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最新专利技术
  • 一种确认光刻工艺窗口方法
    一种确认光刻工艺窗口方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411524647.4
    本申请公开了一种确认光刻工艺窗口方法，属于半导体技术领域。本申请省略了形成轻掺杂漏极和形成硅锗源漏工艺，在完成栅极工艺后，直接进行目标侧墙工艺在栅极的侧壁形成目标侧墙，整个目标侧墙工艺流程中沉积的薄膜的种类和制备目标晶圆过程中形成的两层侧墙...
    2026-05-07
  • 一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统
    一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统_无锡环亚微电子有限公司_202610168528.2
    本发明属于半导体制造工艺控制技术领域，具体公开了一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统，包括：通过光学系统实时在线获取光刻胶瞬态厚度数据，并经时间微分与径向插值生成表征径向非均匀发展趋势的厚度偏差演化率图谱；逆向求解径向对称的溶剂...
    2026-05-07
  • 一种高解析度感光干膜用载体膜
    一种高解析度感光干膜用载体膜_江苏东材新材料有限责任公司_202511936626.8
    本发明涉及一种高解析度感光干膜用载体膜，载体膜包括自上而下依次分布的表层涂布层、上PETG层、中间COC层、下PETG层及底层涂布层，载体膜通过下述步骤制备而成：COC使用单螺杆挤出机熔融挤出，PETG使用双螺杆挤出熔融挤出，三层熔体在模头...
    2026-05-07
  • 感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法
    感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法_旭化成株式会社_202511537487.1
    [课题]本发明的目的在于，提供一种即使是赋予高玻璃化转变温度(Tg)那样的吸光度高的聚合物，分辨率也优异、且在与铜接触时减少了铜空隙的感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法。[解决方案]一种感光性树脂组合物，其包含：(A...
    2026-05-07
  • 树脂组合物及其层、滤色器及其应用
    树脂组合物及其层、滤色器及其应用_珠海基石科技有限公司_202610398738.0
    本公开涉及一种树脂组合物及其层、滤色器及其应用，所述树脂组合物包含着色剂，所述着色剂包含蓝色颜料与吡咯类色素化合物的混合物，所述吡咯类色素化合物在500 nm至600 nm处具有最大吸收值并且是具有以下通式(1)的化合物。所述树脂组合物在用...
    2026-05-07
  • 一种乙烯-环氧乙烷-降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用
    一种乙烯-环氧乙烷-降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用_河北凯诺中星科技有限公司_202610227892.1
    本申请涉及半导体电子器件技术领域，具体公开了一种乙烯‑环氧乙烷‑降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用。高绝缘极紫外光刻胶的原料包括成膜树脂、溶剂、光致产酸剂、交联剂、助剂，成膜树脂为乙烯‑环氧乙烷‑降冰片烯三元嵌段共聚...
    2026-05-07
  • 一种光刻胶组合物及其制备方法
    一种光刻胶组合物及其制备方法_惠州市惠阳裕生化工有限公司_202610060471.4
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种光刻胶组合物及其制备方法。该光刻胶组合物以改性酚醛树脂作为基体，配以感光剂、附着力促进剂、流平剂和有机溶剂。其中改性酚醛树脂引入有机硅耐热分子链，使所得光刻胶具有优异的耐热性、光敏性和分辨率。
    2026-05-07
  • 负性光刻胶及其应用
    负性光刻胶及其应用_苏州凯芯半导体材料有限公司_202512060545.2
    本发明提供了一种负性光刻胶及其应用。以质量百分比计，该负性光刻胶包括：10~60%的功能性丙烯酸树脂、5~40%的聚酰亚胺树脂、1~40%的引发剂、1~50%的交联剂以及余量的溶剂；功能性丙烯酸树脂由功能性单体和普通单体通过共聚制备得到，功...
    2026-05-07
  • 一种半导体器件、光敏材料其制备方法
    一种半导体器件、光敏材料其制备方法_连云港邃铸科技有限公司_202511994473.2
    本申请提供了一种含有结构式(I)所示双马来酰亚胺化合物A、含结构式(II)所示结构的的聚酰亚胺前体B的负型光敏性组合物。 (I)(II)该组合物经光刻和高温固化后可形成具有优异机械性能、高分辨率、低吸水性、强粘接性和抗腐蚀性的浮雕图案固化物...
    2026-05-07
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511575931.9
    提供一种半导体光刻胶组合物及使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含：有机金属化合物，由化学式1表示；以及溶剂。有机金属化合物包含锡及至少一个酰胺基配体，所述酰胺基配体含有经取代或未经取代的烯基部分或炔基部分。式1
    2026-05-07
  • 半导体光刻胶组合物，使用该组合物形成图案的方法及光刻胶图案
    半导体光刻胶组合物，使用该组合物形成图案的方法及光刻胶图案_三星SDI株式会社_202511564809.1
    本发明公开了一种半导体光刻胶组合物和使用其形成或提供图案的方法及光刻胶图案，该半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机金属化合物；和溶剂。化学式1的描述如说明书中所述。
    2026-05-07
  • 黑矩阵用颜料分散组合物、及黑矩阵用颜料分散光阻组合物
    黑矩阵用颜料分散组合物、及黑矩阵用颜料分散光阻组合物_阪田油墨股份有限公司_202511560041.0
    一种黑矩阵用颜料分散组合物，其包含碳黑、二氧化硅粒子、含碱性基的颜料分散剂、含酸性基的颜料分散助剂、碱可溶性树脂、及溶剂，且所述二氧化硅粒子为含苯基的二氧化硅粒子和/或含(甲基)丙烯酰基的二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子相对于所述碳黑100质...
    2026-05-07
  • 感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、显示元件、及硬化膜的制造方法
    感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、显示元件、及硬化膜的制造方法_JSR株式会社_202511554499.5
    本发明所欲解决的课题在于提供一种可形成可兼顾放射线感度与耐干式蚀刻性的硬化膜的感放射线性组合物、由所述组合物所形成的硬化膜、包括所述硬化膜的半导体元件及显示元件、以及硬化膜的制造方法。本发明涉及一种感放射线性组合物，其含有：聚合物(A)，包...
    2026-05-07
  • 抗蚀剂组成物及图案形成方法
    抗蚀剂组成物及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202511554129.1
    本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供感度良好且边缘粗糙度、尺寸偏差小、分辨性优良，而且保存稳定性也良好的具有光感应性高的阳离子的感光性鎓盐的抗蚀剂组成物、及图案形成方法。一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：因酸作用而碱可溶性增大的树...
    2026-05-07
  • 半导体光刻胶组合物及使用其形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用其形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511499486.2
    公开了一种半导体光刻胶组合物及使用其形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含：有机金属化合物；包括不饱和键的醇化合物；以及溶剂。本申请可提供具有改善的灵敏度和线边缘粗糙度特性的光刻胶图案。
    2026-05-07
  • 半导体光刻胶组成物及使用组成物形成图案方法
    半导体光刻胶组成物及使用组成物形成图案方法_三星SDI株式会社_202511499485.8
    本发明提供一种半导体光刻胶组成物和使用半导体光刻胶组成物形成图案的方法。半导体光刻胶组成物包括有机金属化合物；二酮化合物；包括两个或更多羟基的醇；以及溶剂。
    2026-05-07
  • 核-壳化合物、感光性树脂组合物和层、滤色器和传感器
    核-壳化合物、感光性树脂组合物和层、滤色器和传感器_三星SDI株式会社_202510921115.2
    提供一种核‑壳化合物、包含所述核‑壳化合物的感光性树脂组合物、使用所述感光性树脂组合物制造的感光性树脂层、包括所述感光性树脂层的滤色器、以及包括所述滤色器的互补金属氧化物半导体图像传感器，所述核‑壳化合物包括由化学式1表示的核和包围所述核的...
    2026-05-07
  • 一种面向集成光子电路的纳米压印硅模板优化方法
    一种面向集成光子电路的纳米压印硅模板优化方法_常州灵动芯光科技有限公司_202610142486.5
    本发明涉及微纳加工及集成光子学技术领域，具体为一种面向集成光子电路的纳米压印硅模板优化方法，所述方法针对现有纳米压印硅模板侧壁粗糙度高导致复制光子器件光学损耗大的问题, 与模板多次压印后易损耗导致波导线宽变化而影响器件中心波长等性能的模板寿...
    2026-05-07
  • 压印母版结构、压印版及压印版的形成方法、封装结构的形成方法
    压印母版结构、压印版及压印版的形成方法、封装结构的形成方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411475454.4
    一种压印母版结构、压印版及压印版的形成方法、封装结构的形成方法，所述压印母版结构包括：基板，所述基板包括若干芯片区，所述芯片区包括显示区和环绕所述显示区的非显示区；位于所述基板上的若干阻挡块结构，所述阻挡块结构位于所述非显示区。所述压印母版...
    2026-05-07
  • 一种光掩模修补方法、装置、设备及介质
    一种光掩模修补方法、装置、设备及介质_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411546901.0
    本发明公开了一种涉及光刻工艺领域，特别是涉及一种光掩模修补方法、装置、设备及介质通过扫描待处理光掩模，确定异常颗粒区域；所述异常颗粒区域包括异常颗粒物；对所述异常颗粒区域的接触图案进行蚀刻，得到蚀刻光掩模；所述接触图案为与所述异常颗粒物接触...
    2026-05-07
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