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最新专利技术
  • 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件
    半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610432589.5
    本申请提供了一种半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件，属于半导体技术领域。该半浮栅晶体管包括：衬底，衬底具有第一阱区、第一阱区下方的第二阱区，以及贯穿第一阱区的沟槽；浮栅层，包括第一浮栅部和第二浮栅部，第一浮栅部位于沟槽内，第二浮栅部...
    2026-05-10
  • 一种复合薄膜柔性晶体管及其制备方法
    一种复合薄膜柔性晶体管及其制备方法_武汉纺织大学_202610426395.4
    本发明公开了一种复合薄膜柔性晶体管及其制备方法，涉及柔性半导体器件技术领域。该复合薄膜柔性晶体管包括依次层叠的柔性衬底、栅电极、栅介质层、混合沟道层以及源电极和漏电极，其中混合沟道层在受控低温条件下通过双源共蒸单质Te与形成，其中构成连续的...
    2026-05-10
  • 薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
    薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板_云谷(固安)科技有限公司_202610145956.3
    本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，薄膜晶体管包括：基板；第一电极，设置于基板的一侧，第一绝缘层，设置于第一部分远离基板的一侧；第二电极，设置于第一绝缘层远离基板的一侧；载流子隔离层，至少部分载流子隔离层设置于第二电极远离基板的...
    2026-05-10
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610136306.2
    本申请涉及一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括基板；晶体管设于基板的一侧，晶体管包括有源层、第一导电结构、第一极和第二极，有源层包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区；第一导电结构在基板上的正投影与沟道区在基板上的正投影至少部分重合，第一极...
    2026-05-10
  • 垂直型薄膜晶体管、制备方法、电压源装置、电流产生装置和低压差线性稳压器装置
    垂直型薄膜晶体管、制备方法、电压源装置、电流产生装置和低压差线性稳压器装置_福州大学_202511793668.0
    垂直型薄膜晶体管、制备方法、电压源装置、电流产生装置和低压差线性稳压器装置，该晶体管包括：栅极，包括栅基底和栅极柱；第二介质层，设置于栅极柱与半导体层之间，以及栅基底与第二电极之间；第一电极和第二电极，分别作为晶体管的源极和漏极；第一电极设...
    2026-05-10
  • 一种晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备
    一种晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411525455.5
    一种晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备。晶体管包括沟道、栅极结构、第一极组件和第二极组件。栅极结构包括栅电极。第一极组件和第二极组件分别位于栅极结构在第一方向的两侧且都与沟道相接。第一极组件和第二极组件中的至少一个在衬底上的正投影与沟...
    2026-05-10
  • 改善阈值电压退化的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    改善阈值电压退化的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202610426010.4
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善阈值电压退化的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在栅介质层内形成加固层和P型多晶硅层，加固层位于结型场效应区上方，且加固层的宽度等于或者大于结型场效应区，引入加固层，提高绝缘层厚度，降低器件内载...
    2026-05-10
  • 用于机器狗高负载关机的耐压型MOSFET器件及其制备方法
    用于机器狗高负载关机的耐压型MOSFET器件及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610396229.4
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了用于机器狗高负载关机的耐压型MOSFET器件及其制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层...
    2026-05-10
  • 一种低阈值电压Trench MOSFET器件及制备方法
    一种低阈值电压Trench MOSFET器件及制备方法_深圳市尚鼎芯科技股份有限公司_202610175824.5
    本发明实施例提供一种低阈值电压Trench MOSFET器件及制备方法，该方法包括栅氧化层(105)、栅极多晶硅(106)、P+/N‑结构和多个沟槽(104)；多个沟槽(104)在低阈值电压Trench MOSFET器件的截面上并列设置；栅...
    2026-05-10
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610121567.7
    本公开的实施例提供了一种半导体器件及电子设备，涉及半导体器件技术领域，用于抑制辐射效应对半导体器件的影响。该半导体器件包括衬底、第一、第二外延层、两个阱区、掺杂部、两个屏蔽层、电流扩展层、两个栅极、两个介质层、源极层和漏极层，第一外延层和第...
    2026-05-10
  • 一种沟槽型MOS器件
    一种沟槽型MOS器件_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610071498.3
    本发明公开了一种沟槽型MOS器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底、位于衬底上的外延层、开设于外延层内的沟槽，以及形成于沟槽内的栅极结构，所述沟槽为阶梯型结构，从外延层表面至衬底方向依次包括第一沟槽段和第二沟槽段，第一沟槽段的宽度大于第二沟...
    2026-05-10
  • 导通电阻减小的分裂栅MOSFET
    导通电阻减小的分裂栅MOSFET_意法半导体国际公司_202511542402.9
    本公开涉及导通电阻减小的分裂栅MOSFET。电子器件包括：半导体本体；沟槽，在所述半导体本体内从所述半导体本体的第一侧朝向第二侧延伸，并且终止于所述半导体本体内；所述沟槽中的每个沟槽中的绝缘场板区域；所述相应绝缘场板区域上的所述沟槽中的每个...
    2026-05-10
  • 导通电阻减小并且栅极-漏极容量减少的分裂栅MOSFET
    导通电阻减小并且栅极-漏极容量减少的分裂栅MOSFET_意法半导体国际公司_202511542325.7
    本公开涉及导通电阻减小并且栅极‑漏极容量减少的分裂栅MOSFET。电子器件包括半导体本体；所述半导体本体中的沟槽；每个沟槽中的绝缘场板区域；每个沟槽中的导电栅极区域，通过所述相应绝缘场板区域与所述半导体本体电绝缘；每个沟槽中的场板区域；所述...
    2026-05-10
  • LDMOS器件及其形成方法
    LDMOS器件及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610143364.8
    一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于所述漂移区内的第一场氧结构，所述第一场氧结构具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁呈阶梯状，所述第二侧壁呈倾斜状，且所述第二侧壁与所述第一场氧结构底部的夹角为钝角；位于所述衬底表面的栅极...
    2026-05-10
  • 一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
    一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610368538.0
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，包括：形成主沟槽及沟槽底部的屏蔽栅电极后，依次保形淀积待转换多晶硅层、氮化硅牺牲层和硬掩模层；通过各向异性刻蚀形成自对准的复合侧墙结构，暴露沟槽底部的待转换多晶...
    2026-05-10
  • 一种分段多晶硅深沟槽碳化硅MOSFET
    一种分段多晶硅深沟槽碳化硅MOSFET_重庆市集成电路协同创新中心_202610184214.1
    本发明公开了一种分段多晶硅深沟槽碳化硅MOSFET，属于半导体功率器件技术领域。该器件在深沟槽内沿深度方向依次设置与源极连接的P+多晶硅段、轻掺杂N−多晶硅段以及与栅极连接的N+多晶硅段，三者共同构成近似PIN的多晶硅二极管结构。本发明利用...
    2026-05-10
  • 一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法
    一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法_东莞市中镓半导体科技有限公司_202610150092.4
    本发明公开一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括衬底、形成于衬底第一表面上的外延结构、形成于外延结构上的栅极介质层，以及源极、栅极和漏极，外延结构包括依次形成于衬底第一表面上的n‑‑GaN漂移层、C掺杂...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610127533.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。半导体器件包括：半导体本体，设置为第一导电类型，所述半导体本体包括依次层叠设置的4H‑SiC层、非晶SiNx层、纳米晶Si3N4层以及3C‑SiC层；所述半导体本体...
    2026-05-10
  • 具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制作方法
    具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制作方法_西安理工大学_202512039613.7
    本发明公开了具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件，包括从下至上依次设置的碳化硅N型衬底、碳化硅N型外延层、碳化硅N型电流扩展层、碳化硅P体区及表面N+区，碳化硅N型电流扩展层、碳化硅P体区及表面N+区的四周被中空的碳化硅P型环绕P+...
    2026-05-10
  • 一种鳍式场效应晶体管
    一种鳍式场效应晶体管_北方工业大学_202511849855.6
    本申请提供一种鳍式场效应晶体管，包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上方的鳍形结构和栅极结构，鳍形结构包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区，并且栅极结构横跨沟道区设置；鳍形结构还包括与源极区同型掺杂的穿通区，穿通区位于源极区和...
    2026-05-10
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