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最新专利技术
  • 构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法
    构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法_中国科学技术大学_202512011815.0
    本公开提供了一种构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法，该器件包括自旋量子比特单元和1个或多个SOT磁性结构单元；自旋量子比特单元能够形成平面型自旋量子比特；SOT磁性结构单元设置于自旋量子比特单元上，当施加可调电流脉冲至SOT磁性结构单元...
    2026-05-09
  • 一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法
    一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法_清华大学_202411528578.4
    本发明公开了一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法。所述方法包括如下步骤：在飞秒激光手性电场的作用下，诱导自旋太赫兹纳米振荡器的反铁磁层产生光‑自旋轨道矩；所述光‑自旋轨道矩驱动反铁磁磁矩的振荡，形成自旋极化，极化的自旋流转化为电荷流同时...
    2026-05-09
  • 一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机
    一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411463856.2
    本申请公开了一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机，属于量子芯片制备工艺技术领域。约瑟夫森结的制造方法，包括：在衬底表面分别通过镀膜的方式形成依次层叠的第一超导金属层、绝缘层和第二超导金属层；刻蚀第二超导金属层形成连通的、有第...
    2026-05-09
  • 超导量子器件的制造方法以及超导量子器件
    超导量子器件的制造方法以及超导量子器件_中国计量科学研究院_202511899247.6
    本公开提供了一种超导量子器件的制造方法以及超导量子器件。该制造方法包括：在衬底上形成约瑟夫森结，约瑟夫森结的下超导层在横向上延伸超出约瑟夫森结的势垒层和上超导层；在衬底上形成电阻层，电阻层在横向上与约瑟夫森结间隔开；在衬底上形成绝缘层，以覆...
    2026-05-09
  • 基于耐腐蚀约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法
    基于耐腐蚀约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法_北京量子信息科学研究院_202511976307.X
    本申请公开一种基于耐腐蚀的约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法，该超导量子计算芯片包括：衬底；多个超导量子比特，在所述衬底的第一表面呈周期性排列，每个所述超导量子比特包括两个电容电极和连接两个所述电容电极的约瑟夫森结；其中，所述约瑟夫森...
    2026-05-09
  • 一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机
    一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202610399368.2
    本公开提供了一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机，涉及量子技术领域。一种超导量子比特耦合结构包括：第一超导量子比特、第二超导量子比特和耦合器；第一超导量子比特通过第一旁路电容与耦合器的第一节点连接，第二超导量子比特通过第二旁路...
    2026-05-09
  • 基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法
    基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511914393.1
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法，包括IGCdO晶体管、TaOx忆阻器，所述IGCdO晶体管包括衬底、铪铝氧化物层、栅极、源金属层、漏极金属、铟镓镉氧化物层以及变色薄膜；所述栅极与衬底直接...
    2026-05-09
  • 一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺
    一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610115926.8
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变材料层初始处于高阻态，需要电初始化的问题，提供了一种相变材料层的制备工艺，包括：S100、通过光刻工序和磁控溅射工序制备GeTe相变薄膜；S200、所述相变薄膜通过退火工序制得相变材料层；所述退火工序的...
    2026-05-09
  • 具有混合存储层的半导体器件及其制造方法
    具有混合存储层的半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511074598.3
    本申请涉及具有混合存储层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括沿第一方向延伸的第一互连线；沿第二方向延伸的第二互连线；及设置在第一互连线与第二互连线之间的存储单元。存储单元包括第一电极；在第一电极之上的包括铁电层的第一存储层；在第一存储层...
    2026-05-09
  • 包括阻变层和热约束电极层的半导体器件
    包括阻变层和热约束电极层的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511302439.4
    根据一种实施例的一种半导体器件包括：衬底；电极结构，该电极结构设置在衬底之上并且包括交替设置的层间绝缘层和水平电极层；阻变层，该阻变层沿着穿透衬底上的电极结构的孔的侧壁表面而设置；氧空位储层，该氧空位储层在孔内设置在阻变层上；第一热约束电极...
    2026-05-09
  • 一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用
    一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用_复旦大学_202512037814.3
    本发明属于新型存储器件技术领域，具体涉及一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用，包括依次层叠的底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极；氧化钽层的厚度大于阻变层的厚度；底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极均满足BEOL的温度窗口要求；通过操...
    2026-05-09
  • 一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法
    一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法_北京印刷学院_202610047846.3
    本发明公开了一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、下电极层、复合功能层、上电极层和柔性防护膜层，复合功能层包括由二维材料制成的阻变层及堆叠覆盖于阻变层上表面的石墨烯阻隔层，石墨烯阻隔...
    2026-05-09
  • 开关单元
    开关单元_意法半导体股份有限公司_202610057131.6
    本公开的实施例涉及开关单元。一种电子单元，包括集成堆叠的结构，依次包括：第一电极；在第一电极下方的双向阈值开关层；以及固定电阻器，位于所述双向阈值开关层下方。第二电极可以包括在固定电阻器和双向阈值开关层之间。存储器层，例如相变材料层、电阻式...
    2026-05-09
  • 基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法
    基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法_西安电子科技大学_202610082296.9
    本发明公开了一种基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法。该器件包括依次层叠设置的衬底层、底电极层、功能活性层、几何限制层和顶电极层；功能活性层用于提供活性金属离子以形成导电细丝；功能活性层的材料为二维层状铁电材料；几何限制层的...
    2026-05-09
  • 具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法
    具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171623.8
    本发明提供一种具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法。采用聚硅氮烷溶液作为前驱体，通过旋涂工艺选择性填充芯片间隙，再将其转化为二氧化硅支撑结构的方法。利用旋涂工艺的高效率和常温处理特性，避免了高温和厚膜沉积引发的翘曲问题。通过控制...
    2026-05-09
  • 芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构
    芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171632.7
    本发明提供一种芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构。在键合后、减薄前，将芯片的侧壁边缘优化为弧形轮廓例如倒角或圆角，有效减小化学机械抛光的抛光垫等减薄工具与芯片侧壁接触时产生的横向剪切力，使得芯片仅依靠其与基底的键合强度即可稳定承...
    2026-05-09
  • 大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构
    大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202610416101.X
    本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构。大尺寸重构晶圆的制造方法包括：提供第一晶圆，沿厚度方向将其切割为多个子片；提供尺寸更大的第二晶圆，将多个子片键合于第二晶圆的释放层表面，对子片进行...
    2026-05-09
  • 一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法
    一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法_浙江大学杭州国际科创中心_202610416163.0
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法。本发明提供的一种p型碳化硅器件结构的制备方法，先在半导体衬底上依次形成硅层和铝层，然后再通过气‑液‑固(VLS)的生长机制在具有铝层和硅层的衬底上...
    2026-05-09
  • 一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法
    一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法_上海申和投资有限公司_202512002531.5
    本发明提供了一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法：通过电泳沉积结合冷等静压和低温退火的制备工艺，能够实现碲化铋基热电薄膜的高致密化与高度c轴取向，使其在远低于传统块体工艺温度下即达到ZT≥1.1，并具备优异柔性的高性能。
    2026-05-09
  • 形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构
    形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构_ASMIP私人控股有限公司_202512046498.6
    公开了用于在衬底表面上形成多晶钼膜的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；将成核膜直接沉积在衬底的暴露表面上，其中成核膜包含金属氧化物成核膜或金属氮化物成核膜中的一种；以及将多晶钼膜直接沉积在成核膜上；其中多晶钼膜包含多个具有小于8...
    2026-05-09
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