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最新专利技术
  • 光学传感器的封装结构、方法及电子设备
    光学传感器的封装结构、方法及电子设备_广东国峰半导体有限公司_202610124906.7
    本申请涉及传感器封装技术领域，公开了一种光学传感器的封装结构、方法及电子设备，其中，该申请的封装结构包括：引线框架以及固定于引线框架上的射频主控芯片和光学传感器芯片；引线框架包括第一基岛、第二基岛、射频天线和管脚组，第一基岛与第二基岛相互电...
    2026-05-08
  • 一种多FC封装框架结构及其加工方法
    一种多FC封装框架结构及其加工方法_华天科技(宝鸡)有限公司_202610082087.4
    本发明属于半导体FC封装技术领域，具体公开了一种FC封装框架结构及其加工方法，包括有沿横向和/或纵向形成于框架上的多个封装单元；每个封装单元上设置有相背的芯片连接面和底面，芯片连接面通过蚀刻工艺形成有管脚，且管脚的表面沿延伸方向设置有焊接端...
    2026-05-08
  • 一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体
    一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体_宁波康强电子股份有限公司_202512008870.4
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体。本发明公开了一种镍铁合金镀铜引线框架，包括：引线框架基材及包覆在所述引线框架基材至少部分表面的复合铜镀层；其中，所述引线框架基材为Ni80Fe20镍铁...
    2026-05-08
  • 电源模块
    电源模块_成都芯源系统有限公司_202511169145.9
    本揭露提供一种提供电源模块。电源模块包括第一引线框架、第一裸芯片、基板、第二引线框架以及第二裸芯片。第一引线框架具有第一和第二部分。第一裸芯片设置在第一引线框架的第一部分的上方。第一功率装置形成在第一裸芯片的上方。基板设置在第一引线框架的第...
    2026-05-08
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_无锡华润安盛科技有限公司_202411549545.8
    本申请提供一种半导体结构。所述半导体结构包括引线框、散热基板及支撑连接线。引线框包括基岛区，及位于所述基岛区一侧并且与所述基岛区间隔的第一外接引脚区，所述基岛区设有裸片，所述第一外接引脚区具有多个第一引脚；散热基板与所述第一外接引脚区位于所...
    2026-05-08
  • 引脚框架、SSD模组以及SSD装置
    引脚框架、SSD模组以及SSD装置_深圳三地一芯电子股份有限公司_202411531717.9
    本申请公开了一种引线框架、SSD模组以及SSD装置。该方案包括：第一基岛，第一基岛用于安装存储控制芯片；第二基岛，第二基岛用于安装Flash；引脚阵列，引脚阵列分布于第一基岛的四周。由于第一基岛和第二基岛的设置，使得引线框架能够同时集成有存...
    2026-05-08
  • 功率模块封装基板及其制作方法
    功率模块封装基板及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202511960790.2
    本公开提供一种功率模块封装基板及其制作方法。具体地，通过在嵌埋功率模块的框架基板的两个表面对称布设第三介质层，并且在第三介质层上设置第一散热槽暴露针对功率模块的散热面，能够在提高散热面积的同时保持封装基板的对称性，有效防止封装基板产生翘曲。
    2026-05-08
  • 一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法
    一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202610144768.9
    本发明涉及一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法，属于半导体封装和印刷线路板领域，解决了现有大尺寸芯片在埋入芯板时易发生扭曲或上翘导致共面性不良、芯片贴装对位精度较差以及由此带来的产品良率下降等问题中的至少一个。一...
    2026-05-08
  • 封装基板的通孔成型方法
    封装基板的通孔成型方法_清华大学_202610046876.2
    本申请的实施例提供了一种封装基板的通孔成型方法，涉及半导体工艺领域，主要解决目前封装基板的通孔工艺存在着刻蚀速度慢，成孔效率低或者成孔工艺不良的问题。该方法包括：在封装基板上定义通孔位置；采用掩膜版，在第一表面的通孔位置形成第一电极，并在第...
    2026-05-08
  • 一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法
    一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法_北京航空航天大学_202512041485.X
    本发明提供一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法，通过先制备有散热结构的金属基板，再在金属基板上沉积梯度化高导热陶瓷绝缘层，之后在绝缘层表面依次沉积并加厚电极层，最后对电极层进行图案化，即得所述金属化高导热绝缘金属基板。通过渐变式沉积技术...
    2026-05-08
  • 集合体片材的制造方法、以及集合体片材
    集合体片材的制造方法、以及集合体片材_日东电工株式会社_202511479843.9
    集合体片材(1)的制造方法包括：蚀刻工序，通过向金属制的基材(M)喷射蚀刻液而对基材(M)进行蚀刻，形成仅由金属构成的金属部分。在蚀刻工序中，调整具有金属部分的尺寸变得大于目标值的倾向的列的蚀刻条件，以使金属部分的尺寸变小，调整具有金属部分...
    2026-05-08
  • 一种显示面板、显示装置及制备方法
    一种显示面板、显示装置及制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202411546061.8
    本申请公开一种显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域，能够改善显示面板的漏光问题。本申请的显示面板包括驱动基板和发光器件层，驱动基板包括衬底层和驱动层，发光器件层设置于驱动层远离衬底层的一侧，驱动层包括像素电路；发光器件层包括第一电...
    2026-05-08
  • 硅衬底上方的蛇形高电压电阻器
    硅衬底上方的蛇形高电压电阻器_德州仪器公司_202511500421.5
    本公开涉及硅衬底上方的蛇形高电压电阻器。集成电路(100)包含：多层级金属化结构，其位于半导体层(102)上方，所述多层级金属化结构具有介电层(116)；焊盘金属层(118)，其位于所述介电层(116)上且包含第一电阻器端子(131)和第二...
    2026-05-08
  • 一种半导体器件制备方法及半导体器件
    一种半导体器件制备方法及半导体器件_华南理工大学_202610417674.4
    本申请提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在晶圆标记区域内，在P型衬底上生成N型注入区，在N型注入区表面形成接触孔，N型注入区与P型衬底构成PN结二极管；在N型注入区表面生成第一层金属层；按芯片金属...
    2026-05-08
  • 用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法
    用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法_意法半导体国际公司_202511542786.4
    本公开涉及用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法。本说明书涉及一种检测设备，该检测设备包括从第一导电类型的半导体衬底的第一表面被掩埋的半导体区域，被掩埋的半导体区域具有第二导电类型，并且介于半导体衬底的第二表面与电子电路之间；在...
    2026-05-08
  • 一种均热微通道散热装置及其生产工艺
    一种均热微通道散热装置及其生产工艺_无锡格林沃科技有限公司_202610135230.1
    本发明涉及热交换设备技术领域，具体涉及一种均热微通道散热装置及其生产工艺，包括中间散热块；底板，上表面中部开设有容纳槽，容纳槽与容纳孔相连通共同形成密闭的均热腔室；均热件，其由填充于均热腔室内的金属粉末经烧结成型，形成内部具有金属毛细孔结构...
    2026-05-08
  • 电力驱动产品封装结构及其形成方法
    电力驱动产品封装结构及其形成方法_长电科技管理有限公司_202610003484.8
    本申请公开了一种电力驱动产品封装结构及其形成方法，电力驱动产品封装结构包括：基岛和位于基岛周围的多个分立的管脚；功率芯片，功率芯片贴装在基岛上，功率芯片与管脚电连接；多个分立的第一垂直打线，位于功率芯片上且与其电连接；多个分立的第二垂直打线...
    2026-05-08
  • 微流道集成导热基板和应用微流道集成导热基板的功率模块以及制备方法
    微流道集成导热基板和应用微流道集成导热基板的功率模块以及制备方法_烟台大爱熠炜新材料有限公司_202610105033.5
    本发明公开了一种微流道集成导热基板及其制备方法，包括液冷散热器(60)，具有高导热绝缘介质层(601)，所述高导热绝缘介质层设置有液冷微流道(603)；所述高导热绝缘介质层具有第一表面，在所述第一表面上沉积有过渡层(605)；和在所述过渡层...
    2026-05-08
  • 一种微型电子器件主动冷却装置
    一种微型电子器件主动冷却装置_长三角国创超声(上海)有限公司_202511897353.0
    本发明公开一种微型电子器件主动冷却装置，包括：一个配置有多个入口阀的共振腔，所述共振腔还具有至少一个排出口；设置于所述共振腔内的压电冷却元件，所述压电冷却元件受控于电信号产生振动，所述振动驱动所述共振腔内的流体形成至少一条流体通道的单向流动...
    2026-05-08
  • 用于功率电子设备的防错设计
    用于功率电子设备的防错设计_罗伯特·博世有限公司_202511548848.2
    本发明涉及一种用于冷却功率电子元件的冷却器，包括壳体部件，所述壳体部件具有用于冷却流体的流动通道；和湍流器，所述湍流器具有周期性交替结构，其中，所述湍流器布置在所述流动通道中，其中，所述流动通道沿流动方向延伸，并且其中，到所述湍流器中的流入...
    2026-05-08
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