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最新专利技术
  • 铜薄膜的干法蚀刻方法
    铜薄膜的干法蚀刻方法_AP系统股份有限公司_202480061936.7
    本发明涉及一种利用等离子体工艺的铜薄膜的干法蚀刻方法，其技术要点为铜薄膜的干法蚀刻方法，其特征在于，在利用等离子体蚀刻工艺的铜薄膜的干法蚀刻方法中，为了提高利用AClb型第一蚀刻气体的铜薄膜的蚀刻过程中生成的铜氯化物(CuClx)与氢原子之...
    2026-04-29
  • 利用炔烃在电介质上相对于金属选择性沉积含铝电介质材料
    利用炔烃在电介质上相对于金属选择性沉积含铝电介质材料_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480062140.3
    一种用于选择性钝化衬底表面的方法，其中衬底的表面包括至少一个包含金属的第一表面和至少一个包含电介质材料的第二表面。该方法包括将表面暴露于至少一种炔烃的步骤，其中炔烃选择性地与金属反应以钝化第一表面，从而留下基本上未反应的第二表面。
    2026-04-29
  • 等离子处理装置、等离子处理方法以及蚀刻系统
    等离子处理装置、等离子处理方法以及蚀刻系统_株式会社日立高新技术_202580004512.1
    提供一种不依赖于数据库的获取方法以及执行的信号处理地实现高精度的膜厚监视以及终点判定的等离子处理装置、等离子处理方法以及蚀刻处理系统。等离子处理装置(70)在蚀刻处理中测定来自处理对象晶片的晶片反射光，使用波形图案数据库(122)来根据晶片...
    2026-04-29
  • 半导体处理中的等离子体蚀刻
    半导体处理中的等离子体蚀刻_应用材料公司_202480053906.1
    半导体处理的方法可包括形成多种前驱物(例如，蚀刻剂前驱物、含氧前驱物和含硅和氟前驱物，如四氟化硅)的等离子体流出物。然后，等离子体流出物可接触半导体处理室的处理区域中的基板上的含硅材料和掩模材料。掩模材料中可具有一个或多个孔隙，以允许等离子...
    2026-04-29
  • 研磨用组合物及研磨方法
    研磨用组合物及研磨方法_福吉米株式会社_202480060879.0
    提供一种研磨用组合物，其用于研磨由硅材料形成的表面，研磨后的表面的湿润性优异，且能够减少缺陷。提供一种研磨用组合物，其用于研磨由硅材料形成的表面。上述研磨用组合物包含磨粒(A)、碱性化合物(B)、第1水溶性高分子(C1)以及具有与该第1水溶...
    2026-04-29
  • 粘合片材和物体的处理方法
    粘合片材和物体的处理方法_琳得科株式会社_202480060309.1
    本发明能通过更温和的操作来拾取保持于粘合片材的物体，该粘合片材具备在表面具有凹凸的粘合层。一种粘合片材，该粘合片材具备表面具有凹凸的粘合层。粘合层在23℃下的拉伸断裂应力为20MPa以上。
    2026-04-29
  • 粘合剂组合物、粘合片以及电子器件装置的制造方法
    粘合剂组合物、粘合片以及电子器件装置的制造方法_日东电工株式会社_202480062144.1
    本发明提供粘合剂组合物等，其包含：通过加热或照射活性能量射线中的至少一方而产生酸的化合物；以及在分子中具有被保护基团保护的亲水基团即通过所述酸脱保护的亲水基团的被保护化合物。
    2026-04-29
  • 基板支撑系统中的热传递管理
    基板支撑系统中的热传递管理_应用材料公司_202480061207.1
    一种方法包括：识别与基板支撑系统相关联的性质数据；识别与所述基板支撑系统相关联的目标性能数据；基于所述性质数据及所述目标性能数据，确定与所述基板支撑系统相关联的区域配置数据；以及导致基于所述区域配置数据来配置所述基板支撑系统。
    2026-04-29
  • 精密基板收纳容器用托盘及半导体晶片收纳容器
    精密基板收纳容器用托盘及半导体晶片收纳容器_信越聚合物株式会社_202480061896.6
    提供能够实现精密基板收纳容器的轻量化或消除半导体晶片收纳容器的变形、损伤的可能性、能够简单地取出放入的处置较容易的精密基板收纳容器用托盘及半导体晶片收纳容器。精密基板收纳容器用托盘具备：适配器(31)，搭载精密基板收纳容器(1)且被收纳在躯...
    2026-04-29
  • 机器人的动作路径生成方法以及机器人的动作路径生成装置
    机器人的动作路径生成方法以及机器人的动作路径生成装置_川崎重工业株式会社_202480061478.7
    在该机器人(10)的动作路径生成方法中，基于机器人(10)在配置有机器人(10)以及工件(W)的配置区域(20)中的动作路径(OP)的导出中使用的机器人CAD数据(CD1)、配置区域CAD数据(CD2)、以及工件CAD数据(CD3)进行整合...
    2026-04-29
  • 机器人的动作路径生成方法以及机器人的动作路径生成装置
    机器人的动作路径生成方法以及机器人的动作路径生成装置_川崎重工业株式会社_202480061479.1
    在本发明的机器人(10)的动作路径生成方法中，当基于用户的操作而二维数据(IDa)和三维数据(IDb)中的一方产生了变更时，使二维数据(IDa)和三维数据(IDb)中的另一方反映该变更，并使包含机器人(10)和配置区域(20)的二维的虚拟图...
    2026-04-29
  • 半导体制造装置用部件
    半导体制造装置用部件_日本碍子株式会社_202380013864.4
    半导体制造装置用部件具备：陶瓷板，其上表面具有晶片载放面且内置有静电电极，该晶片载放面的基准面设置有大量小突起；插塞配置孔，其以沿上下方向延伸的方式设置于陶瓷板；静电电极开口部，其设置于静电电极的供插塞配置孔贯穿的位置；冷却板，其设置于陶瓷...
    2026-04-29
  • 基板支承组件、基板处理装置及基板处理方法
    基板支承组件、基板处理装置及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480061485.7
    本发明提供一种基板支承组件。基板支承组件的基座具有流路。第1容器构成为能够以通过其内部的第1容量的减少而经由至少一个第1配管向流路供给传热介质的方式变更该第1容量。第2容器构成为能够以通过其内部的第2容量的减少而向流路供给气体的公司变更该第...
    2026-04-29
  • 被动举升销组件
    被动举升销组件_应用材料公司_202480061634.X
    一种基板支撑组件包括可在升高位置、在升高位置下面的降低位置以及升高位置与降低位置之间的中间位置之间移动的基板支撑件。举升销在穿过基板支撑件的孔中设置，并且可相对于基板支撑件垂直地移动。在使用中，基板支撑组件在第一配置与第二配置之间转变。在第...
    2026-04-29
  • 用于装置制作期间能量势垒的非接触式测量的系统和方法
    用于装置制作期间能量势垒的非接触式测量的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480060974.0
    用于在晶体管的制作期间测量所述晶体管的能量势垒的系统和方法，包括：针对多个光子能量中的每个光子能量确定晶体管的光电流；基于所述带电粒子束的多个着陆能量中的每个着陆能量的光电流确定能量势垒；以及确定所述晶体管的能量势垒，其中所述能量势垒是零电...
    2026-04-29
  • 并行流散热器
    并行流散热器_特斯拉公司_202480062039.8
    一种流体冷却并行散热器，该流体冷却并行散热器包括流体入口和流体出口以及由盖和槽体界定的冷却室。流体冷却并行散热器还包括位于冷却室内的中间部件和多个鳍片，其中中间构件至少部分地将冷却室分隔成入口室、鳍片室、以及出口室，该多个鳍片位于鳍片室中。...
    2026-04-29
  • 用于接合已知良好裸片的晶片的方法及以此类方法产生的组合件
    用于接合已知良好裸片的晶片的方法及以此类方法产生的组合件_美光科技公司_202480059624.2
    本发明提供一种形成半导体晶片的方法。所述方法包含将晶片切割成裸片，测试所述裸片以挑选出已知良好裸片，及将已知良好裸片接合到载体晶片以形成顶部KGD晶片。所述方法还包含填充顶部裸片之间的间隙以在所述顶部裸片中的每一者周围及上方形成顶部间隙填充...
    2026-04-29
  • 用于嵌入部件的模制芯基板
    用于嵌入部件的模制芯基板_超威半导体公司_202480056208.7
    本公开将有源和无源电子部件放置在基板上，并用模具材料包封以产生用于制造混合集成电路(IC)器件的模制芯基板。载体具有层压到其面的离型膜。在离型膜上方添加铜的晶种层，并且将基准电镀到该铜晶种层上，以使用基准上的对准标记进行部件放置。将模具材料...
    2026-04-29
  • 用于混合接合中的高强度非对称电介质的方法及结构
    用于混合接合中的高强度非对称电介质的方法及结构_应用材料公司_202480060582.4
    一种用于半导体装置的在顶表面上具有电介质膜的第一结构可以用于形成由具有减少的电介质表面积及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的半导体装置。第一结构的电介质膜的顶表面可以混合接合至第二结构的电介质层。第一结构的电介质膜与第二结构的电介质层...
    2026-04-29
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