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最新专利技术
  • 功率模块及功率模组
    功率模块及功率模组_杭州士兰微电子股份有限公司_202512061691.7
    本申请公开了功率模块及功率模组，功率模块包括：第一半桥功率单元和第二半桥功率单元，第一半桥功率单元和第二半桥功率单元合封在同一功率模块中；功率模块包括：基板；布线层，布线层位于基板上；第一半桥功率单元包括：第一上桥功率单元和第一下桥功率单元...
    2026-04-29
  • 引线框架及半导体封装结构
    引线框架及半导体封装结构_深圳市创芯微微电子有限公司_202511859055.2
    本发明公开了一种引线框架及半导体封装结构，包括框架主体和多个外部引脚；第一基岛与第二基岛间隔设置于中央承载区的相对两侧；多个外部引脚中的第一引脚包括一内延段，内延段从第一引脚的本体向框架主体方向延伸，并在内延段末端分叉形成至少两个分支；内延...
    2026-04-29
  • 一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺
    一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺_合肥沛顿存储科技有限公司_202610353075.0
    本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种多层金属线路晶圆级扇出型封装结构的封装工艺。在晶圆表面涂覆PI涂层，曝光显影，对准裸露的金属层的位置开出第一窗口，剩余PI涂层固化形成PI1层；在PI1层表面和第一窗口内壁沉积种子层，在种子层上涂覆第...
    2026-04-29
  • 一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法
    一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610063706.5
    本发明公开了一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法，步骤如下：1.提供涂覆有光敏胶或热解胶的临时载体，其上制备第一RDL分布层；2.在该层电镀铜层上形成第一镍层；3.铜柱经焊料固定于第一镍层，回流后形成Cu6Sn5第一IMC层与Ni3Sn4第二...
    2026-04-29
  • 玻璃芯基板的制作方法
    玻璃芯基板的制作方法_江苏长电科技股份有限公司_202511864514.6
    本发明提供一种玻璃芯基板的制作方法，先制作玻璃芯材料板，在玻璃芯材料板的切割道区域，在玻璃芯层上表面以及上增层结构之间设置上临时键合层，使得上增层结构不与玻璃芯层接触，在玻璃芯层下表面以及下增层结构之间设置下临时键合层，使得下增层结构不与玻...
    2026-04-29
  • 一种功率模块用DBC基板的表面处理方法
    一种功率模块用DBC基板的表面处理方法_上海林众电子科技有限公司_202610352957.5
    本发明提供一种功率模块用DBC基板的表面处理方法，包括以下步骤：S1、对表面存在氧化层的DBC基板清洁处理；S2、于氧化层的表面均匀涂覆助焊剂；S3、置于真空环境，先在第一温度下活化处理，升至第二温度进行第一阶段还原反应，再升至第三温度进行...
    2026-04-29
  • 一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组
    一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组_苏州奇点光子智能科技有限公司_202610347135.8
    本申请提供了一种光引擎模块的3D封装结构制作方法与CPO模组，涉及半导体封装技术领域。首先提供一光芯片晶圆，接着基于光芯片晶圆表面贴装电芯片与光口保护件，再基于光芯片晶圆的上方进行塑封，且塑封料包裹电芯片与光口保护件，然后对塑封料进行减薄，...
    2026-04-29
  • 一种IC载板中超薄Core层的制作方法
    一种IC载板中超薄Core层的制作方法_淄博芯材集成电路有限责任公司_202610077698.X
    本申请提供一种IC载板中超薄Core层的制作方法，属于芯片制造技术领域。该方法首先准备两张厚度≤0.04mm、覆有3μm铜箔的超薄双面覆铜板。随后，通过真空贴膜工艺将其分别贴合于柔性双面承载膜两侧，形成机械强度满足产线搬送要求的增厚复合板。...
    2026-04-29
  • 一种DCB基板高精度图形半蚀刻加工工艺
    一种DCB基板高精度图形半蚀刻加工工艺_江苏富乐华半导体科技股份有限公司_202610070593.1
    本发明涉及电子材料与半导体制造技术领域，公开了一种DCB基板高精度图形半蚀刻加工工艺。S1：取DCB基板，清洗、粗化处理、水洗；S2：在经S1处理后的DCB基板的铜表面上热压贴覆负性干膜，作为抗蚀刻掩膜；S3：设计激光雕刻图形；S4：采用激...
    2026-04-29
  • 一种玻璃微孔内表面抛光装置及方法
    一种玻璃微孔内表面抛光装置及方法_深圳大学_202610048334.9
    本发明公开了一种玻璃微孔内表面抛光装置及方法，旨在解决特殊结构玻璃微孔的高效抛光问题。装置核心包括真空热处理炉和射频振荡装置，真空热处理炉连通进气管、抽气管、出气管及带循环气泵的循环管路，射频振荡装置安装于循环管路末端的循环进气口处，可根据...
    2026-04-29
  • 一种三层无芯封装基板制作方法及三层无芯封装基板
    一种三层无芯封装基板制作方法及三层无芯封装基板_江门市和美精艺电子有限公司_202512030354.1
    本申请公开了一种三层无芯封装基板制作方法及三层无芯封装基板，涉及封装技术领域。方法包括：对可剥离芯板进行预处理、线路制作和清洗后在可剥离芯板两面的第一铜箔层上形成相同的内层线路；在可剥离芯板上压合第二半固化片和第二铜箔层得到第一半成品基板后...
    2026-04-29
  • 一种基于图形化铜箔的覆铜基板制备方法
    一种基于图形化铜箔的覆铜基板制备方法_江苏瀚思瑞半导体科技有限公司_202511954489.0
    本发明公开了一种基于图形化铜箔的覆铜基板制备方法，包括如下步骤：S1，在待键合的铜箔上形成镂空图形；S2，在铜箔的非键合面进行选择性粗化处理；S3，再在铜箔的非键合面镂空图形边缘形成微凸支撑筋结构；S4，对铜箔的待键合面及陶瓷基板表面进行清...
    2026-04-29
  • 封装基板的制造方法
    封装基板的制造方法_爱玻索立克公司_202511435721.X
    本发明提供一种封装基板的制造方法，本发明的实例的封装基板的制造方法包括如下步骤来制造封装基板：准备步骤，准备包括形成有空腔部的芯层的备用基板，所述空腔部包括元件部安装空间和包围所述元件部安装空间的空腔内侧面；表面处理步骤，提高所述空腔内侧面...
    2026-04-29
  • 用于形成具有玻璃衬底的电子器件的方法
    用于形成具有玻璃衬底的电子器件的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202411432056.4
    本发明提供了一种用于形成电子器件的方法，所述方法包括：提供玻璃衬底，其中所述玻璃衬底在其顶表面上具有顶部再分布层；将电子元件附接在所述玻璃衬底的所述顶部再分布层上；通过穿过所述玻璃衬底进行激光辅助键合来将所述电子元件键合到所述顶部再分布层上...
    2026-04-29
  • 一种集成电路引线框架表面处理装置及方法
    一种集成电路引线框架表面处理装置及方法_广州丰江微电子有限公司_202610139464.3
    本发明涉及引线框架表面处理技术领域，提出了一种集成电路引线框架表面处理装置及方法，其中，一种集成电路引线框架表面处理装置，包括化学清洗池和超声波清洗池，还包括框架放置平台和弯曲安装框架，化学清洗池和超声波清洗池内均纵向移动设置有框架放置平台...
    2026-04-29
  • QFN封装器件及其形成方法
    QFN封装器件及其形成方法_长电科技汽车电子(上海)有限公司_202511915350.5
    本发明涉及一种QFN封装器件及其形成方法。所述QFN封装器件的形成方法包括如下步骤：形成封装结构，封装结构包括初始框架以及位于初始框架的正面上的多个初始封装体，初始框架包括多个框架单元，初始封装体包括与多个框架单元一一对应的多个封装单元，初...
    2026-04-29
  • 贴装基板以及封装方法
    贴装基板以及封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610039545.6
    本发明提供一种贴装基板及封装方法，所述封装基板包括多个由切割道分隔的贴装单元，所述贴装单元被划分为良好单元以及不良单元，所述良好单元上表面具有焊盘，所述不良单元上表面不具有焊盘，所述不良单元外围具有环绕所述不良单元的凹槽，以隔离所述良好单元...
    2026-04-29
  • 贴装基板以及封装方法
    贴装基板以及封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610039542.2
    本发明提供一种贴装基板及封装方法，所述贴装基板包括多个贴装单元，所述贴装单元被划分为良好单元以及不良单元，所述良好单元上表面具有焊盘，所述不良单元上表面在与所述良好单元上表面的焊盘相同的位置处具有朝向所述贴装基板内部凹陷的凹槽。所述不良单元...
    2026-04-29
  • 电性缺陷的检测结构及电性缺陷检测方法
    电性缺陷的检测结构及电性缺陷检测方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411444292.8
    本公开实施例提供一种电性缺陷的检测结构，包括沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线层、导电柱层以及第二导电线层；第一导电线层包括沿第二方向交替排布的第一导电线和第二导电线，第一导电线和第二导电线中的其中一者接地，另一者连接悬空器件；第二导电线层...
    2026-04-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411423452.0
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一器件区和第二器件区，第一器件区包括第一区和第二区，第二器件区包括第二区和第三区，且第一器件区和第二器件区共用第二区，基底的顶部形成有绝缘层；在第一区的绝缘层中形成第一开口、以及在第二...
    2026-04-29
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