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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 一种三苯胺-亚氨基二(乙基膦酸)及其制备方法
    一种三苯胺-亚氨基二(乙基膦酸)及其制备方法_江苏海洋大学_202610026074.5
    本发明以N, N‑二(取代或未取代的苯基)对苯二胺和乙烯基膦酸酯为主要原料，制得一种三苯胺‑亚氨基二(乙基‑2‑膦酸)，其化学名称为N‑(4‑(N, N‑双(取代或未取代的苯基)氨基)苯基)亚氨基二(乙基‑2‑膦酸)，具有光电磁刺激‑响应特...
    2026-04-22
  • 一种改善HRB400E螺纹钢表面锈蚀的生产方法
    一种改善HRB400E螺纹钢表面锈蚀的生产方法_宝武集团鄂城钢铁有限公司_202510239476.9
    本发明公开了一种改善HRB400E螺纹钢表面锈蚀的生产方法，包括下述步骤：(1)钢坯加热：钢坯在炉加热时间不低于60min，预热段温度≤900℃，加热段温度1130℃‑1190℃，均热段温度1110℃‑1170℃，均热时间30‑40min；...
    2026-04-22
  • 使用复合钎焊废料低碳环保生产3003ZNZR合金坯料的方法
    使用复合钎焊废料低碳环保生产3003ZNZR合金坯料的方法_洛阳龙鼎铝业有限公司_202610307882.9
    本发明属于铝合金生产技术领域，具体公开一种使用复合钎焊废料低碳环保生产3003ZNZR合金坯料的方法，大比例使用复合钎焊再生铝废料生产，通过优化合金成分和三连轧工艺，严格控制铸板轧制温度，实现三道次压延生产减薄坯料，降低后续加工成本，实现全...
    2026-04-22
  • 一种燃煤烟气脱硫剂、制备方法及脱硫方法
    一种燃煤烟气脱硫剂、制备方法及脱硫方法_西安文理学院_202310663634.4
    本发明属于烟气脱硫技术领域，具体涉及一种燃煤烟气脱硫剂、制备方法及脱硫方法，由以下质量百分比的原料制成：CaCO385‑90％、KMnO41％、KClO31％、NaCl4％、Fe2O30.5％、(CH3COO)2Ca1‑3％、粉煤灰2‑5....
    2026-04-22
  • 激光增材制造用镍基高温合金材料、合金构件及成形方法
    激光增材制造用镍基高温合金材料、合金构件及成形方法_华中科技大学_202411969887.5
    本申请属于金属增材制造技术领域，更具体地，涉及激光增材制造用镍基高温合金材料、合金构件及成形方法。本申请提供的激光增材制造用镍基高温合金材料，通过设计其元素成分种类及含量，进而调控成形构件的成形性能和微观组织结构，能够降低镍基高温合金材料在...
    2026-04-22
  • 一种含硼原子的咔唑衍生物及其应用
    一种含硼原子的咔唑衍生物及其应用_北京八亿时空液晶科技股份有限公司_202310075135.3
    本发明涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及一种含硼原子的咔唑衍生物及其应用。所述含硼原子的咔唑衍生物的结构式如式(I)所示；本发明提供的式(I)所示的咔唑衍生物，具有高的三线态能级，提高了材料热稳定性和输送载流子的能力；将该咔唑衍生物应用...
    2026-04-22
  • 一种轻质耐高温共晶高熵合金的增材制造方法
    一种轻质耐高温共晶高熵合金的增材制造方法_天津城建大学_202411434373.X
    本发明公开了一种轻质耐高温的共晶高熵合金的增材制造方法。其中，所述轻耐高温耐高应变的共晶高熵合金的化学成分表达式为(CoCr)100‑x‑y(NiV)x(AlTi)y，其中：x为30％、40％、50％、60％，y为20％、30％、40％、5...
    2026-04-22
  • P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
    P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件_甬江实验室_202511875271.6
    本申请公开了P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，属于碳化硅衬底制备技术领域。以P型碳化硅晶体为原料，采用物理气相传输法在4H‑SiC籽晶的硅面上生长P型碳化硅衬底，其中，P型碳化硅晶体的粒径≥5mm。P型碳化硅晶体的粒径较大，大颗粒能够...
    2026-04-22
  • 一株沙雷氏菌属的菌株及其应用
    一株沙雷氏菌属的菌株及其应用_中国石油化工股份有限公司_202411447361.0
    本发明涉及微生物和环保技术领域，公开了一株沙雷氏菌属的菌株及其应用，该菌株的保藏编号为GDMCC No：63826。本发明提供的所述菌株，可同时降解高浓度的MTBE和BTEX，且降解效果好；此外，该菌株在25～37℃、pH6.0～8.0条件...
    2026-04-22
  • 一种重质原料催化转化生产乙烯和丙烯的方法
    一种重质原料催化转化生产乙烯和丙烯的方法_中国石油天然气股份有限公司_202411445789.1
    本发明提供了一种重质原料催化转化生产乙烯和丙烯的方法，通过向提升管第I反应区引入含有Y型分子筛、改性MSE结构分子筛和改性ZSM‑5分子筛的催化剂A与重质原料进行反应，分离得到的C4～C12非芳烃组分进入流化床反应器与经过预热、含有改性MS...
    2026-04-22
  • 一种芳胺化合物及其有机电致发光器件
    一种芳胺化合物及其有机电致发光器件_长春海谱润斯科技股份有限公司_202311108427.9
    本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种芳胺化合物及其有机电致发光器件。本发明提供的芳胺化合物具备恰当的空穴迁移率、HOMO和T1值，作为空穴传输材料应用于OLED器件时，能够使器件的电荷传输效率更加适合，有效降低驱动电压，提高发光效率...
    2026-04-22
  • 一种高原冻土环境用400MPa级低碳Cr-Cu-Sb-As系高耐蚀钢及其制备方法
    一种高原冻土环境用400MPa级低碳Cr-Cu-Sb-As系高耐蚀钢及其制备方法_钢铁研究总院有限公司_202511927025.0
    本发明涉及一种高原冻土环境用400MPa级低碳Cr‑Cu‑Sb‑As系高耐蚀钢及其制备方法，属于高原冻土环境用钢技术领域。高耐蚀钢的化学成分包括C≤0.15wt.％，Cr：0.5～1.0wt.％，Cu：0.1～0.3wt.％，Sb：0.05...
    2026-04-22
  • 具有存储器和共享写入端口的集成电路
    具有存储器和共享写入端口的集成电路_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480060245.5
    提供了半导体封装件，半导体封装件包括存储器晶片和应用晶片，存储器晶片和应用晶片被键合在一起，以创建用于数据处理和存储器存储的系统。存储器晶片托管多个模块组，每个模块组具有若干模块、共享写入端口和独立读取端口，以允许并发读取操作。操作性地与存...
    2026-04-22
  • 晶圆边缘保护膜形成用组成物、晶圆边缘保护膜形成方法、及图案形成方法
    晶圆边缘保护膜形成用组成物、晶圆边缘保护膜形成方法、及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202511457881.4
    本发明涉及晶圆边缘保护膜形成用组成物、晶圆边缘保护膜形成方法、及图案形成方法。本发明的课题为提供能提供可展现优良的干蚀刻耐性，而且即使在难以被覆的晶圆边缘上仍可展现优良的均匀涂布性的晶圆边缘保护膜的晶圆边缘保护膜形成用组成物。该课题的解决手...
    2026-04-22
  • 玻璃芯基板的制作方法
    玻璃芯基板的制作方法_江苏长电科技股份有限公司_202511864514.6
    本发明提供一种玻璃芯基板的制作方法，先制作玻璃芯材料板，在玻璃芯材料板的切割道区域，在玻璃芯层上表面以及上增层结构之间设置上临时键合层，使得上增层结构不与玻璃芯层接触，在玻璃芯层下表面以及下增层结构之间设置下临时键合层，使得下增层结构不与玻...
    2026-04-22
  • 铁电存储器及其制备方法、电子设备
    铁电存储器及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411435832.6
    本申请实施例提供了一种铁电存储器及其制备方法、电子设备。其中，该铁电存储器包括第一电极层，铁电存储层和第二电极层，铁电存储层设置在第一电极层和第二电极层之间；铁电存储层包括层叠设置的铁电材料层、第一空穴插层和第一绝缘层，第一空穴插层设置在铁...
    2026-04-22
  • 液态模锻用铝合金、其制备方法及液态模锻工件制造应用
    液态模锻用铝合金、其制备方法及液态模锻工件制造应用_广东冠中盈新材料技术有限公司_202610099288.5
    本发明涉及铝合金材料与铸造技术领域，提供一种液态模锻用铝合金、其制备方法及液态模锻工件制造应用，其中，一种液态模锻用铝合金，以质量百分数计包括：Si：6.0%～10.0%，Mg：0.3%～1.0%，Mn：0.05%～0.8%，Cr：0.05...
    2026-04-22
  • 陶瓷基板用黑色色料及其制备方法和应用
    陶瓷基板用黑色色料及其制备方法和应用_北方民族大学_202410465801.9
    一种陶瓷基板用黑色色料及其制备方法和应用，属于陶瓷基板技术领域，所述陶瓷基板用黑色色料包括以下摩尔质量份数的原料：1～3份V2O5、3～5份Al2O3、1～3份Sm2O3、0.5～4份Y2O3、0.5～4份Cr2O3、0.5～4份Fe2O3...
    2026-04-22
  • 一种双联菲啰啉取代化合物及其应用
    一种双联菲啰啉取代化合物及其应用_烟台显华科技集团股份有限公司_202210714110.9
    本申请提供了一种化合物，其具有式(I)所示的结构，该化合物具有邻位双取代吡啶片段的母体结构，具备较大的共轭平面，原子间的键能高，其用作电子传输材料和/或电荷产生材料时，与相邻层级间具有合适的能级水平，有利于电子的注入和迁移，能够有效降低驱动...
    2026-04-22
  • 存储器阵列测试结构及其形成方法
    存储器阵列测试结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202210296897.1
    本公开涉及存储器阵列测试结构及其形成方法。公开了用于3D存储器阵列的测试结构及其形成方法。在一个实施例中，存储器阵列包括：第一字线，位于半导体衬底之上并且在第一方向上延伸；第二字线，位于第一字线之上并且在第一方向上延伸；存储器膜，接触第一字...
    2026-04-22
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