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最新专利技术
  • 一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法
    一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202610304819.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种新型屏蔽栅沟槽MOS器件及制备方法，该器件包括：衬底，位于衬底之上的外延层，位于外延层中的沟槽，位于沟槽内的控制栅极区、屏蔽栅极区和第一层间介质层；控制栅极区和屏蔽栅极区呈上下分布，第一层间介质层位于控...
    2026-04-30
  • 晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片
    晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202511801756.0
    本申请公开了一种晶体管结构、共源共栅电流镜及芯片，属于集成电路芯片技术领域。晶体管结构包括至少一个晶体管单元，晶体管单元包括：衬底及形成于衬底上的有源区；沿第一方向排布于有源区上的n个栅极，n为偶数，各栅极在第一方向上的两侧限定出扩散区，且...
    2026-04-30
  • 离子敏感场效应晶体管
    离子敏感场效应晶体管_X-FAB全球服务有限公司_202511466019.X
    一种用于对介质进行测试的离子敏感场效应晶体管(ISFET)，该ISFET包括：衬底；有源层，位于衬底上；源极区和漏极区，在有源层中；栅极结构，在漏极区和源极区之间的沟道区上方；后端堆叠，包括多个金属层，其中，栅极结构直接连接到多个金属层中的...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510961949.6
    提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极‑第3电极、第1导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。第1导电部件包含第1导电部分以及第2导电部分。第2导电部分包含第1部分。第1电极与第1导电部分之间的第1距离比第1电极与...
    2026-04-30
  • 半导体组件
    半导体组件_DBHiTek株式会社_202411903229.6
    本发明涉及一种半导体组件，尤其涉及一种可以通过在栅极电极的长度方向端部一侧形成没有掺杂杂质的非掺杂区或形成第一导电型杂质掺杂区而将寄生晶体管的阈值电压控制在所需要的水准的半导体组件。
    2026-04-30
  • Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法
    Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202610319751.2
    本申请公开了一种Si基GaN外延晶片、半导体元件、Si基GaN外延晶片的制造方法及半导体元件的制造方法，属于半导体外延生长领域，所述Si基GaN外延晶片包括：Si基层；AlN成核层，其位于Si基层上；缓冲层，其位于AlN成核层上，所述缓冲层...
    2026-04-30
  • 基于界面钝化的二维铁电晶体管
    基于界面钝化的二维铁电晶体管_华中科技大学_202610097211.4
    本申请公开了一种基于界面钝化的二维铁电晶体管，通过在铁电材料与二维半导体沟道之间引入界面调控层，使沟道不同区域在相同栅压条件下对应转移特性曲线中的不同回滞分支，从而实现面内极性分区。在无需设置额外栅极结构或依赖持续偏压的条件下，可实现面内p...
    2026-04-30
  • 一种具有分段式栅极场板的双导电沟道GaN HEMT器件及制备方法
    一种具有分段式栅极场板的双导电沟道GaN HEMT器件及制备方法_北京工业大学_202610069015.6
    本发明公开了一种具有分段式栅极场板的双沟道GaN HEMT器件及制备方法，器件结构自下至上依次为：Si衬底、AlGaN缓冲层、下GaN沟道层、AlScN势垒层、上GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4介质层、器件外侧SiO2钝化层，以及...
    2026-04-30
  • 一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT
    一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT_重庆邮电大学_202610067627.1
    本发明涉及一种具有载流子导流通道的电磁加固GaN HEMT，属于微电子技术领域。该器件旨在解决传统GaN HEMT在高功率电磁环境下易因栅极边缘电流集中导致热烧毁的问题。其技术方案是在AlGaN势垒层与p‑AlGaN帽层之间引入由p‑AlG...
    2026-04-30
  • 一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法
    一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法_北京航空航天大学_202511981037.1
    本申请提供了一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法，包括衬底、外延结构层、栅极结构层及电极结构层。外延结构层包含依次堆叠的沟道层与势垒层，栅极结构层包含多个的第一半导体部，电极结构层包含间隔设置的第二电极与第三电极。利用多个第一半导体部向沟道...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子装置
    半导体器件及其制备方法、电子装置_北京大学_202511947088.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子装置，半导体器件包括有源区、控制极、第一电极、第二电极与屏蔽结构，有源区包括依次层叠设置的衬底、过渡层、缓冲层、沟道层与势垒层；屏蔽结构设置于势垒层背向衬底的一侧；控制极设置于屏蔽结构背向衬底的一...
    2026-04-30
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511935922.6
    本发明公开一种HEMT器件及其制造方法，所述HEMT器件包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上；第一势垒层，位于所述沟道层上，至少具有两种厚度；再生势垒层，位于所述第一势垒层上，被所述再生势垒层覆盖的所述第一势垒层的厚度小于剩余区域的所述第一势...
    2026-04-30
  • 晶体管的外延结构以及制作方法
    晶体管的外延结构以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511739822.6
    本公开实施例提供了一种晶体管的外延结构以及制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管的外延结构包括GaN沟道层和位于所述GaN沟道层上的势垒层，所述势垒层为InAlN层、InAlGaN层或者AlScGaN层。本公开实施例提供的晶体管的外延结构...
    2026-04-30
  • 用于使用二维电子气的晶体管结构的正导通和负截止衬底偏置
    用于使用二维电子气的晶体管结构的正导通和负截止衬底偏置_英飞凌科技奥地利有限公司_202511457087.X
    一种包括偏置电路的晶体管，当晶体管导通时，该偏置电路将晶体管的衬底偏置到正电压，并且当晶体管截止时，该偏置电路将晶体管的衬底偏置到负电压。该晶体管包括势垒半导体层和紧接位于势垒半导体层之下以与势垒半导体层形成异质结界面的沟道半导体层，异质结...
    2026-04-30
  • 沟槽栅功率器件及其制造方法
    沟槽栅功率器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610290020.X
    本发明提供一种沟槽栅功率器件及其制造方法。方法包括：在半导体衬底正面形成体区、源区及深层屏蔽区；在相邻屏蔽区之间形成栅沟槽并填充栅极结构，使其具有高出衬底正面的第一栅极柱；在栅极柱侧面形成第一侧墙结构，并以此为掩膜在顶部形成第一绝缘保护层，...
    2026-04-30
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610098276.0
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电...
    2026-04-30
  • 西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法
    西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610055878.8
    本发明提供了一种西格玛沟槽的制备方法、半导体结构及其制备方法。本发明通过原位水蒸汽生成氧化工艺将干法刻蚀所形成的沟槽中突出于所述栅极结构的侧墙的半导体衬底原位氧化为氧化层，再湿法清洗去除所述氧化层，所获取的目标沟槽的侧壁与栅极结构的侧墙位于...
    2026-04-30
  • VDMOSFET器件的制备方法
    VDMOSFET器件的制备方法_深圳市金誉半导体股份有限公司_202511757521.6
    本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种VDMOSFET器件的制备方法，包括：在漂移区的一侧表面形成第一掩膜，第一掩膜包括图形化的多晶硅层，多晶硅层的镂空区域构成第一离子注入窗口；对漂移区进行第一离子注入形成肼区；对多晶硅层进行干氧氧化；对...
    2026-04-30
  • 二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置
    二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置_三星电子株式会社_202511242707.8
    提供二维材料生长基底、制造其的方法和使用其的半导体装置。所述二维(2D)材料生长基底包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；应变控制缓冲层，形成在半导体基底的第二表面上；表面保护层，形成在半导体基底的第一表面上；以及2D材...
    2026-04-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411587087.7
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要先提供一基底包含一平面元件区以及一非平面元件区，然后形成多个鳍状结构于非平面元件区，形成第一浅沟隔离环绕平面元件区的基底，形成第二浅沟隔离环绕该等鳍状结构，形成多个第一栅极结...
    2026-04-30
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