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最新专利技术
  • 电池及储能设备
    电池及储能设备_华为数字能源技术有限公司_202411500398.5
    本申请涉及电池的技术领域，本申请实施例提供一种电池及储能设备，电池包括电芯，电芯则包括极片，电芯的极片包括集流体、活性物质层和导电层，通过在活性物质层上开设孔，然后在活性物质层的外表面和孔的孔壁覆盖有导电层。从而通过导电层提高电子在活性物质...
    2026-04-29
  • 一种二次电池、相关装置、系统及充电网络
    一种二次电池、相关装置、系统及充电网络_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411493155.3
    本申请涉及电池技术领域，提供了一种二次电池、相关装置、系统及充电网络。本申请提供的二次电池，包括负极极片，该述负极极片包括负极集流体和设置于负极集流体至少一个侧的负极膜层，该负极膜层包括负极活性物质和聚合物，该聚合物的聚合单体的化学通式为本...
    2026-04-29
  • 负极极片及其制备方法、电极组件、电池单体、电池及用电设备
    负极极片及其制备方法、电极组件、电池单体、电池及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411490423.6
    本发明涉及一种负极极片及其制备方法、电极组件、电池单体、电池及用电设备，一种负极极片包括负极集流体、补锂层及负极活性物质层，补锂层设于负极集流体的至少一侧，负极活性物质层设于补锂层背离负极集流体的一侧。一种电极组件包括上述的负极极片、正极极...
    2026-04-29
  • 压延干电极膜的实际间隙和最小间隙方法及其系统
    压延干电极膜的实际间隙和最小间隙方法及其系统_特斯拉公司_202511507306.0
    本公开的实施例涉及压延干电极膜的实际间隙和最小间隙方法及其系统。描述了一种用于精确和/或精准地压延干电极膜的压延方法及其系统。该方法和系统能够在存在和/或不存在电极膜和/或电极粉末混合物的情况下控制压延机辊之间的压延压区和/或压延距离，从而...
    2026-04-29
  • 一种亚微米至微米级单晶富锂锰基层状正极材料的制备方法及其应用
    一种亚微米至微米级单晶富锂锰基层状正极材料的制备方法及其应用_南京师范大学_202511333906.X
    本发明公开了一种亚微米至微米级单晶富锂锰基层状正极材料及其制备方法与应用。所述亚微米至微米级单晶富锂锰基层状正极材料化学组成为Li[LiaNibMncMd]O2，其中0＜a≤0.25, 0＜b≤0.3, 0.4＜c≤0.8，M为Co、Mg、...
    2026-04-29
  • 一种等离子体光源和半导体设备
    一种等离子体光源和半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511816826.X
    本申请涉及半导体领域，具体涉及等离子体光源和半导体设备。等离子体光源包括激光模组，用于发射一个或多个激光光束；光学整形模组，用于对一个或多个激光光束进行整形，使激光光束在等离子体容器内形成多个激光光斑，每个激光光斑用于形成维持一个等离子体核...
    2026-04-29
  • 离子导向器和制造离子导向器的方法
    离子导向器和制造离子导向器的方法_赛默飞世尔科技(不来梅)有限责任公司_202511512355.3
    一种在第一端部与第二端部之间纵向延伸的离子导向器，包括：第一表面和与第一表面相对的第二表面，在该第一表面和该第二表面之间具有间隙；第一多个RF电极，每个RF电极在离子导向器的第一端部和第二端部之间纵向延伸，其中第一多个RF电极包括机械地联接...
    2026-04-29
  • 电子倍增器、质谱系统和方法
    电子倍增器、质谱系统和方法_杭州谱育科技发展有限公司_202512055578.8
    本发明涉及质谱技术，具体提供了电子倍增器、质谱系统和方法，所述电子倍增器，包括多级打拿极、收集极和电源，所述电源为所述打拿极和收集极施加电压；所述电源连接分压电路，所述分压电路连接第3级到第N级打拿极；切换单元用于切换所述分压电路的工作模式...
    2026-04-29
  • 一种半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备
    一种半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610386137.8
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备，包括外壳体、内壳体和等离子体源：外壳体内部设置有冷却腔，且外壳体上设置有与冷却腔连通的第一阀门口和第二阀门口，外壳体上还设置有与外设冷却液源连通并能向冷却腔...
    2026-04-29
  • 一种自清理半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备
    一种自清理半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610386134.4
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种自清理半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备，包括阀壳体、工艺气体进管、支撑件、第一电极和第二电极；阀壳体上设置有与第一腔体连通的第一阀门口和第二阀门口，第一腔体的顶部设置有第二腔体，第二腔体内且...
    2026-04-29
  • 一种等离子体喷射方向可调的角阀结构及等离子体处理设备
    一种等离子体喷射方向可调的角阀结构及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610386131.0
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种等离子体喷射方向可调的角阀结构及等离子体处理设备，包括阀壳体、周向调节件、轴向滑轨、等离子体喷头和管路组件；阀壳体的内部设置有阀腔体，且阀壳体上设置有与阀腔体连通的第一阀门口和第二阀门口；管路组件...
    2026-04-29
  • 一种具有自清理功能的半导体设备及清理方法
    一种具有自清理功能的半导体设备及清理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610386126.X
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种具有自清理功能的半导体设备及清理方法，包括等离子体源、主真空管路、主清理管路、模式切换阀组和控制系统；主真空管路与工艺腔室连通，用于在正常工艺模式下引导来自工艺腔室的工艺气体及副产物，且所述主真空...
    2026-04-29
  • 一种用于半导体晶圆加热器氟化层成型的等离子设备及加工方法
    一种用于半导体晶圆加热器氟化层成型的等离子设备及加工方法_苏州子山半导体科技有限公司_202512016592.7
    本申请实施例提供一种用于半导体晶圆加热器氟化层成型的等离子设备及加工方法，包括等离子发生装置和反应腔室，该设备还包括：工艺气体输送系统，其被配置为向所述反应腔室提供独立可控的工艺气体，包括等离子气路、中心气路和边缘气路；气体导流装置，设置在...
    2026-04-29
  • 结构部件
    结构部件_TOTO株式会社_202511122257.9
    本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言，结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含以镧锆氧化物为主成分的晶体，该晶体的晶格常数为10.830×10‑1...
    2026-04-29
  • 结构部件
    结构部件_TOTO株式会社_202511122255.X
    本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言，结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含作为主成分的镧锆氧化物，且保护膜(200)的压痕硬度大于7.2GPa...
    2026-04-29
  • 结构部件
    结构部件_TOTO株式会社_202511122179.2
    本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言，结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含作为主成分的镧钇氧化物。
    2026-04-29
  • 射频电流传输结构、半导体工艺设备、射频电流的检测方法及机台的检测方法
    射频电流传输结构、半导体工艺设备、射频电流的检测方法及机台的检测方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411479435.9
    本申请公开了一种射频电流传输结构、半导体工艺设备、射频电流的检测方法及机台的检测方法，涉及半导体领域。一种射频电流传输结构，应用于半导体工艺设备，所述射频电流传输结构包括：由内至外依次设置的馈入件、介质层、第一回流层、磁性材料层和第二回流层...
    2026-04-29
  • 一种补偿静电卡盘直流自偏压的装置和系统
    一种补偿静电卡盘直流自偏压的装置和系统_上海微芸半导体科技有限公司_202411458848.9
    本发明公开了一种补偿静电卡盘直流自偏压的装置和系统，本发明涉及半导体加工技术领域，包括射频阻抗匹配器、数值转换单元和模数转换电路，射频阻抗匹配器用于提供与工艺条件相关的中间参数，本发明的优点在于：通过获取中间参数、计算直流自偏压近似值、反馈...
    2026-04-29
  • 电场偏转器及其制备方法、电场偏转控制系统
    电场偏转器及其制备方法、电场偏转控制系统_深圳市新迈谱电子科技有限公司_202511809570.X
    本申请公开了一种电场偏转器及其制备方法、电场偏转控制系统，涉及半导体领域，用于实现电子束的高精度控制；电场偏转器包括：衬底和在衬底一侧设置的介质层、位于介质层中的与地电极连接的第一信号互联引线和与信号电极连接的第二信号互联引线、相对设置的第...
    2026-04-29
  • 离子注入装置及离子注入方法
    离子注入装置及离子注入方法_上海光通信有限公司_202411441598.8
    本公开涉及一种离子注入装置及离子注入方法。该离子注入装置包括离子源和吸极结构。离子源具有狭缝；所述狭缝用于发射出离子束。吸极结构设置于离子源出射离子束的一侧并在设置位置固定。吸极结构包括：离子束入射口和离子束出射口、吸引电极、电磁透镜。离子...
    2026-04-29
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