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最新专利技术
  • 基于视觉闭环控制的显示面板腔体封装点胶方法及系统
    基于视觉闭环控制的显示面板腔体封装点胶方法及系统_赣州市同兴达电子科技有限公司_202511868392.8
    本发明涉及显示面板自动化封装技术领域，特别涉及基于视觉闭环控制的显示面板腔体封装点胶方法及系统，该方法包括：通过视觉识别模块识别OLED显示面板型号和摆放姿态，建立产品坐标系；利用三维测高模块获取包含封装腔体区域在内的高度数据，构建高度分布...
    2026-04-29
  • 基于SAMs作为界面层的量子点探测器制备方法
    基于SAMs作为界面层的量子点探测器制备方法_华中科技大学_202511957276.3
    本申请公开了一种基于SAMs作为界面层的量子点探测器制备方法，属于红外探测器技术领域。该方法包括：提供衬底；在衬底上制备底电极；在底电极上制备空穴传输层，空穴传输层包括NiOx薄膜；在空穴传输层上制备界面层，界面层包括SAMs薄膜；在界面层...
    2026-04-29
  • 基于稀土掺杂钙钛矿量子点的真空紫外探测器制备方法
    基于稀土掺杂钙钛矿量子点的真空紫外探测器制备方法_北京振兴计量测试研究所_202511971148.4
    本发明提供一种基于稀土掺杂钙钛矿量子点的真空紫外探测器制备方法，包括：步骤一、对ITO导电玻璃基底进行预处理；步骤二、将SnCl22H2O和CH4N2S溶解在去离子水中，搅拌后得到SnO2量子点；步骤三、将P3HT溶于氯苯中，充分搅拌后得到...
    2026-04-29
  • 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池的制备方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202610127586.0
    本申请属于光电材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法。所述钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将ITO基材浸泡于咔唑膦酸分散液中，自发在ITO基材表面形成空穴修饰层；在空穴修饰层表面依次重叠设置钙钛矿层、电子传输层和电极...
    2026-04-29
  • 一种基于SiNx和PTFE叠层薄膜及其制备方法
    一种基于SiNx和PTFE叠层薄膜及其制备方法_江苏汉可智能装备有限公司_202610282026.2
    本发明公开了一种基于SiNx和PTFE叠层薄膜及其制备方法，包括：衬底层，衬底层上表面依次叠构膜组，膜组由两层SiNx膜之间复合一层PTFE膜构成。采用热丝CVD设备制备SiNx、PTFE和SiNx叠构的多层薄膜，工艺简单，大面积均匀性好，...
    2026-04-29
  • B位阳离子掺杂钙钛矿X射线探测器的制备方法及产品
    B位阳离子掺杂钙钛矿X射线探测器的制备方法及产品_华中科技大学_202512051562.X
    本发明属于探测器制备技术领域，并具体公开了一种B位阳离子掺杂钙钛矿X射线探测器的制备方法及产品。包括：分别配置B位阳离子低掺杂浓度的底层前驱体溶液SL和B位阳离子高掺杂浓度的顶层前驱体溶液SH; 在基地上先刮涂所述底层前驱体溶液SL，随后在...
    2026-04-29
  • 钙钛矿太阳电池的制备方法以及钙钛矿太阳电池
    钙钛矿太阳电池的制备方法以及钙钛矿太阳电池_韶关学院_202610153313.3
    本申请公开了一种钙钛矿太阳电池的制备方法及钙钛矿太阳电池。本申请实施例通过在氧化锡电子传输层中加入盐酸萘乙二胺作为掺杂剂，从而使本申请中的具有该氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳电池具有较高开路电压，短路电流密度、填充因子以及光电转换效率。
    2026-04-29
  • 一种锡铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种锡铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法_淮阴工学院_202610241082.1
    本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种锡铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池由上至下依次为金属电极层、BCP修饰层、PCBM电子传输层、EDADI钝化层、Cs0.1FA0.6MA0.3Sn0.5Pb0.5I3钙钛矿层、DL‑ChCl改性...
    2026-04-29
  • 基于Cd1-xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法
    基于Cd1-xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法_云南大学_202610308428.5
    本发明公开了一种基于Cd1‑xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测技术领域。本发明首先制备镉前驱体溶液与硒前驱体溶液，将两者混合制备成CdSe量子点溶液，通过旋涂工艺将溶液均匀涂覆形成固态薄膜，随后采...
    2026-04-29
  • 一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法
    一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法_南京工业职业技术大学_202511927318.9
    本发明涉及一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法，其制备方法包括对功能性墨水印刷施加于衬底形成的湿膜进行阶梯退火来制备固体功能薄膜，过程中以功能性墨水的流平速度、再浸润速度控制为基本原则，通过联动调控功能性墨水的表面张力、粘度的物理...
    2026-04-29
  • 一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件
    一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件_重庆大学_202610226287.2
    本发明实施例提供了一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件，涉及钙钛矿太阳能电池制作技术的技术领域。其方法包括：提供基板，所述基板包括涂覆有钙钛矿前驱体湿膜，钙钛矿前驱体湿膜包含有机铵阳离子；在钙钛矿前驱体湿膜结晶之前...
    2026-04-29
  • 一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用
    一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用_陕西致知博约光电科技有限公司_202610139103.9
    本发明属于有机电致发光(OLED)显示面板技术领域，具体公开了一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用，所述玻璃面板拼接方法采用间断式涂布方法对玻璃面板进行拼接。包括如下步骤：首先对两块待拼接玻璃基板的接合面进行定位准备，确保...
    2026-04-29
  • 自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用
    自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用_中核光电科技(上海)有限公司_202610012550.8
    本发明是关于一种自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用。其包括，其是由掺杂长链烷基磷酸分子和咔唑‑膦酸分子的钙钛矿前驱液制成；所述长链烷基磷酸分子和所述咔唑‑膦酸分子的共掺杂浓度为0.4～0.6mg/mL。所要解决的技术问题是如何提供...
    2026-04-29
  • 一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法
    一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法_北京航空航天大学_202610136112.2
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法。所述电极板包括载体基板和导电线路；所述导电线路设置于所述载体基板上，所述导电线路与所述载体基板之间为电学绝缘，本发明通过采用低比热容的载体基板，...
    2026-04-29
  • 一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法
    一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法_西安交通大学_202512026225.5
    本发明提供一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法，包括：S1，配制压电薄膜的前驱体溶胶；S2，将部分所述前驱体溶胶烘干成干凝胶，煅烧、造粒、压片、烧结，获得压电陶瓷片作为衬底；S3，在衬底上制备牺牲层；S4，在牺牲层表面制备图案化的电极层...
    2026-04-29
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411607250.1
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先提供一基底包含MRAM区域以及逻辑区域，然后形成一第一...
    2026-04-29
  • 一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用
    一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411422505.7
    本申请公开了一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用，属于量子计算领域。在衬底中制造金属化结构的方法包括：获得具有孔的衬底；在孔的内壁形成在临界温度以下的温度下表现出超导特性的附着层，附着层限定空腔；以及，在空腔内填充绝缘的电介质柱，电介质...
    2026-04-29
  • 一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法
    一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法_南京大学_202610387167.0
    本发明公开一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法，属于超导微纳电子器件制备技术领域。本发明通过高真空环境下Scotch胶带解理BSCCO单晶获得新鲜表面并原位蒸镀金膜，经光刻与湿法刻蚀制备金电极后，二次光刻结合氩离子束刻蚀至预...
    2026-04-29
  • 一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法
    一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512004955.5
    本发明涉及一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法，通过本发明的方法可以显著提升相变材料的性能，通过降低光刻叠层中旋涂有机碳的烘烤温度，防止相变材料在烘烤过程中结晶，导致元素偏析与应力增加。该方法可以在不改变光刻胶膜层结构以及光刻工艺的...
    2026-04-29
  • 一种GaSbSe自选通材料及自选通器件
    一种GaSbSe自选通材料及自选通器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512005331.5
    本发明涉及一种GaSbSe自选通材料及自选通器件，所述GaSbSe自选通材料的化学通式为GaxSbySez，其中，0.1≤x≤0.3, 0.1≤y≤0.3，且x+y+z=1。所述自选通器件采用三明治结构设计，以GaSbSe自选通材料作为核心...
    2026-04-29
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