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  • 本发明涉及有机发光二极管技术领域,尤其涉及IPC C07,更具体地涉及,一种OLED发光有机材料及其OLED发光器件。本发明中OLED发光有机材料包含萘并脂肪环结构,提高了分子的供电子能力,从而提高了电子迁移能力,稳定了空穴,进而提高了分子...
  • 本发明涉及热电材料技术领域,具体为一种基于PEDOT:PSS与聚苯胺构建微裂纹结构的热电薄膜及其制备方法,包括以下步骤:选取PEDOT : PSS原料,经过滤处理后分散于无水乙醇中,得到均匀的PEDOT : PSS分散液;选取聚苯胺原料,分...
  • 本发明公开了一种预制金锡焊料的TEC及其制备工艺,涉及热电制冷器技术领域。本发明通过在电镀金时分开图形化制作,将阻焊制作提前至镀金前,避免了后续激光扫金导致损伤氮化铝陶瓷基板,或者扫金不均匀导致金锡溢锡,在镀金前活化上做出相应表面处理,将本...
  • 本发明提供了基于碲化铋/激光诱导石墨烯的温差发电器件及制备方法。其中包括PI基底,在PI上利用CO2激光打印出的LIG层,在LIG上交替涂覆P型、N型碲化铋材料以及最后利用CO2激光对碲化铋材料进行二次烧蚀,再通过导电银胶连接每个热电模块,...
  • 本发明公开了一种水冷式及工作区域可调控的热电致冷器。解决了现有热电致冷器散热性能差,工作面区域无法调节的问题。热电致冷器包括上基板、下基板和热电组件,上基板划分为至少两个相邻的子基板,热电组件划分为若干热电单元,各热电单元分别对应子基板区域...
  • 本发明公开一种MEMS热电堆红外传感器及其制备方法。包括衬底,第一支撑膜,第二支撑膜,热电堆层,介质层,反射层和钝化层。热电堆层由多个双层热电偶对彼此串联而成,双层热电偶对包含第一热电偶P型多晶硅,氧化硅绝缘层和第二热电偶金属Al,且热端聚...
  • 本发明提出了一种基于N型PbSe晶体的新型热电发电材料及其制备方法,所述材料的化学式为PbxAg1+ySb1‑ySex+2,其中,10≤x≤60, 0.075≤y≤0.15;材料ZT值在室温下不低于0.4,在高温下不低于0.9,室温至800...
  • 本发明属于柔性电极材料技术领域,具体涉及一种复合界面电极及其制备方法和应用。本发明采用与柔性基体相同或相容的离子聚合物材料,以在柔性基体形成一层粘结层;然后将电极分散液涂覆于粘结层上,利用电极分散液中的分散剂对已固化的粘结层表面进行可控的部...
  • 本申请公开了一种柔性压电纤维复合材料感驱协同器件,涉及压电功能材料领域,该器件包括第一封装膜、第二封装膜及压电纤维复合材料层;第一封装膜及第二封装膜分别设置有上电极和下电极;压电纤维复合材料层沿长度方向分为驱动区和感知区;驱动区内的纤维沿长...
  • 本发明公开了一种具有仿生纹理的压电膜及其制备方法与应用,该压电膜由具有核壳结构的纤维定向堆叠沉积形成,具有仿人体皮肤表层纹理的沟壑‑凸起交替的仿生形貌,且压电膜的孔径由贴附面沿着厚度方向逐渐增大;其中,所述具有核壳结构的纤维包括:核层,具有...
  • 本发明公开了一种基于TiAl合金过渡层的石英谐振力传感器界面强化结构及制备方法,该结构包括Fe基基底、TiAl合金过渡层、环氧树脂封装层和石英谐振片;TiAl合金过渡层沉积于Fe基基底表面,环氧树脂封装层包覆TiAl过渡层并将石英谐振片封装...
  • 本发明涉及一种转换元件和振动传感器,所述转换元件(2)用于在机械振动和电信号之间转换。存在呈堆叠布置的各种压电元件(3)和作为导线的连接器(4)。相邻的压电元件(3)之间的凹槽(6)位于该堆叠的外侧(5)处。所述连接器(4)位于填充有导电填...
  • 本申请案涉及半导体衬底上具有压电膜的装置。一种设备包含裸片(101)、接合层(108)及膜(110)。所述裸片(101)包含半导体衬底(102)、位于所述半导体衬底(102)上的金属化结构(104)及围绕所述金属化结构的至少一部分的介电材料...
  • 本发明提供一种晶圆级射频集成电路结构及其制备方法,通过在同一片晶圆上同时集成声波滤波器件与其他功能器件,实现射频前端模组的小型化,极大地提高了芯片的面积利用率,满足移动终端对器件尺寸要求,通过芯片内部的金属互连线实现不同器件之间的电学连接,...
  • 本发明公开了一种二维反铁磁材料及其制备方法和应用,该方法包括:采用Mn、Te单质粉末,以I2为运输剂,在真空密封条件下通过真空化学气相传输法合成块状MnTe前驱体;将研磨后的MnTe前驱体与In单质粉末以及助熔剂KCl粉末混合,在恒定法向压...
  • 本发明公开了一种电操控垂直磁矩翻转方法,该方法利用轨道霍尔效应材料与基片低对称性晶面的耦合,实现轨道电子学器件面外轨道流的产生,进而通过强自旋轨道耦合材料转换成面外轨道转矩,并且在轨道层/强自旋轨道耦合层/磁性层结构中翻转磁性层的磁矩。所述...
  • 本发明公开了一种单轴各向异性磁阻器件及其制备方法和应用,其中器件包括基底、第一非磁金属电极、氧终端化的Cr 2C基MXene有源层以及第二非磁金属电极,第一非磁金属电极沉积于基底的绝缘层上,氧终端化的Cr 2C基MXene有源层沉积于第一非...
  • 本申请实施例提供一种磁阻元件及其制备方法,其中磁阻元件包括依次层叠设置的第一电极层、势垒层以及第二电极层;所述势垒层包括半导体或绝缘体材料;所述第一电极层和所述第二电极层包括交错磁材料;其中,所述交错磁材料包括RuO2、CrSb、RbV2T...
  • 本申请公开了一种自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器。该自旋轨道矩存储单元包括顺序层叠的磁性隧道结、轨道层和连接部,其中:轨道层的背离磁性隧道结的一侧表面为第一表面;连接部为间隔设置的两个,每个连接部具有在第一方向上部分落入第一表...
  • 本公开提供了一种构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法,该器件包括自旋量子比特单元和1个或多个SOT磁性结构单元;自旋量子比特单元能够形成平面型自旋量子比特;SOT磁性结构单元设置于自旋量子比特单元上,当施加可调电流脉冲至SOT磁性结构单元...
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