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最新专利技术
  • 发光装置及显示设备
    发光装置及显示设备_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202311212641.9
    一种发光装置及显示设备，发光装置包括通过粘接层粘接的第一发光单元和第二发光单元，粘接层与第一发光单元或第二发光单元的第二半导体层相向设置，第二半导体层与所述粘接层之间还包括一导电层，导电层朝向粘接层一面的表面粗糙度或表面积大于导电层朝向第二...
    2026-05-09
  • 微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯
    微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯_上海显耀显示科技股份有限公司_202411498572.7
    一种微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯，其中微型发光二极管芯片包括：第一外延层，第一外延层具有相对的第一侧和第二侧；位于第一侧的若干多量子阱层，多量子阱层与第一外延层接触；位于第一侧的若干第二外延层，每个多量子阱层位于第一外延层和对应...
    2026-05-09
  • 反极性发光二极管及其制备方法
    反极性发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511827370.7
    本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、金属反射层、透明导电层、介质层、外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极设置在所述衬底的第一面，所述金属反射层、所述透明导电层、所述介质层、所述外...
    2026-05-09
  • 芯片结构、显示面板及其制备方法
    芯片结构、显示面板及其制备方法_成都辰显光电有限公司_202411525015.X
    本申请提供一种芯片结构、显示面板及其制备方法。芯片结构包括：外延叠层包括沿其第一表面朝向第二表面的方向依次层叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且具有自第二表面至少延伸至第一半导体层的引出孔；第一电极与第二半导体层电连接；第二电极包括第...
    2026-05-09
  • 一种Micro-LED元件、显示模组及其制备方法
    一种Micro-LED元件、显示模组及其制备方法_厦门大学_202610139232.8
    本发明公开了一种Micro‑LED元件、显示模组及其制备方法，应用于微型发光二极管技术领域，图案化衬底的表面设置有第一凸起结构，第一凸起结构具有与厚度方向倾斜的侧壁；位于图案化衬底设置有第一凸起结构一侧表面的外延层；外延层包括有源区；外延层...
    2026-05-09
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511894630.2
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、连接电极、第一电极和第二电极；外延结构包括台阶结构，台阶结构包括台阶顶面和台阶底面，台阶顶面为外延结构的出光面；连接电极位于台阶顶面，第一电极位于连接电极的远离所述台阶顶面的...
    2026-05-09
  • 一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法
    一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202610244281.8
    本发明公开了一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法。该外延片包括衬底、锌掺杂渐变复合缓冲层及氮化镓基外延层叠结构，其中锌元素浓度沿生长方向呈梯度分布，优选为从靠近衬底侧向远离衬底侧梯度递减。缓冲层包含 Zn3...
    2026-05-09
  • 一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法
    一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202610214817.1
    本发明公开了一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法，属于半导体光电器件技术领域。该外延结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、MQW发光层、低温P型层、电子阻挡层及复合P型层。应力释放层通...
    2026-05-09
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202512049117.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括有源层以及相对设置于所述有源层两侧的第一半导体层和第二半导体层，有源层包括周期性交替叠置的阱层和垒层；其中，在至少一个周期中，垒层具有依次叠置的第一掺杂层和第二掺杂层，第二掺杂层相较于第一...
    2026-05-09
  • 一种绿光Micro-LED外延结构及其制备方法
    一种绿光Micro-LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202610022159.6
    本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。外延结构中多量子阱发光层包括依次层叠的N极性蓝光多量子阱层、N极性青光多量子阱层、Ga极性绿光多量子阱层和N极性蓝光末量子阱层；N极性蓝光多量子阱层、N极性...
    2026-05-09
  • 一种具有极性反转量子垒结构的紫外发光二极管
    一种具有极性反转量子垒结构的紫外发光二极管_金陵科技学院_202512045039.6
    本发明公开了一种极性反转量子垒结构的紫外发光二极管，其特征在于，包括：由下至上依次设置的衬底、金属极性的AlGaN缓冲层、金属极性的n型AlGaN层、具有氮极性量子垒结构的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、金属极性的电子...
    2026-05-09
  • 一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED
    一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED_南京大学_202610153186.7
    本发明公开了一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED, 其结构自下而上依次包括 : 衬底; n 型注入层; 多量子阱有源层; p 型电子阻挡层; p 型注入层; p 型 GaN 层; 其中所述p 型注入层为GaN与AlN 交替生长的...
    2026-05-09
  • 多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管
    多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管_材料科学姑苏实验室_202411521094.7
    本发明提供一种多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管，涉及发光二极管技术领域。多层量子阱结构包括周期性层叠设置的多个量子阱层和多个量子垒层，量子阱层和量子垒层的材质均为AlGaInP，每个周期的量子阱层和量子垒层之间设置...
    2026-05-09
  • 一种高质量氮极性GaN材料及其低温制备方法
    一种高质量氮极性GaN材料及其低温制备方法_吉林大学_202610167307.3
    一种高质量氮极性GaN材料及其低温制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。首先通过MOCVD方法在衬底层上外延生长高温GaN模板层，再在高温GaN模板层上生长InGaN层，然后在InGaN层上外延生长低温GaN层，InGaN层和低温GaN...
    2026-05-09
  • 微型发光器件及其制备方法、电子设备
    微型发光器件及其制备方法、电子设备_深圳市思坦科技有限公司_202610160594.5
    本申请涉及一种微型发光器件及其制备方法、电子设备，方法包括：提供驱动晶圆；提供外延结构，外延结构包括衬底、电解牺牲层、第一半导体层、发光层、第二半导体层，电解牺牲层设置于衬底的一侧，第一半导体层设置于电解牺牲层背离衬底的一侧，电解牺牲层的掺...
    2026-05-09
  • 一种高光效青光LED外延结构及其制备方法
    一种高光效青光LED外延结构及其制备方法_福州华兆光电有限公司_202610142989.2
    本发明公开了一种高光效青光LED外延结构及其制备方法，生长多量子阱有源区时，依次生长有源区阱层、界面处理层、缺陷阻挡层和有源区垒层；生长界面处理层时，设定反应腔温度范围在820‑870℃，载气为氮气和氢气，对有源区阱层进行原位刻蚀，形成界面...
    2026-05-09
  • 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
    一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610133815.X
    本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤：在MOCVD反应腔内，以氨气、三甲基镓和硅烷作为源料，生长n‑GaN层；n‑GaN层的生长过程包括若干个第一生长阶段和若干个第二生长阶段，第一生长阶段的...
    2026-05-09
  • 用于倒装LED芯片制造的电极接触孔形成方法和倒装LED芯片
    用于倒装LED芯片制造的电极接触孔形成方法和倒装LED芯片_福州华兆光电有限公司_202610110039.1
    本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种用于倒装LED芯片制造的电极接触孔形成方法和倒装LED芯片。该方法在形成电极开孔的工艺步骤中，涉及在绝缘层上涂覆正性光刻胶、曝光后，首先在110‑112℃的温度下烘烤80‑90秒，再进行显影，然后以显影...
    2026-05-09
  • 发光二极管和发光二极管的制作方法
    发光二极管和发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511896761.4
    本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。所述方法包括：制作外延层；对所述外延层进行刻蚀，形成台阶结构，所述台阶结构包括台阶顶面、台阶底面以及连接所述台阶顶面和所述台阶底面的倾斜侧壁；对所述台阶结构的倾斜侧壁进行湿...
    2026-05-09
  • 一种InSb基量子点Mirco-LED及其制备方法
    一种InSb基量子点Mirco-LED及其制备方法_九江学院_202511887149.0
    本发明公开了一种可高效发射近红外二区InSb基量子点Mirco‑LED及其制备方法，该制备方法首先在透明导电基底上通过光刻和湿法刻蚀形成像素化图案，随后依次制备空穴注入层、空穴传输辅助层、InSb量子点发光层、电子传输层等功能层，最后通过真...
    2026-05-09
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