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最新专利技术
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411587087.7
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要先提供一基底包含一平面元件区以及一非平面元件区，然后形成多个鳍状结构于非平面元件区，形成第一浅沟隔离环绕平面元件区的基底，形成第二浅沟隔离环绕该等鳍状结构，形成多个第一栅极结...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411450844.6
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底上形成有包括沟道叠层的凸起结构，沟道叠层包括堆叠的牺牲层和沟道层，基底上还形成有横跨凸起结构的栅极结构，横向去除部分长度的牺牲层，在凸起结构内形成内沟槽；通过多次堆叠操作的...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411419023.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成具有孔的第一信号线层、填充于孔中的第一牺牲结构、以及覆盖第一信号线层和第一牺牲结构的第一介质层；在第一介质层上形成具有初始通孔的第二信号线层、填充于初...
    2026-05-01
  • MOSFET器件及其制造方法
    MOSFET器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411418853.7
    本发明提供了一种MOSFET器件及其制造方法，包括：对半导体衬底执行第一离子注入工艺，形成阱区；利用第一光刻工艺，在半导体衬底上形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层覆盖半导体衬底中的第一部分并暴露出第二部分；在图形化的掩膜层的侧壁上形成侧墙结...
    2026-05-01
  • 纵向SCR型瞬态过压保护器件
    纵向SCR型瞬态过压保护器件_江苏应能微电子股份有限公司_202610313890.4
    本发明提供一种纵向SCR型瞬态过压保护器件，包括：第一导电类型重掺杂半导体衬底；设置在所述第一导电类型重掺杂半导体衬底上的外延层；外延层为第一导电类型轻掺杂高阻外延层，包括位于靠近第一导电类型重掺杂半导体衬底一侧的第一导电类型轻掺杂漂移区；...
    2026-05-01
  • 制造隔离结构晶闸管的方法
    制造隔离结构晶闸管的方法_力特半导体(无锡)有限公司_202411436086.2
    本发明公开了一种制造隔离结构晶闸管的方法。一种晶闸管半导体包括位于衬底的第一表面上的第一层，其中该第一层是第一P层。位于衬底的第二表面上的第二层是第二P层。第二表面与第一表面相对。第三层位于第一层与衬底之间。隔离区位于沿着衬底的边缘。隔离区...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610079433.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括第一器件区和第二器件区，包括相对的第一面和第二面，衬底内具有第一掺杂区；在第一器件区形成第一器件结构，包括：位于所述第一器件区内的栅极结构和位于第一器件区的发射极；在第二器件区形成第二器件结构，...
    2026-05-01
  • 双极性结晶体管
    双极性结晶体管_联华电子股份有限公司_202411545436.9
    本发明公开一种双极性结晶体管，包含一射极区、一基极区、一集极区以及一隔离结构。基极区相邻设置于射极区的一第一侧边，集极区相邻设置于射极区的一第二侧边，隔离结构设置于射极区与基极区之间以及射极区与集极区之间。
    2026-05-01
  • 横向肖特基二极管
    横向肖特基二极管_英飞凌科技德累斯顿公司_202511457086.5
    本公开涉及横向肖特基二极管。公开了一种肖特基二极管。肖特基二极管包括：第一掺杂类型的漂移区(11)；肖特基电极(21)，其连接到肖特基二极管的阳极节点(41)并邻接漂移区(11)；肖特基触点(22)，其形成在肖特基电极(21)和漂移区(11...
    2026-05-01
  • 可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法
    可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610044860.8
    本发明涉及一种可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可缓解电流突变的快恢复二极管，所述快恢复二极管包括：半导体基板，至少包括N型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列排布的元胞，其中，对于任一...
    2026-05-01
  • 一种玻璃保护结合钯金定向同步扩散一次烧结成型工艺
    一种玻璃保护结合钯金定向同步扩散一次烧结成型工艺_杭州赛晶电子有限公司_202610066178.9
    本发明公开了一种玻璃保护结合钯金定向同步扩散一次烧结成型工艺，属于二极管GPP芯片生产工艺技术领域。方法包括：晶圆硼磷扩散预处理；光刻蚀刻开槽形成芯片台面；确定适配的钯金扩散温度，并选用日本NEG系列玻璃粉中对应温度适配型号的产品；随后将选...
    2026-05-01
  • 用于制造快速恢复反向二极管的过程
    用于制造快速恢复反向二极管的过程_力特保险丝公司_202511479555.3
    本发明公开了用于制造快速恢复反向二极管的过程。一种方法可以包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括：第一厚度掺杂剂、第一掺杂剂极性和第一掺杂剂浓度的第一层；以及具有大于第一厚度的第二厚度、第二极性和第二掺杂剂浓度的第二层，其中第二层限定大于第一...
    2026-05-01
  • 存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411454375.5
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低铁电存储器的功耗。存储阵列包括衬底和多个铁电电容器。衬底包括第一区域和多个第二区域，第一区域位于相邻的两个第二区域之间。多个铁电电容器位于多个第二区域上...
    2026-05-01
  • 铁电存储器及其制备方法、电子设备
    铁电存储器及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411435832.6
    本申请实施例提供了一种铁电存储器及其制备方法、电子设备。其中，该铁电存储器包括第一电极层，铁电存储层和第二电极层，铁电存储层设置在第一电极层和第二电极层之间；铁电存储层包括层叠设置的铁电材料层、第一空穴插层和第一绝缘层，第一空穴插层设置在铁...
    2026-05-01
  • 铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法
    铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法_复旦大学_202511974854.4
    本发明属于微电子存储技术领域，具体为铁电单晶材料内三维金属/隔离层堆叠结构制备与异质键合方法。本发明通过采用光刻、深沟槽刻蚀、电极材料沉积、化学机械抛光、隔离层填充等工艺交替形成多层电极材料/隔离层结构，在铁电单晶体内直接构建三维交叉阵列，...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411406386.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统，所述半导体结构包括：堆叠结构，包括第一绝缘层和栅极层；第一绝缘层和栅极层沿第一方向交替层叠设置；栅极层包括第二绝缘层以及多个栅极结构，栅极结构沿第一方向贯穿第二绝缘层；多个沟...
    2026-05-01
  • 三维存储器及其制作方法、存储器系统
    三维存储器及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202610239595.9
    本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610321343.0
    本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底、第一绝缘层、浮栅、擦除栅及第二绝缘层。其中，第一绝缘层在浮栅端部形成向上延伸的台阶，使浮栅端部被抬升而远离衬底，且浮栅在该抬升端部的侧壁向内凹陷形成向外延伸的尖角；擦除栅设于尖角...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511461663.8
    一种半导体装置，包括：栅电极，在第一方向上纵向延伸；多个沟道层，在与第一方向相交的第二方向上穿透栅电极并且在第一方向上间隔开；以及栅极绝缘膜，包括多个栅极绝缘膜图案，每个栅极绝缘膜图案至少部分地覆盖所述多个沟道层中的相应沟道层，其中，所述多...
    2026-05-01
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510432434.7
    提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一栅极结构，其包括第一导电层；第二栅极结构，其位于第一栅极结构上并且包括第二导电层；第一接触通孔，其延伸穿过第二栅极结构并延伸进入第一栅极结构，并且分别连接到第一导电层，并且每...
    2026-05-01
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