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  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其是涉及一种BC电池及其制备方法。本发明提供的一种BC电池,包括:N型硅衬底、正面钝化层、正面抗反射层、背面发射区、背面基区接触层、背面钝化层和背面电极;所述N型硅衬底包括相对的正面和背面;所述N型硅衬底的正面依次...
  • 本公开涉及一种TOPCon电池及其制备方法,该TOPCon电池在电池片的氧化铝钝化层上设置一层单线态裂变层,能够在吸收高能光子后产生高能单线态激子,并将高能单线态激子转化为两个三线态激子,能够提高电池片的短路电流,同时不造成热量损失,进而能...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件,涉及异质结电池技术领域。本发明提供的太阳能电池,在基底材料的边缘未覆盖透明导电薄膜的区域沉积氧化铝,并在形成的氧化铝层上继续沉积疏水性自组装膜层,实现对边缘的选择性钝化,制备铜栅线的过程中不...
  • 本发明属于碲化镉太阳能电池技术领域,具体涉及一种碲化镉太阳能电池。包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的透明导电氧化物层、窗口层、碲化镉吸收层、背接触层和背电极层,在窗口层与碲化镉吸收层之间设有硫硒化物钝化层,硫硒化物钝化层的材料的化学通式为M...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统,包括:硅基底;掺杂层,设于硅基底的至少一个表面;钝化层,设于掺杂层背离硅基底的一侧,包括通孔;种子层,种子层穿过通孔与掺杂层连接;钝化层包括存在金属元素掺杂的第...
  • 本发明提供一种基于COB的光电探测器封装结构及封装方法,应用于高精度高速光栅定位系统等微型光学系统。针对空间受限环境下光电器件耦合体积大、可靠性低、损耗高的问题,封装结构上通过第一固化胶层实现光电探测器与柔性电路板的电连接与机械粘接,外围第...
  • 本发明公开了一种具有双向陷光结构的柔性GaAs光伏器件及制备方法,属于太阳能电池技术领域。所述器件自上而下包括减反功能层、顶电极、光伏外延层、背电极及柔性衬底。所述减反功能层为掺杂高折射率纳米颗粒的光刻胶构成的柱状阵列,用于宽波段、广角度的...
  • 本公开涉及太阳能电池技术领域,公开了背接触太阳能电池和电池组件。电池包括具有受光面和背光面的电池基体,背光面包括交替排布的第一极性区和第二极性区,第一极性区和第二极性区之间具有隔离区,电池基体还包括:由第一极性区和/或第二极性区的表面朝向隔...
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层,所述位错调控层为周期性结...
  • 本公开提供了一种降低位错密度的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的缓冲层、位错阻挡层和外延层;所述位错阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层,所述第一子层包括GaN层,所述第二子层包括掺碳的G...
  • 本发明提供一种LED芯片及其制备方法,包括层叠在衬底上的发光层;高反射DBR层,层叠在发光层上;透明导电层,设置在发光层以及高反射DBR层上;金属电极,分别设置在发光层以及透明导电层上。本发明通过高反射DBR层与透明导电层的混合结构避免电流...
  • 本发明公开了一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构。该结构在第一多量子阱层与第二多量子阱层之间直接生长一层厚度为20nm至50nm的重掺杂硅空穴阻挡层。该阻挡层利用高浓度掺杂形成的势垒阻挡空穴注入第一多量子阱层,使其在器件工作时...
  • 本发明涉及半导体发光二极管的技术领域,公开了一种倒装背光LED芯片及其制备方法。倒装背光LED芯片包括衬底,以及于所述衬底上设置的外延层、电流阻挡层、透明导电层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和Pad层;其中,电流阻挡层包括...
  • 本申请提供一种发光二极管及发光装置,其中的半导体外延叠层中形成有台面结构及孔结构,台面结构的侧壁与半导体外延叠层的表面所在的平面之间具有第一夹角,以及孔结构的侧壁与半导体外延叠层的表面所在的平面之间具有第二夹角,并且第一夹角和第二夹角均介于...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:外延层、电流阻挡层、透明导电层和第一电极;电流阻挡层位于外延层的表面,透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层;第一透明导电子层包括台阶结构,台阶结构包括相...
  • 本申请提供一种发光二极管及发光装置,发光二极管中电极结构的上表面具有开口部,电极结构具有分界线位于所述开口部的底部区域内的第一部分及第二部分,第一部分和第二部分的最小距离及覆盖面积的设置,增加了第一部分在电极通孔的底部的覆盖性,保证电极结构...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括外延结构、背面绝缘层,外延结构配置有台面,台面形成于第一半导体层未覆盖有第二半导体层和发光层的表面区域;外延结构还具有第一侧壁,第一侧壁分别连接第一表面与第二表面...
  • 本申请提供一种改善良率的倒装LED芯片及其制备方法、发光器件,倒装LED芯片包括依次层叠设置的第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层、第一功能层和第二功能层,第一功能层具有第一开口,第二功能层具有第二开口,第二开口与第一开口对应设置,且...
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法、微型发光芯片。该半导体结构包括外延层,外延层包括至少两个平面排布的发光台面;第一反射层,设置于发光台面顶面的一侧,用于对外延层发射的光进行反射;其中,发光台面的顶面为外延层靠近半导体结构背光面的一侧;...
  • 本申请属于LED封装技术领域,具体涉及一种LED支架单元、LED灯珠及其制造方法。包括金属支架,所述金属支架包括用于承载LED灯珠的焊盘部,用于电路连接的引脚部,以及用于连接所述焊盘部和所述引脚部的支撑部,所述引脚部呈平面设置且作为用于表面...
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