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最新专利技术
  • 包括具有带有竖直壁的过孔互连件的基板的封装件
    包括具有带有竖直壁的过孔互连件的基板的封装件_高通股份有限公司_202480058366.6
    一种基板，该基板包括：至少一个电介质层；和多个互连件，该多个互连件至少部分地位于至少一个电介质层中，其中该多个互连件包括多个过孔互连件，并且其中该多个过孔互连件包括第一过孔互连件，该第一过孔互连件包括大致竖直的第一过孔壁。
    2026-04-18
  • 具有耦合到管芯的两侧的单构件导电引线的半导体设备、用于形成半导体设备的方法和包含半导体设备的系统
    具有耦合到管芯的两侧的单构件导电引线的半导体设备、用于形成半导体设备的方法和包含半导体设备的系统_硅尼克斯公司_202380099116.2
    一种半导体设备包括：壳体；管芯，该管芯设置在壳体中并且具有第一表面和第二表面；第一单构件导电引线，该第一单构件导电引线电耦合到第一表面并且延伸穿过壳体；以及第二单构件导电引线，该第二单构件导电引线电耦合到第二表面并且延伸穿过壳体。与现有的半...
    2026-04-18
  • 将半导体元件键合至基板的方法
    将半导体元件键合至基板的方法_库利克和索夫工业公司_202480058673.4
    提供一种将半导体元件键合至基板的方法。所述方法包含以下步骤：(a)在与所述基板分离的位置处提供所述半导体元件，所述半导体元件包含多个传导结构，所述传导结构中的每一个包含接触部分；(b)在所述位置处加热所述半导体元件，使得所述接触部分处于熔化...
    2026-04-18
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_中央硝子株式会社_202480059193.X
    本发明提供了一种能够抑制半导体芯片等被接合部件的位置偏移的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其包括：干燥膜形成工序，将形成于被接合部件A上的含金属和/或金属氧化物糊干燥，形成储能模量为15GPa以下的干燥膜；以及临时...
    2026-04-18
  • 具有隔离式裸片的封装
    具有隔离式裸片的封装_德州仪器公司_202480058879.7
    一种晶片芯片尺寸封装(WCSP)(104)包括：第一裸片(200)和第二裸片(202)，其处于不同电压域中；及隔离材料(204)，其位于所述第一裸片与所述第二裸片之间且接触所述第一裸片和所述第二裸片中的每一个的多个表面。所述封装还包括接触所...
    2026-04-18
  • 布线结构体以及电子模块
    布线结构体以及电子模块_京瓷株式会社_202480059065.5
    布线结构体具有第一布线基板、第二布线基板和将第一布线基板与第二布线基板连接的第一连接构件。第一布线基板具有第一构件、第二构件和第一导体部。第二布线基板具有第一绝缘层和第二导体部。第一绝缘层具有第一面和第二面。第一构件具有第一顶面和第一侧面。...
    2026-04-18
  • 配置有附加功能的功率封装
    配置有附加功能的功率封装_沃孚半导体公司_202480056127.7
    一种器件，包括功率衬底以及在功率衬底上的第一功率器件。壳体具有壳体侧部，该壳体侧部至少包括第一壳体侧部和第二壳体侧部，壳体被配置为至少容纳功率衬底和第一功率器件。多个功率端子从壳体侧部中的至少一个延伸。多个功率端子至少包括第一功率端子和第二...
    2026-04-18
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004589.9
    提供一种抑制了焊料过度润湿扩展的半导体装置。半导体装置具备：绝缘电路基板(1)，其具有绝缘基板(11)、以及在绝缘基板(11)的上表面相互分离地设置的上侧导体层(12a)和上侧导体层(12b)；半导体芯片(3)，其经由焊料搭载于上侧导体层(...
    2026-04-18
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