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最新专利技术
  • 一种基于特征靶向的光刻对准补偿系统及方法
    一种基于特征靶向的光刻对准补偿系统及方法_常乐_202610354453.7
    本发明涉及半导体制造、光刻对准及特征识别技术领域，具体公开一种基于特征靶向的光刻对准补偿系统及方法。以晶圆表面已曝光图形为唯一靶向基准，采用与光刻光路同轴的内置式视觉成像结构，结合亚像素级特征提取与动态基准实时更新机制，解算晶圆动态变形量并...
    2026-05-07
  • 一种去除掩膜药水、低浓度碱性水溶液及去除掩膜方法
    一种去除掩膜药水、低浓度碱性水溶液及去除掩膜方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202512052544.3
    本发明公开了一种去除掩膜药水、低浓度碱性水溶液及去除掩膜方法。所述去除掩膜药水，包括下列质量百分比的原料：碱性活化剂5%~15%、溶胀剂0.5%~4%，表面活性剂0.3%~0.8%、络合稳定剂0.05%~0.3%，余量为超纯水。采用本发明提...
    2026-05-07
  • 光刻胶去除方法及设备、控制方法、控制电路
    光刻胶去除方法及设备、控制方法、控制电路_北京集成电路装备创新中心有限公司_202512013599.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，一种光刻胶去除方法及设备、控制方法、控制电路。其中，去除方法包括：将待处理晶圆设置在光刻胶去除腔室内的加热盘上方；待处理晶圆已经过离子注入工艺；控制待处理晶圆升降，直至待处理晶圆的温度达到第一温度为止，进...
    2026-05-07
  • 一种光刻的掩膜工艺窗口分析方法及系统
    一种光刻的掩膜工艺窗口分析方法及系统_弈芯科技(杭州)有限公司_202610421276.X
    本发明公开了一种光刻的掩膜工艺窗口分析方法及系统，属于光刻工艺技术领域，方法包括：采集曝光过程参数、光刻图形参数、窗口评价参数、辅助参数，以构建曝光分析向量；选取历史曝光分析向量，形成历史向量集，构建敏感度矩阵；通过在线检测构建实时特征向量...
    2026-05-07
  • 光刻缺陷种子物理约束识别方法及系统
    光刻缺陷种子物理约束识别方法及系统_南通诺瞳奕目医疗科技有限公司_202610417088.X
    本发明提供了一种光刻缺陷种子物理约束识别方法及系统，接收光刻胶表面拓扑偏差场原始数据并空间归一化，计算x、y方向一阶导数梯度；基于光刻胶散射模型，结合梯度幅值与散射角θ标记噪声区域，生成噪声标记数据；整合归一化偏差场、x/y梯度及噪声标记为...
    2026-05-07
  • 一种用于光电子器件制造的曝光载台
    一种用于光电子器件制造的曝光载台_珠海市信科自动化设备有限公司_202610331055.3
    本发明公开了一种用于光电子器件制造的曝光载台，属于电子器件制造领域，解决了现有设备无法自动翻转、角度调节不便、工件吸附不牢、自动化程度低的问题，包括底座、转盘、支架、升降架、翻转台与台板等结构。底座内转盘可转动，支架上的升降架通过丝杆、齿轮...
    2026-05-07
  • 用于提高套刻精度的定位标记、其制备方法及套刻方法
    用于提高套刻精度的定位标记、其制备方法及套刻方法_杭州云栖极耀科技有限公司_202610223623.8
    本发明涉及用于提高套刻精度的定位标记、其制备方法及套刻方法，包括：多个标记单元，设置于基底上，用于在套刻工艺中进行图像采集与坐标提取；其中，所述多个标记单元按照预设图案排布在所述基底上，用于通过图像处理获取各标记单元的中心坐标，并基于所述中...
    2026-05-07
  • 光刻套刻标识
    光刻套刻标识_上海华力集成电路制造有限公司_202610213760.3
    本发明公开了一种光刻套刻标识，包括：当层标识图形和前层标识图形。前层标识图形由多个不同前层光刻层的前层部分标识图形组成，一层前层部分标识图形和一个前层光刻层相对应。当层标识图形、各层前层部分标识图形的中心点都保持一致。当层标识图形和各层前层...
    2026-05-07
  • 一种晶圆自动寻边对中多角度曝光装置及方法
    一种晶圆自动寻边对中多角度曝光装置及方法_芯米(厦门)半导体设备有限公司_202610207997.0
    本发明公开了一种晶圆自动寻边对中多角度曝光装置及方法，该装置包括曝光腔体以及设于曝光腔体内的曝光单元和寻边单元，还包括：升降机构，正对曝光单元并间隔设置，包括升降驱动模组和设于升降驱动模组顶端的升降承载件；平移旋转机构，包括平移模组和滑动设...
    2026-05-07
  • 全自动柔版热敏制版一体机的工作方法
    全自动柔版热敏制版一体机的工作方法_科茂机械(广东)有限公司_202610137059.8
    本发明提供全自动柔版热敏制版一体机的工作方法，包括以下步骤：履带式遮挡件转动至支撑平台上并覆盖支撑平台上侧，然后通过位于机架内部两侧的输送组件带动柔版从机架的开口处进入支撑平台；输送组件带动柔版的一端抵达位于支撑平台与滚筒之间的挡板时，使柔...
    2026-05-07
  • 纳米周期超结构的制备装置及方法
    纳米周期超结构的制备装置及方法_中国科学院上海高等研究院_202610104651.8
    本发明涉及一种纳米周期超结构的制备装置及方法，装置包括同步辐射EUV光源、快门、真空腔、光栅和样品台，所述同步辐射EUV光源用于发出同步辐射EUV光，所述真空腔用于提供真空环境，所述光栅和所述样品台设于所述真空腔内，所述快门设于所述真空腔外...
    2026-05-07
  • 掩模仿真图像的灰度量化方法及相关产品
    掩模仿真图像的灰度量化方法及相关产品_深圳晶源信息技术有限公司_202610099989.9
    本发明提供了一种掩模仿真图像的灰度量化方法及相关产品。灰度量化方法包括对目标掩模进行仿真，获取仿真空间图像；获取图像采集设备采集的目标掩模的实测空间图像；使用图像采集设备的光电响应模型，将实测空间图像的实测像素值还原成入射光强值；获取仿真空...
    2026-05-07
  • 一种用于瓦楞纸板预印的柔版CTP网点线性化曝光控制方法
    一种用于瓦楞纸板预印的柔版CTP网点线性化曝光控制方法_西安雄峰印刷包装有限公司_202512021492.3
    本发明公开了一种用于瓦楞纸板预印的柔版CTP网点线性化曝光控制方法，涉及柔版CTP印刷技术领域，包括，对瓦楞纸板的表面微结构进行扫描，并实时监测瓦楞纸板的湿度变化，获取纸板微结构数据和瓦楞纸板湿度数据；将纸板微结构数据和瓦楞纸板湿度数据结合...
    2026-05-07
  • 晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质
    晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质_苏州镁伽科技有限公司_202511966145.1
    本发明实施例提供了一种晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质。晶圆的量测点的确定方法包括确定目标晶圆的工艺参数数据；将目标晶圆的工艺参数数据输入量测点预测模型，以获得目标晶圆的多个目标量测点的位置信息，其中，量测点预测模型利用训练数据进...
    2026-05-07
  • 一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统
    一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统_北京理工大学_202511864262.7
    本发明公开了一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统，涉及计算光刻领域，解决现有基于深度学习的光刻胶快速仿真模型存在的理论缺陷，能够根据输入的光刻空间像预测具有不同显影时间的光刻胶显影后轮廓。其方案为：根据实际使用场景设置相关参数，建...
    2026-05-07
  • 一种套刻图形的量测方法
    一种套刻图形的量测方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411553858.0
    本申请涉及一种套刻图形的量测方法，所述方法包括：在硅片上形成套刻图形的主要图案；在所述硅片上形成套刻图形的辅助图案，其中所述辅助图案和所述主要图案位于所述硅片的不同区域且所述辅助图案的高度低于所述主要图案的高度；获取所述主要图案的第一高度以...
    2026-05-07
  • 一种套刻量测装置及套刻设备
    一种套刻量测装置及套刻设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411546656.3
    本申请公开了一种套刻量测装置及套刻设备，属于光刻技术领域，该装置包括：光源系统和光学测量系统；光学量测系统包括衍射阶数分束系统和探测器系统；光源系统用于产生入射光，并将入射光传输至套刻标记，使入射光被套刻标记反射形成衍射光；衍射阶数分束系统...
    2026-05-07
  • 一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法
    一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411546642.1
    本申请公开了一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法，属于光学照明技术领域，该装置包括：微透射镜阵列单元和透光率调控组件；微透射镜阵列单元包括多个透射镜；透光率调控组件用于控制各个透射镜的透光率，以使光经过微透射镜阵列单元传输后，在光瞳面上形...
    2026-05-07
  • 杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版
    杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202411536754.9
    本发明提供一种杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版，掩膜板包含有多组测试图形，不同组测试图形中的第一图形和/或第二图形的宽度不同，通过将掩膜版上的测试图形转移至晶圆上，晶圆上不同组测试图形中的杂散光分布不同，以获取杂散光的变化引起的晶圆上...
    2026-05-07
  • 一种光刻工艺热点的预测及修正方法
    一种光刻工艺热点的预测及修正方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411525045.0
    本发明提供一种光刻工艺热点的预测及修正方法，包括：将版图导入初版程式中；调整初版程式的规格以获取多个初始光刻工艺热点图形；以光刻工艺热点的几何中心为中心，以预设尺寸在初始光刻工艺热点图形中选取区域作为光刻工艺热点区域，沿加剧光刻工艺热点的方...
    2026-05-07
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