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最新专利技术
  • 一种GaSbSe自选通材料及自选通器件
    一种GaSbSe自选通材料及自选通器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512005331.5
    本发明涉及一种GaSbSe自选通材料及自选通器件，所述GaSbSe自选通材料的化学通式为GaxSbySez，其中，0.1≤x≤0.3, 0.1≤y≤0.3，且x+y+z=1。所述自选通器件采用三明治结构设计，以GaSbSe自选通材料作为核心...
    2026-04-29
  • 一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用
    一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用_华北水利水电大学_202610074891.8
    本发明涉及一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用，使用脉冲激光沉积系统在Pt/SiO2/Si衬底上沉积NiO薄膜，沉积前腔室的背底真空低于5.0×10‑6Pa；在沉积过程中，氧气压力保持在10Pa，衬底温度保持在550℃，溅射时...
    2026-04-29
  • 一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用
    一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用_西北工业大学_202610022348.3
    本发明属于光电器件技术领域，公开了一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用，包括绝缘衬底、薄硅有源层、源电极漏电极、栅介质层以及栅电极。其中，薄硅有源层设置在绝缘衬底上方，且表面具有通过等离子体刻蚀引入的缺陷态，源电极设置在薄硅有源层上方...
    2026-04-29
  • 一种MoO3-HfO2异质结忆阻器及其制备方法
    一种MoO3-HfO2异质结忆阻器及其制备方法_厦门稀土材料研究所_202610177053.3
    本发明提供了一种MoO3‑HfO2异质结忆阻器及其制备方法。本发明忆阻器包括依次层叠设置的底电极、HfO2层、MoO3层、顶电极。本发明采用MoO3‑HfO2异质结，利用MoO3层的快速离子迁移特性降低操作能垒，结合HfO2层的高绝缘性与离...
    2026-04-29
  • 一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片
    一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202512056209.0
    本申请涉及一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片。本申请的防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底包括相对设置的碳面和硅面；于碳面上制备碳保护层；于硅面上外延生长碳化硅外延层...
    2026-04-29
  • 半导体器件的制作方法
    半导体器件的制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411497879.5
    本发明提供一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：在基底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖基底的第一区域和第二区域；在第一氧化层上形成掩模层，掩模层覆盖第二区域且露出第一区域；通过原子层沉积工艺在基底上形成第二氧化层，第二氧化层覆盖第一区域...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅U槽的刻蚀方法
    一种碳化硅U槽的刻蚀方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202311219092.8
    本发明提供了一种碳化硅U槽的刻蚀方法，属于半导体技术领域。本发明以薄膜A作为掩膜版，可以避免光刻胶形貌变化造成的刻蚀不均匀的问题；本发明通过改进刻蚀工艺，可以使U槽左右两端完全垂直与碳化硅外延片平面，避免因U槽左右两端不平行导致的各向异性。...
    2026-04-29
  • 等离子处理方法
    等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202610110180.1
    提供一种等离子处理方法，能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少，该等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含...
    2026-04-29
  • 晶圆刻蚀方法、装置及电子设备
    晶圆刻蚀方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411422502.3
    本发明公开了一种晶圆刻蚀方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该方法中获取暴露初始晶圆上目标刻蚀区域的光刻胶掩膜；利用光刻胶掩膜，对初始晶圆重复执行目标次数个刻蚀步骤，直至对目标刻蚀区域刻蚀目标刻蚀量，得到目标晶圆；刻蚀步骤包括：电离...
    2026-04-29
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411498121.3
    本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法在生长得到外延层之后增加一道边缘刻蚀工艺，可以消除晶圆边缘区域的至少一部分外延层并使边缘区域更加平坦化，保证在对后续生长的氧化硅层进行化学机械抛光之前，晶圆边缘区域的氧化硅层厚度一致，从而改善化学机...
    2026-04-29
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511332806.5
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。提供能够精密地从衬底上除去物质的技术。通过进行下述(a)和(b)从而除去衬底上的物质，(a)：从第1供给部对衬底供给第1气体的工序，其中，第1气体为含卤元素的蚀刻气体及与...
    2026-04-29
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202610020550.2
    本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时蚀刻...
    2026-04-29
  • 高精度V型槽刻蚀方法及系统
    高精度V型槽刻蚀方法及系统_武汉驿路通科技股份有限公司_202610133053.3
    本发明公开了高精度V型槽刻蚀方法及系统，涉及刻蚀加工技术领域，包括：获得晶圆的V型槽刻蚀任务信息；根据所述V型槽刻蚀任务信息进行特征解析，确定刻蚀需求特征；对晶圆基础数据进行数据清洗，生成晶圆特征；根据所述晶圆特征和所述刻蚀需求特征对V型槽...
    2026-04-29
  • 一种晶圆的抛光方法以及晶圆
    一种晶圆的抛光方法以及晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511956856.0
    本公开实施例公开了一种晶圆的抛光方法以及晶圆，晶圆的抛光方法可以包括：在晶圆表面形成耐磨层，耐磨层的厚度从晶圆中心到边缘逐渐降低，其中，耐磨层的硬度大于晶圆的硬度和/或耐磨层与抛光液的反应速率小于晶圆与抛光液的反应速率；对晶圆执行CMP工艺...
    2026-04-29
  • 半导体晶粒及其制造方法
    半导体晶粒及其制造方法_力智电子股份有限公司_202411494303.3
    本发明提供一种半导体晶粒及其制造方法。半导体晶粒的制造方法包括以下步骤。在衬底上形成半导体堆叠结构，其中衬底包括晶粒区及划片区，划片区位于相邻的晶粒区之间。在半导体堆叠结构之上形成介电层。在划片区中移除部分介电层及部分半导体堆叠结构，以形成...
    2026-04-29
  • 一种采用LED灯解键合的方法
    一种采用LED灯解键合的方法_鸿鹄半导体设备(佛山)有限公司_202411490336.0
    本发明公开了一种采用LED灯解键合的方法，涉及解键合技术领域；包括如下步骤：S1：将晶圆片放置在支撑底座上；通过每一颗LED灯珠内均配有绿色LED芯片作为可见导引光源，配有紫外LED或红外LED或同时配有紫外和红外LED芯片作为解键合光源来...
    2026-04-29
  • 一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块
    一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块_嘉兴斯达微电子有限公司_202511890657.4
    本发明提供一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块，涉及功率模块制备技术领域，包括第一隔板和第二隔板将清洗槽从左至右依次分隔为清洗液区、混合液区和漂洗液区；第一隔板的高度高于第二隔板的高度；漂洗液区的液位高度与第二隔板的高度相同，且...
    2026-04-29
  • 一种半导体晶圆清洗治具及方法
    一种半导体晶圆清洗治具及方法_陕西光电子先导院科技有限公司_202610064360.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆清洗治具及方法；技术方案：一种半导体晶圆清洗治具，包括有卡塞，卡塞的内部设置有卡位冶具，卡位冶具的两端一侧均设置有限位槽，限位槽的内部设置有限位柱，限位柱的外侧套设有滑块；本发明通过弯钩结...
    2026-04-29
  • 清洗方法及清洗装置
    清洗方法及清洗装置_湖北星辰技术有限公司_202610091558.8
    本公开实施例提供一种清洗方法及清洗装置。该清洗方法包括：将半导体结构固定在承载台上，半导体结构包括经过激光处理后形成的多个凹槽，凹槽中附着有经过激光处理后形成的熔渣；利用驱动部驱动承载台带动半导体结构沿第一方向或者第二方向移动，使得第一喷嘴...
    2026-04-29
  • 一种用于晶圆的清洗机构
    一种用于晶圆的清洗机构_昆山日月同芯半导体有限公司_202610145785.4
    本发明涉及晶圆清洗技术领域，且公开了一种用于晶圆的清洗机构，包括设置在清洗机内的安装板，所述安装板的顶部通过螺栓固定有防护罩，防护罩内设置有用于对晶圆进行支撑与限位的支撑台，支撑台在安装板顶部转动设置，同时支撑台还在安装板顶部上下滑动设置，...
    2026-04-29
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