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最新专利技术
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_三星电子株式会社_202510822377.3
    一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供包括元件区和划线区的衬底；在衬底的元件区上形成第一掩模图案，并且在第一掩模图案的侧面上形成间隔物；形成掩模膜，掩模膜沿着第一掩模图案、间隔物和衬底延伸，其中掩模膜包括在衬底的划线区上的阶梯部；形成填充...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411404840.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成沿第一方向排列的多个分立的轴心，多个轴心至少包括多个第一轴心；形成覆盖轴心的侧墙材料层，相邻两个第一轴心相互朝向的表面之间...
    2026-04-27
  • 半导体晶圆及其制备方法
    半导体晶圆及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511779796.X
    本申请实施例提供了半导体晶圆及其制备方法，该半导体晶圆包括：衬底、多晶硅层、以及设置在所述衬底与所述多晶硅层之间的复合缓冲层，其中，所述复合缓冲层包括：第一子层，用于提供预设的应力，以至少部分抵消所述多晶硅层的平均拉伸应力；以及设置在所述第...
    2026-04-27
  • 一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法
    一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法_浙江丽隽功率半导体有限公司_202610323139.2
    本发明涉及半导体器件领域，具体是一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法。该结构设置于有源区外围，包括一个掺杂浓度梯度经过优化的JTE区，以及多个设置于其外围、形状为曲线多边形且占用面积逐级递减的场环。其制备方法关键在于采用多次离子注入来...
    2026-04-27
  • 宽禁带功率半导体器件及其制备方法
    宽禁带功率半导体器件及其制备方法_苏州惟清半导体有限公司_202512044698.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，公开了宽禁带功率半导体器件及其制备方法。方法包括：提供第一导电类型的基底层；形成深入基底层部分深度且包括由外向内依次嵌套的多个掺杂层的第一掺杂区，多个掺杂层的掺杂浓度由外向内依次递增；在第一掺杂区最内侧的掺杂层...
    2026-04-27
  • 薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法
    薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511912959.7
    本发明提供了一种薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法。薄膜晶体管沟道层包括：下界面层，位于IGZO沟道层的最下层，具有第一镓铟比；体层，位于下界面层和上界面层之间，具有第二镓铟比；以及上界面层，位于IGZO沟道层的最上层，具有第三镓铟比，...
    2026-04-27
  • 晶体管和包括晶体管的显示装置
    晶体管和包括晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511130226.8
    提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该显示装置包括：基板，基板包括有源区域和非有源区域。第一晶体管设置在有源区域中并且包括第一栅电极、第一a源‑漏电极、第一b源‑漏电极和第一有源层。第一栅极绝缘层设置在第一栅电极与第一有源层之间。第一栅极...
    2026-04-27
  • 一种超结MOSFET器件及其加工方法
    一种超结MOSFET器件及其加工方法_成都森未科技有限公司_202610320639.0
    本发明提出一种超结MOSFET器件及其加工方法，包括：衬底结构、漏极导体、耐压区、槽型栅极结构、栅极导体、第二基区、截止区、第一基区、源区和贯穿截止区，并嵌入第二耐压区的高k介质层，以及覆盖于源区顶部、第一基区顶部、截止区顶部以及高k介质层...
    2026-04-27
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411414826.2
    一种半导体元件包括基材、磊晶层、阱、介电层、栅极电极层以及源极接垫。基材包括邻接的阵列区与周边区。磊晶层位于基材上方。阱位于磊晶层中。介电层位于磊晶层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层位于介电层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层...
    2026-04-27
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411414753.7
    半导体装置包含基板、第一栅极结构与磊晶层。第一栅极结构在基板上，第一栅极结构的长度方向沿着第一方向。磊晶层在基板上，其中第一栅极结构在磊晶层中，且磊晶层包含多个第一源极区、多个第一体接触区与阱。第一源极区相邻第一栅极结构，第一源极区具有第一...
    2026-04-27
  • MOS管及其形成方法、可靠性评估方法
    MOS管及其形成方法、可靠性评估方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411421054.5
    一种MOS管及其形成方法、可靠性评估方法。所述MOS管包括：衬底；位于衬底内的漏极及源极；位于所述衬底表面的栅极结构；位于所述衬底表面且覆盖所述栅极结构的中间介质层, 所述中间介质层内形成有源极插塞结构、漏极插塞结构及栅极插塞结构；其中，所...
    2026-04-27
  • 一种共源屏蔽栅沟槽功率半导体器件及其制备方法
    一种共源屏蔽栅沟槽功率半导体器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202610321006.1
    本发明涉及功率半导体器件技术，具体涉及一种共源屏蔽栅沟槽功率半导体器件及其制备方法。包括，外延层，形成于衬底上；自外延层的表面纵向延伸至衬底的上表面的多个交替排列的P型柱或N型柱；多个沟槽，沟槽将掺杂区分隔为交替设置的第一掺杂区和第二掺杂区...
    2026-04-27
  • 屏蔽栅晶体管及其制备方法、芯片及电子设备
    屏蔽栅晶体管及其制备方法、芯片及电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202610066604.9
    本申请提供了一种屏蔽栅晶体管及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，屏蔽栅晶体管包括：衬底，位于衬底第一侧的外延层；第一导电类型体区；第一导电类型体区从外延层背离衬底一侧，形成在外延层中；第二导电类型重掺杂区以及沟槽栅结构；第二导...
    2026-04-27
  • 一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关
    一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关_西交利物浦大学_202610057481.2
    本发明公开了一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关，涉及半导体器件技术领域。氮化镓晶体管包括：衬底，以及依次位于衬底一侧的缓冲层、沟道层、以及第一势垒层；包括第一栅极沟槽和第二栅极沟槽的栅极沟槽，栅极沟槽位于第一势垒层内，且栅极沟槽的槽底下...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202512058327.5
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底；栅电极，所述栅电极包括第一栅电极掺杂区、第四栅电极掺杂区、第二栅电极掺杂区和第三栅电极掺杂区，所述第二栅电极掺杂区设置于所述第一栅电极掺杂区的第二端，所述第三栅电极掺杂区...
    2026-04-27
  • 一种基于铁电介质的高线性AlGaN/GaN器件
    一种基于铁电介质的高线性AlGaN/GaN器件_苏州科技大学_202511852685.7
    本发明公开了一种基于铁电介质的高线性AlGaN/GaN器件，在GaN层上设置导体层、AlGaN层，并形成势垒层，在栅极与势垒层之间设置铁电薄膜，得到基于铁电介质的高线性AlGaN/GaN器件。现有技术都一定程度上改善了器件的线性度, 但是由...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及制造方法
    一种半导体器件及制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610320005.5
    本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的半导体制造方法可以在半导体器件上形成倾斜场板，从而改善单级场板的电场分布，使半导体器件在场板处的电场变化更加均匀。此外，本申请的倾斜场板基于等离子蚀刻的负载效应形成，从而通...
    2026-04-27
  • 一种半导体装置及其制备方法
    一种半导体装置及其制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202610291792.5
    一种半导体装置及其制备方法，包括：提供基底，基底包括基板和位于基板上的介质层；介质层中形成有通孔，通孔沿垂直于基板的方向贯穿介质层，通孔包括在垂直于基板的方向上排布且连通的第一孔和第二孔，第二孔位于第一孔远离基板一侧；基底还包括覆盖材料层，...
    2026-04-27
  • 屏蔽栅MOSFET器件及制备方法
    屏蔽栅MOSFET器件及制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610072685.3
    本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，在其上形成阵列排布的沟槽；在半导体衬底的表面以及沟槽的内表面形成第一氧化层；在沟槽内填充多晶硅，多晶硅的表面与半导体衬底的表面的第一氧化层齐平；选择性刻...
    2026-04-27
  • 一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法
    一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法_嘉兴功顶半导体有限公司_202610060319.6
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法，包括对碳化硅衬底热氧化生成第一氧化硅薄膜，在第一氧化硅薄膜表面沉积不掺杂多晶硅层并进行光刻及刻蚀形成图形化多晶硅层，进行高温氧化工艺，将图形化多晶硅层...
    2026-04-27
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