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  • 本申请公开终端电阻的测量方法、存储器、测试装置和存储介质,终端电阻设置于存储器内,测量方法包括:在存储器处于晶圆阶段或成品阶段时,采集从存储器的输出引脚输出的第一电压,以及存储器的输入引脚处的第一电流;其中,终端电阻与输出引脚的耦接点位于终...
  • 一种FLASH存储芯片在轨单粒子翻转防护方法及其可靠性评估方法,涉及一种用于在轨卫星的FLASH存储芯片的的可靠性设计与测试。其解决现有技术依赖昂贵且受限的地面重离子试验,并且对存储芯片的长期在轨工作模式、卫星屏蔽效应及质子翻转的适用性不足...
  • 本公开提供一种移位寄存器、显示面板和电子设备。该移位寄存器包括信号输出模块;所述信号输出模块的第一端与第一节点电连接,所述信号输出模块的第二端与第一电平信号线电连接,所述信号输出模块的第三端与第二电平信号线电连接,所述信号输出模块的第四端用...
  • 本申请公开了一种熔丝存储电路及其故障检测方法,通过在存储单元原有支路的基础上,增加两个检测路径。在正常工作模式下,两个检测路径处于关断状态,不影响原有电路的正常读写功能。当电路出现功能失效需要进行故障检测时,通过选择性导通检测路径来快速定位...
  • 本发明提供一种存储器管理方法及存储装置。所述方法包括:响应于目标操作事件,确定目标字线位于多个管理区中的目标管理区,其中所述多个管理区根据各自的电气特性垂直分布于存储器模块中,且目标操作事件指示对目标字线执行目标操作;从多个管理表中,确定对...
  • 本申请公开了一种存储器管理方法和装置、存储器的预擦除方法和装置、存储器及存储系统,涉及移动终端技术领域,所述方法包括:在所述主机当前的应用场景属于指定场景的情况下,确定预擦除参数,其中,所述指定场景用于表征待写入数据对应的数据量大于指定阈值...
  • 本发明提供一种初始擦除电压的设定方法,包括:对第一目标内存单元进行预编程操作;设定擦除电压并且使用擦除电压对第一目标内存单元进行擦除操作;使用多个验证电压对第一目标内存单元进行擦除验证操作;以及根据擦除验证结果,决定是否将擦除电压设定为所述...
  • 本申请提供了一种存储器及其操作方法、存储系统,属于存储技术领域。本申请提供的存储器包括存储块和外围电路。该存储块中包括第一阵列公共源极和第二阵列公共源极,且存储块中的至少一个第一存储串与第一阵列公共源极连接,至少一个第二存储串与第二阵列公共...
  • 本发明提出了一种存储器装置、系统及其运算方法。存储器装置包括多个存储器单元以及控制器。控制器用以对一或多个存储器装置中的输入数据执行运算指令。一或多个存储器单元中的每一个包括:存储器单元阵列,用以将数据存储在存储器单元中;以及外围电路,用以...
  • 本发明提供的静态随机存取存储器的7T存储单元、相关方法和产品。该7T存储单元包括写入线、第一写位线、第二写位线、读取线、读位线、第一P型管、第二P型管、第一N型管、第二N型管、第三N型管、第四N型管、第五N型管、第一存储节点和第二存储节点。...
  • 本发明提供了一种静态随机存取存储器的6T存储单元、相关方法和产品,该6T存储单元包括写入线、写位线、读取线、读位线、第一P型管、第二P型管、第一N型管、第二N型管、第三N型管、第四N型管、第一存储节点和第二存储节点。其中,由第一P型管、第二...
  • 本申请涉及电路技术领域,特别涉及一种抗单粒子翻转的单元电路、静态随机存取存储器及设备,其中,电路包括:第一至第十四晶体管,其中,第一至第十晶体管呈对称结构,第十一至第十四晶体管作为传输管,十一至第十四晶体管分别与存储节点、位线和字线连接,通...
  • 本揭露提供一种基于动态随机存取存储器(DRAM)的一次编程(OTP)存储器装置的编程方法。一所选择页面的一所选择字线被开启。一感测电路被开启以将该所选择页面的第一数据集感测至该感测电路。一电极板电压VPLT被设定至一高电压并对所选择页面进行...
  • 一种存储器系统包括:存储器装置,被配置为通过从外部接收具有第一电压电平的第一电源进行操作;以及控制器,被配置为执行控制存储器装置的控制操作,并且通过以下生成用于控制操作的控制电源:在控制电源的当前电流量等于或小于第一电流量时,从外部接收具有...
  • 一种存储器系统包括具有多个存储体的存储器设备以及使用激活‑刷新命令或激活命令访问存储体中的行的存储器控制器,每个存储体包括多个子存储体。存储器设备响应于激活‑刷新命令管理针对每个子存储体执行的隐藏刷新操作的数量和基于隐藏刷新操作的数量生成过...
  • 提供了一种存储器模块和包括该存储器模块的存储器系统。该存储器模块可以包括:第一存储器件,包括第一多个存储体、第二多个存储体和第一刷新管理电路;以及第二存储器件,包括第三多个存储体、第四多个存储体和第二刷新管理电路,其中,第一刷新管理电路被配...
  • 本发明公开了一种铁电存储器件及其操作方法,铁电存储器件包括:第一板线;连接到第一板线的第一铁电电容器;第一存取晶体管,其具有连接到第一字线的栅极、其一端连接到第一铁电电容器、并且其另一端连接到位线;全局板线;以及第一板线选择晶体管,其被配置...
  • 本申请提供了一种存储器电路、存储器阵列及漏电抑制方法,涉及电子电路领域,旨在改善当前技术中存储器电路所包含的P型晶体管的衬底会向其源极或漏极发生漏电,造成能耗过大的现象。该存储器电路包括写驱动电路、多路选择器电路、存储器电路和多个预充电电路...
  • 本申请提供了一种存储器电路,涉及电子电路领域,旨在改善当前的存储器电路在工作时存在较为严重的漏电现象。该存储器电路包括上拉区域、存储器单元、下拉区域和多个预充电电路;第一下拉区域包括串联连接的第一N型晶体管和第二N型晶体管;第一N型晶体管的...
  • 本申请案涉及存储器中的处理单元PU控制器。包含存储体控制器及所述PU控制器的存储器装置还可包含存储器单元的多个存储体。所述PU控制器可耦合到存储器单元的所述多个存储体。所述PU控制器还可包括PU。所述存储体控制器可向所述PU控制器提供来自所...
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