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一种氮化镓器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。该氮化镓器件包括从下至上依次层叠的蓝宝石衬底、AlN成核层、N型AlGaN缓冲层、本征AlGaN活性层、电子阻挡层、P型AlGaN层,在P型AlGaN层的边缘设置梯度掺杂边缘终...
一种感光芯片封装结构及其制备方法
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种感光芯片封装结构及其制备方法。所述感光芯片封装结构通过将感光芯片结构的感光区域与对应的光通道载板相对堆叠设置,使得外部光线从所述光通道载板的外侧端面进入所述光通道载板,并传输至所述感光芯片结构,所...
一种封装结构和相应的制备方法
本发明涉及半导体封装领域,提供了一种封装结构和相应的制备方法,包括:基板;位于所述基板表面的堆叠结构;位于所述基板表面且覆盖所述堆叠结构的塑封体;其中,所述堆叠结构包括叠加的感光芯片和对应的透光电连接板,所述感光芯片和所述透光电连接板光连接...
一种封装结构和相应的制备方法
本发明涉及半导体封装领域,提供了一种封装结构和相应的制备方法,包括:基板;位于所述基板表面的堆叠结构;位于所述基板表面且覆盖所述堆叠结构的塑封体;其中,所述堆叠结构包括堆叠的感光芯片和对应的透光片,且所述透光片的至少一个侧面暴露于所述塑封体...
一种传感器及传感器的封装方法
本申请涉及传感器技术领域,特别是涉及一种传感器及传感器的封装方法,传感器包括电路板、芯片和透光板,电路板的上端具有容纳槽;芯片设置在容纳槽内,芯片的表面具有检测区和接电区,检测区设置于芯片的上端中部,接电区与检测区间隔布置;透光板连接于电路...
适用于可见-近红外波段的多波段吸收器和光电探测器
本发明涉及红外光、可见光的强度、光谱含量的测量,具体涉及到一种适用于可见‑近红外波段的多波段吸收器和一种光电探测器,其中的吸收器包括依次堆叠的基底层、过渡金属氮化物层、半导体层和分布式布拉格反射镜。本发明可实现可见‑近红外多波段高效吸收,每...
叠层光伏器件及生产方法
本发明提供叠层光伏器件及生产方法,涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括:上层电池单元、下层电池单元、绝缘层,以及中间串联结构;所述上层电池单元为薄膜太阳电池;所述下层电池单元具有相对设置的向光面和背光面,以及连接所述向光面和所述背光面的侧面;...
一种电池片及光伏组件
本申请公开了一种电池片及光伏组件,电池片包括基底,基底的表面设有N型掺杂层、P型掺杂层及设于N型掺杂层和P型掺杂层之间的隔离区;N型掺杂层和P型掺杂层呈叉指状排布,N型掺杂层和P型掺杂层均包括主体部和指状部,主体部沿第一方向延伸,指状部设于...
金半接触结构、太阳电池、光伏组件
本申请涉及太阳电池领域,公开一种金半接触结构、太阳电池、光伏组件。所述金半接触结构包括:掺杂硅层;金属电极,所述金属电极与所述掺杂硅层之间通过若干导电结构电连接;其中,所述掺杂硅层与所述金属电极的接触界面包括第一接触区域以及第二接触区域,所...
一种空间用硅太阳电池及太阳电池阵
本发明涉及太阳电池制造技术领域,尤其涉及一种空间用硅太阳电池及太阳电池阵,包括:硅基太阳电池片和金属化互连电极;所述金属化互连电极在所述硅基太阳电池片的正面和背面对称设置,每个面上设置有若干个金属化互连电极,金属化互连电极的截面呈梯形;截面...
具有复合背反射结构的高效晶硅太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种具有复合背反射结构的高效晶硅太阳能电池及其制备方法,包括硅基体,以及依次形成于硅基体背面的钝化层、背反射介质层和金属电极。其中,所述金属电极为一种复合电极结构,包括基础导电栅线和高反射覆盖层。本发...
一种背接触电池片及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件
本申请涉及光伏组件技术领域,具体涉及一种背接触电池片及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件。背接触电池片包括硅基底,硅基底的背面设置有主栅,主栅上间隔设置有多个焊盘。硅基底的背面还包括掺杂区,主栅位于掺杂区的投影范围内。硅基底还设置有细栅,...
太阳能电池和光伏组件
本申请提供了一种太阳能电池和光伏组件,该太阳能电池包括:电池片,包括透明导电层;多个副栅线,位于透明导电层上,多个副栅线沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布,第一方向与第二方向相交;多个焊丝,位于多个副栅线远离透明导电层的一侧,多个焊丝沿第二...
太阳能电池及其制备方法和光伏组件
本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。电池包括电池本体以及形成在电池本体上的电极结构;电极结构包括主体部,以及分散于主体部的若干导电颗粒,导电颗粒的部分表面凸出于主体部的表面。连续的主体部不仅可有效屏蔽水汽等杂质对电池的侵蚀,还...
一种电池片及光伏组件
本申请公开了一种电池片及光伏组件,电池片包括基底,基底的表面设有两种相反导电类型的掺杂层,在两种掺杂层之间设有隔离区;掺杂层包括沿第一方向延伸的主体部和设于主体部沿第二方向的至少一侧的指状部;沿第二方向靠近基底第一边缘的主体部为第一主体部,...
一种太阳能电池以及光伏组件
本发明涉及一种太阳能电池以及光伏组件,该太阳能电池中,太阳能电池包括硅基底、第一半导体层、第二半导体层、第一导电层和第二导电层;第一半导体层背离硅基底的一面设置有第一导电层;至少部分第一导电层包括交替的非晶导电层和微晶导电层;第二半导体层背...
电池电极印刷方法、背接触电池及光伏组件
本发明涉及太阳能电池技术领域,提供一种电池电极印刷方法、背接触(Back Contact)电池及光伏组件。该方法包括:网版不变,先印刷N型副栅与P型副栅,最后印刷主栅,主栅印刷为三道工序叠加印刷主栅的顺序,在电池背面形成复合电极结构。本发明...
一种可见-近红外宽光谱半导体透明电极及其制备方法
本发明属于半导体薄膜技术领域,涉及一种可见‑近红外宽光谱半导体透明电极及其制备方法。可见‑近红外宽光谱半导体透明电极包括:包括基片和形成在其上的氧化铟锡薄膜,氧化铟锡薄膜包含In、O、Sn三种元素,薄膜结构为玻璃态氧化铟锡镶嵌In2O3和S...
低成本金属衬底薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法
本发明涉及低成本金属衬底薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法,太阳电池从顶到底依次包括:减反射膜与上金属电极;倒装生长的砷化镓外延层;蒸镀金属钛层;蒸镀金属铬层;蒸镀金属镍层;电镀金属镍或镍合金层。制备方法包括倒装外延生长、应力平衡金属过度层蒸镀...
背接触太阳能电池、组件、系统及方法
本申请适用于光伏技术领域,提供了一种背接触太阳能电池、组件、系统及方法,包括:硅衬底;设置于所述硅衬底背面的掺杂区域;所述掺杂区域包括层叠设置的第一介电层和第一掺杂层,所述掺杂区域包括第一子区域以及第二子区域;本申请通过将掺杂区域分为第一子...
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