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最新专利技术
  • 形成含硅层的方法和系统及使用其形成的结构
    形成含硅层的方法和系统及使用其形成的结构_ASMIP私人控股有限公司_202511531305.X
    公开了在衬底表面上形成含硅层的方法。示例性方法包括将含氧反应物提供到反应室中并且执行一个或多个沉积循环，其中每个沉积循环包括在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，并且在等离子体功率周期内提供脉冲等离子体功率以形成含硅层。
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411498272.9
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件的制备方法包括在衬底上形成堆叠结构，并在所述堆叠结构远离所述衬底的一侧形成阶梯结构；在所述阶梯结构上形成阶梯状排布的多个焊盘；基于所述堆叠结构形成位线结构，所述位线结构包括在垂直于所述衬底方向...
    2026-04-29
  • 一种用于制造穿半导体连接的方法
    一种用于制造穿半导体连接的方法_IMEC非营利协会_202511389152.X
    提供经减薄的半导体基板，其正面具有前段制程部分。该部分包括位于基板正面的需要由穿过基板的连接来接触的各导电结构。从基板背面蚀刻开口，开口将被导电材料填充。开口底部至少部分地与待接触的导电结构的端表面重叠并与基板的半导体材料部分重叠。开口的蚀...
    2026-04-29
  • 导电塞的制备方法和半导体芯片
    导电塞的制备方法和半导体芯片_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511796233.1
    本公开提供了一种导电塞的制备方法和半导体芯片，属于电力电子领域。该钨塞的制备方法包括：制备外延片，所述外延片的表面具有过孔；将过渡金属材料溅射至所述过孔内，同时对所述过孔内的过渡金属材料进行离子轰击，以形成过渡金属层；在所述过渡金属层的表面...
    2026-04-29
  • 碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路
    碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610120386.2
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路，包括在碳纳米管的上表面形成若干初次介质层；在初次介质层的上表面以及初始沟道的沟壁和底面形成功函数金属层；在功函数金属层的上表面沉积介质材料，以形成二次介质层；去除特定高...
    2026-04-29
  • 半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件
    半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件_三星电子株式会社_202510892479.2
    提供了半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件。示例半导体装置包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；逻辑块，设置在基底的第一表面上；电力输送网络，包括在基底的第二表面上连接到逻辑块的电源线；以及连接结构，穿透基底并且连接上芯片垫和下...
    2026-04-29
  • 半导体组件及其制造方法与检测方法
    半导体组件及其制造方法与检测方法_日扬科技股份有限公司_202511509869.3
    本发明涉及一种半导体组件及其制造方法与检测方法，其中制造方法包含下列步骤：提供至少一基材；以及进行形成步骤，用以利用选自于由激光加工工艺、微波加工工艺、射频加工工艺、放电加工工艺、湿式化学加工工艺、机械加工工艺、等离子体源加工工艺、粒子束加...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512009346.9
    一种实施例半导体器件包括衬底，该衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一组电子组件，位于衬底的第一侧；以及隔离结构位于衬底的第二侧，并且基于沿垂直方向的视角与第一组电子组件重叠。隔离结构包括导电条阵列。隔离结构包括导电条阵列和沿导电条阵列...
    2026-04-29
  • 半导体器件以及其形成方法
    半导体器件以及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411688237.3
    本发明公开一种半导体器件以及其形成方法，此半导体器件包括：高阻值阻抗层，在垂直方向介于栅极与第一金属结构之间，其中第一金属结构包括至少一个等电位第一金属与至少一个非等电位第一金属，其中等电位第一金属与高阻值阻抗层等电位、非等电位第一金属与高...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411498356.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：位于衬底上的多条阶梯位线，所述阶梯位线分布在沿垂直于所述衬底的方向分布的多个层中；所述阶梯位线包括相连接的水平部和垂直部；所述水平部沿平行于所述衬底的行方向延伸，所述垂直部沿垂直于所...
    2026-04-29
  • 一种半大马士革互连结构及其制备方法
    一种半大马士革互连结构及其制备方法_浙江大学_202610135856.2
    本发明公开一种半大马士革互连结构及其制备方法。所述结构包括衬底、设置在衬底表面的无机硬掩膜层、位于无机硬掩膜层限定区域内的第一层金属互连层，所述第一层金属互连层包括衬里层及其上方的钌(Ru)线列；填充于相邻Ru线列之间的线间介质层；形成于所...
    2026-04-29
  • 半导体装置及半导体结构
    半导体装置及半导体结构_瑞昱半导体股份有限公司_202511097504.4
    本公开提供了半导体装置及半导体结构。一种半导体装置包含基板、多个凸块及晶片。基板具有上表面与下表面。基板包含多个下接点、多个上接点、第一走线层、第二走线层、金属散热单元、凹槽及稳压器。第一走线层设置于上表面与下表面之间。第二走线层位于第一走...
    2026-04-29
  • 一种功率模组及制备方法
    一种功率模组及制备方法_华为技术有限公司_202411481659.3
    一种功率模组及制备方法，其中，功率模组包括第一散热板和功率模块。第一散热板上设置有第一通孔，第一通孔的内壁设置有第一凸出部，第一凸出部的厚度小于第一散热板的厚度。功率模块包括功率器件和第一导热绝缘基板，功率器件连接于第一导热绝缘基板，第一导...
    2026-04-29
  • 散热结构和封装结构
    散热结构和封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202511510085.2
    一种封装结构包含衬底、电子装置和散热结构。所述电子装置安置在所述衬底上方。所述散热结构安置在所述衬底上方并且附接到所述电子装置。所述散热结构包含散热部分和导电部分。所述散热部分经配置以将所述电子装置所生成的热量引导到所述封装结构的外部。所述...
    2026-04-29
  • 微柱结构、相变热沉及电子器件
    微柱结构、相变热沉及电子器件_浙江大学_202610387436.3
    本申请涉及微柱结构、相变热沉及电子器件。该微柱结构包括：窄径部，用于热耦合于待散热部；以及宽径部，固定于窄径部且位于远离待散热部的一侧，沿远离待散热部的方向，宽径部的横截面的外周轮廓面积大于窄径部的横截面的外周轮廓面积。该微柱结构可以实现提...
    2026-04-29
  • 用于功率电子设备的防错设计
    用于功率电子设备的防错设计_罗伯特·博世有限公司_202511548843.X
    本发明涉及一种用于冷却功率电子元件(2)的冷却器，包括壳体部件(10)，所述壳体部件具有用于冷却流体的流动通道(11)；和湍流器(20)，所述湍流器具有流入区域(21)、流出区域(22)以及布置在它们之间的周期性交替结构(25)。其中，所述...
    2026-04-29
  • 一种定向液冷-分级回退双频带射频收发集成组件
    一种定向液冷-分级回退双频带射频收发集成组件_成都兴仁科技有限公司_202610409579.X
    本发明属于半导体及其封装技术领域，具体涉及一种定向液冷‑分级回退双频带射频收发集成组件，通过多层玻璃基封装基体实现器件、散热与布线一体化集成，配合闭合接地TGV围栏提升双频带电磁兼容性。利用第一、第二温敏TGV与第一供电支路电流采样电阻构成...
    2026-04-29
  • 电子装置及电子装置的装配方法
    电子装置及电子装置的装配方法_株式会社电装_202511519820.6
    提供一种电子装置，该电子装置能够有效地散发从半导体产生的热，并且小型、轻量化，该电子装置具备箱体(20)、基板(31)、半导体(33)、散热片(50)、第一凸部(51)、以及第二凹部(233)，第一凸部(51)被设置于散热片，第二凹部被设置...
    2026-04-29
  • 一种高爬电距离功率器件封装结构
    一种高爬电距离功率器件封装结构_福建福顺半导体制造有限公司_202511978334.0
    本发明提供一种高爬电距离功率器件封装结构，包括：封装件主体、基岛、椭圆锁胶孔、多个管脚和长条形凹槽；基岛开设于封装件主体的表面；椭圆锁胶孔开设于封装件主体的表面且与基岛的上方；多个管脚分别连接于封装件主体的底部；长条形凹槽开设于封装件主体的...
    2026-04-29
  • 用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器
    用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器_武汉锐光科技有限公司_202511977905.9
    本申请公开了一种用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器。防辐射方法包括：在芯片的外侧设置光反射模块，光反射模块与芯片的探测面之间设置预设距离且两者呈预设角度布置。本申请通过外部物理结构(光反射模块)在辐射到达芯片前进行干预，使得高能粒子...
    2026-04-29
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