    一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途_中国科学技术大学苏州高等研究院_202610108787.6
    本发明涉及一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用具有预设图案的光刻掩膜，在基底上刻蚀，形成具有预设图案的微柱模板；(2)对所述微柱模板上未被掩膜覆盖的侧壁进行疏液修饰，去除掩膜，得到非对称浸润...
    2026-05-10
  • 一种背接触电池及其制备方法
    一种背接触电池及其制备方法_泰州中来光电科技有限公司_202610074438.7
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种背接触电池及其制备方法。该制备方法包括：在硅片背面的P、N区分别制备P、N型多晶硅来制得PN结；对硅片背面进行激光图形化，以选择性减薄P、N区的非金属电极区域的P、N型多晶硅；对硅片的正背面进行镀膜后，在背...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610067063.1
    本公开涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少可以提升太阳能电池的性能。太阳能电池的制备方法包括：提供基底，基底具有相对的第一侧和第二侧，基底包括彼此分立的第一区和第二区，第一侧具有掺杂半导体层和掺杂源层；对第一区进行n...
    2026-05-10
  • 一种基于铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列及制备方法
    一种基于铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列及制备方法_华东师范大学_202610053104.1
    本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列制备方法，其特点是以绝缘体上铌酸锂为集成平台，利用其低损耗光学波导作为光传输载体，结合钙钛矿材料的高光吸收特性与低暗电流优势，实现高性能片上光电探测功能，该探测器单元由铌酸锂脊形波导...
    2026-05-10
  • 一种氧化镓弧光监测器的制备方法
    一种氧化镓弧光监测器的制备方法_北京科技大学_202512056692.2
    本发明提供一种氧化镓弧光监测器的制备方法，属于光电探测技术领域，包括以下步骤：采用磁控溅射法，在清洗后的硅衬底表面依次沉积氧化镓低氧层和氧化镓薄膜；对氧化镓薄膜依次进行清洗、旋涂光刻胶和烘干，然后将叉指电极的掩膜版贴于薄膜表面并用光刻机曝光...
    2026-05-10
  • 一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用
    一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用_武汉纺织大学_202512046357.4
    本发明公开了一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用，属于半导体材料技术领域，其中，肖特基耦合同质结半导体材料的制备方法包括以下步骤：利用水热法合成CdS纳米棒，然后通过水热法在CdS纳米棒上原位合成CdS量子点从而得到CdS同质结，最后...
    2026-05-10
  • 栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_天合光能股份有限公司_202511991855.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该栅线电极的制备方法，包括以下步骤：提供透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层上印刷电极浆料，电极浆料能够腐蚀透明导电氧化物层并渗入到其内形成掺杂区...
    2026-05-10
  • 基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法
    基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511943090.2
    本发明公开了一种基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法，所述方法包括如下步骤：S1、提供一锗衬底(1)，经清洗后采用化学气相沉积法在其表面生长掺杂锗吸收层(2)；S2、对所述掺杂锗吸收层(2)的表面和一本征锗片(3)的表面分...
    2026-05-10
  • 长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备
    长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511943089.X
    本发明提供了一种长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备，包括：固定件、安装基板、引线基板、柔性缓冲模块、探测器芯片、螺钉和接插件。引线基板位于安装基板上方，其中心开设透光孔，该孔尺寸大于探测器芯片与固定件安装尺寸，利于探测器芯片...
    2026-05-10
  • 一种电池片贴片间膜单元
    一种电池片贴片间膜单元_无锡江松科技股份有限公司_202511925563.6
    本申请涉及电池片贴膜技术领域，公开了一种电池片贴片间膜单元，其包括焊接输送端和焊接端，其特征在于：还包括贴膜单元，贴膜单元位于焊接输送端和焊接端之间，并连接焊接输送端和焊接端，贴膜单元包括电池片输送单元和膜条供应单元，其中：电池片输送单元位...
    2026-05-10
  • 一种线缆电阻焊模块
    一种线缆电阻焊模块_常州星海电子股份有限公司_202511858118.2
    本发明公开了一种线缆电阻焊模块，包括金属板、线缆电阻焊焊点、储锡槽、芯片焊接区、汇流带通槽及塑封体。金属板沿长度方向布置，其两端设有线缆电阻焊焊点。在线缆焊点的内侧对称设置两个矩形储锡槽，储锡槽之间形成芯片焊接区。金属板在储锡槽对应位置设有...
    2026-05-10
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