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  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种背接触太阳能电池、组件、系统及方法,包括:硅衬底;设置于所述硅衬底背面的掺杂区域;所述掺杂区域包括层叠设置的第一介电层和第一掺杂层,所述掺杂区域包括第一子区域以及第二子区域;本申请通过将掺杂区域分为第一子...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池结构、分片、整片、电池组件及光伏系统。电池结构包括:基底,基底沿第一方向的两侧分别设有第一边缘及第二边缘;汇流单元,包括沿第一方向依次排布的第一汇流单元、第三汇流单元及第二汇流单元;第一汇...
  • 本申请公开了异质结电池及其制备方法。制备方法包括准备半导体衬底层;在半导体衬底层相对的两面分别制备本征非晶硅层;在本征非晶硅层沉积掺杂层;在掺杂层上制作透明导电层。在本征非晶硅层制备掺杂层包括:在至少一面本征非晶硅层上沉积收集层;在收集层上...
  • 本申请涉及一种电池片栅线转印装置及方法。装置包括放卷组件与收卷组件,用于图案化转印膜的输送;视觉检测组件,用于获取膜与电池片的位置信息;贴覆承载平台,其载台用于承载电池片并由第一移动部件驱动,实现水平移动及垂直于膜面的移动,以完成对位与贴合...
  • 本发明涉及一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法,属于探测器制备技术领域,通过等离子体处理通过高活性粒子活化蓝宝石衬底,引入羟基活性位点,为超宽禁带Ga2O3薄膜的异质外延生长奠定洁净界面基础,确保Ga2O3对紫外光的特异性吸收能...
  • 本发明提供了一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池。该方法包括:在氢等离子体环境中采用磁控溅射法制备铜铟镓硒前驱体,随后在其表面沉积一层铜铟镓硫薄膜,最后高温退火制备CIGSe梯度吸收层。该方法利用表面铜铟镓硫作为盖层延迟结晶并促进晶粒横...
  • 本发明公开了一种TBC太阳能电池制备方法,步骤如下:碱抛;依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层;硼扩转化为P型多晶硅;激光图形化为沉积N区做准备;酸洗并碱抛;再次依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层;磷扩转化为N型多晶硅;正面去PS...
  • 本发明公开了一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法,步骤为:S1、碱制绒处理形成正金字塔绒面;S2、硼扩散形成硼扩散层;S3、背面去硼硅玻璃;S4、基底抛光;S5、背面依序沉积二氧化硅隧穿氧化层、磷掺杂非晶...
  • 本发明属于电子材料技术领域,具体为一种用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法。本发明所述的制备方法包括隧穿氧化层钝化接触电池清洗、激光开槽、酸性氧化液反向电镀、碱性氧化液反向电镀、淋洗、电镀高熵合金电极以及真空退火;高熵合金电极...
  • 本申请公开一种TBC电池及其制备方法,通过在硅片背面依次构建硼掺杂与磷掺杂的载流子选择性接触区域,并结合隧穿氧化层与多晶/非晶硅薄膜的协同作用,有效实现了对少数载流子的高效阻挡与多数载流子的选择性传输,显著抑制了界面复合损失,从而大幅提升电...
  • 本申请公开一种低压刻蚀背接触电池及其制备方法,通过引入低压环境下的两次选择性刻蚀工艺,结合精准的薄膜沉积与掺杂顺序设计,从源头抑制了底切缺陷的形成,同时兼顾了表面钝化质量与载流子选择性传输性能,从而在提高TBC电池光电转换效率的同时,显著提...
  • 本申请公开一种重掺杂背接触电池及其制备方法,通过沉积含硼或磷的掺杂掩膜并结合激光选择性掺杂,精准控制掺杂位置与浓度,避免传统高温扩散中掺杂原子挥发、横向扩散及污染问题,确保掺杂分布的一致性与重复性。该方法可实现精细图案化,工艺适配性强,且无...
  • 本发明公开了一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法,以硅作为衬底层,在硅衬底上下双面采用化学气相沉积技术生长Si3N4钝化层,利用匀胶机在一面的Si3N4钝化层上旋涂负性光刻胶层,对负性光刻胶层进行曝光显影,在另一面重复上述步骤,正反两面光...
  • 本发明涉及一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途,所述制备方法包括以下步骤:(1)采用具有预设图案的光刻掩膜,在基底上刻蚀,形成具有预设图案的微柱模板;(2)对所述微柱模板上未被掩膜覆盖的侧壁进行疏液修饰,去除掩膜,得到非对称浸润...
  • 本发明涉及光伏技术领域,公开了一种背接触电池及其制备方法。该制备方法包括:在硅片背面的P、N区分别制备P、N型多晶硅来制得PN结;对硅片背面进行激光图形化,以选择性减薄P、N区的非金属电极区域的P、N型多晶硅;对硅片的正背面进行镀膜后,在背...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,至少可以提升太阳能电池的性能。太阳能电池的制备方法包括:提供基底,基底具有相对的第一侧和第二侧,基底包括彼此分立的第一区和第二区,第一侧具有掺杂半导体层和掺杂源层;对第一区进行n...
  • 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列制备方法,其特点是以绝缘体上铌酸锂为集成平台,利用其低损耗光学波导作为光传输载体,结合钙钛矿材料的高光吸收特性与低暗电流优势,实现高性能片上光电探测功能,该探测器单元由铌酸锂脊形波导...
  • 本发明提供一种氧化镓弧光监测器的制备方法,属于光电探测技术领域,包括以下步骤:采用磁控溅射法,在清洗后的硅衬底表面依次沉积氧化镓低氧层和氧化镓薄膜;对氧化镓薄膜依次进行清洗、旋涂光刻胶和烘干,然后将叉指电极的掩膜版贴于薄膜表面并用光刻机曝光...
  • 本发明公开了一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用,属于半导体材料技术领域,其中,肖特基耦合同质结半导体材料的制备方法包括以下步骤:利用水热法合成CdS纳米棒,然后通过水热法在CdS纳米棒上原位合成CdS量子点从而得到CdS同质结,最后...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该栅线电极的制备方法,包括以下步骤:提供透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层上印刷电极浆料,电极浆料能够腐蚀透明导电氧化物层并渗入到其内形成掺杂区...
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