Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法
    具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法_意法半导体国际公司_202511539274.2
    本公开涉及具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法。一种肖特基二极管，其包括具有有源区的衬底。沟槽延伸到衬底外延层中，沟槽的侧壁和底表面衬覆有绝缘层，每个沟槽的其余部分填充有多晶体硅(多晶硅)填充物。在相邻沟槽之间的位置处的外延层中注入...
    2026-04-30
  • 一种硅基材料的低压降芯片制作方法
    一种硅基材料的低压降芯片制作方法_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511917833.9
    本发明公开了一种硅基材料的低压降芯片制作方法，包括：S1、提供具有外延层的硅衬底；S2、在外延层的表面形成氧化层；S3、对氧化层进行光刻，而后硼扩散，在外延层中形成若干P+区；S4、对氧化层进行光刻，而后磷掺杂，在外延层中形成N+区；S5、...
    2026-04-30
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610061077.2
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括第一表面和第二表面；第一表面设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽包括第三子沟槽和第...
    2026-04-30
  • 自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511815163.X
    本申请公开了一种自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述自对准锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂集电区埋层，形成在衬底上；硅外延集电区和场区氧化硅层，分别形成在重掺杂集电区埋层上；锗硅外延基区，形成在硅外延集电...
    2026-04-30
  • 全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511820259.5
    本申请公开了一种全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，利用选择性腐蚀或者刻蚀使得硅外延发射区和硅外延集电区以及部分重掺杂硅集电区都相对于锗硅外延基区向内自对准缩进，使得...
    2026-04-30
  • 半导体器件、制备方法以及控制方法
    半导体器件、制备方法以及控制方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610045379.0
    本发明提供一种半导体器件、制备方法以及控制方法，所述制备方法包括：提供基底，基底内形成有体区层且包括多个器件单元区，每个器件单元区包括MOS晶体管区和双极晶体管区；形成第二MOS晶体管，包括在MOS晶体管区的体区层内形成掩埋掺杂区和沟槽式伪...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610133047.8
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括导电层，所述导电层具有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的浮动区，所述浮动区位于所述漂移区上方；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构贯穿部分所述导电层且底部位于所述浮动区内；可以抑制米勒效应，实现降低开关振荡...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411514876.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述鳍部的顶部和侧壁依次形成栅介质层和功能层，所述功能层的热膨胀系数小于所述栅介质层的热膨胀系数；在所...
    2026-04-30
  • 一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件
    一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202610047089.X
    本发明公开了一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件，属于半导体技术领域。本发明在漂移区的上表面沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行掺杂，以在所述漂移区的上表面形成多晶硅掺杂结构，通过形成多晶硅掺杂结构与漂移区的上表面直接接触，能够增大漂移区...
    2026-04-30
  • 一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法
    一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610102928.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步骤2：在制备...
    2026-04-30
  • 一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法
    一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610103097.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极的欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步...
    2026-04-30
  • 一种晶体管及其制造方法
    一种晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510480325.2
    本发明公开一种晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中制造栅布线结构时容易导致晶体管电学性能下降的问题。晶体管包括：半导体衬底，缓冲层设置在所述半导体衬底上，势垒层设置在所述缓冲层上；缓冲层和势垒层构成异质结构；源极和漏极沿...
    2026-04-30
  • 增强型的晶体管以及制作方法
    增强型的晶体管以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511797645.7
    本公开提供了一种增强型的晶体管以及制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括层叠的GaN沟道层和势垒层，所述势垒层包括至少一个单元结构，所述单元结构层叠设置，每个所述单元结构包括一个InAlGaN层和一个AlGaN层。本公开可以提高晶体管...
    2026-04-30
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511805333.6
    本公开公开了一种功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该功率器件，包括外延层、势垒层、第一介质层、源极、漏极和栅极；势垒层位于外延层的一侧；第一介质层位于势垒层背向外延层的一侧，第一介质层背向势垒层的一面具有介质沟槽；源极和漏极相互间隔...
    2026-04-30
  • 一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法
    一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202610123585.9
    本发明公开了一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。p沟道氮化镓晶体管包括：衬底；位于衬底的一侧的势垒层和p型氮化镓层；p型氮化镓层与势垒层形成空穴异质结结构；p型氮化镓层包括第一凹槽以及位于第一凹槽相对两侧的第一凸起和...
    2026-04-30
  • 一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法
    一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法_电子科技大学_202610151823.7
    本发明提出一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法，属于功率半导体技术领域。所述GaN HEMT器件包括衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属层、p‑GaN栅极帽层、漏极金属层、栅极金属层及阻性...
    2026-04-30
  • 高耐压的沟槽功率器件及其制备方法
    高耐压的沟槽功率器件及其制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610065007.4
    本发明涉及一种高耐压的沟槽功率器件及其制备方法。其包括半导体基板，包括第一导电类型外延层以及位于所述第一导电类型外延层上的第一导电类型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的沟槽元胞，其中，所述沟槽元胞包括设置于第一导电...
    2026-04-30
  • 一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺
    一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺_济南晶恒电子有限责任公司_202610121591.0
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺，包括漏极金属，漏极金属上方有N+型衬底漏极区，N+型衬底上方设置有N‑型外延层，N‑型外延层中交替分布有P型柱和N型柱，P型柱顶部设置有宽度收窄的收窄...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_杭州士兰微电子股份有限公司_202610129311.0
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用在半导体技术领域中。在本发明中，半导体器件包括第一外延层、设置在第一外延层内的第一掺杂类型的掺杂柱和第二掺杂类型的掺杂柱、第二外延层、设置在第二外延层内的体区、以及至少一层第三外延层。如此，通过在...
    2026-04-30
  • 双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品
    双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品_珠海格力电器股份有限公司_202511912188.1
    本申请提供了一种双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品，器件的第一欧姆接触电极位于外延结构第一表面位于第一栅极背离第二栅极的一侧；第一欧姆接触电极、第一水平场板和第一垂直场板形成半封闭且位于第一栅极背离第一表面的第一导电罩；第一垂直场...
    2026-04-30
首页 上一页 5 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证