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最新专利技术
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202610173826.0
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，通过在P型GaN层上形成图案化的氢扩散阻挡层，并利用该阻挡层的退火窗口对P型GaN层进行局部退火处理，实现了预设栅极区域中Mg激活率的渐变分布，即Mg激活率从源极向漏极方向逐渐减小，相应的，越靠近漏极...
    2026-05-10
  • 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
    薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610145984.5
    本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板，薄膜晶体管的制作方法包括提供衬底；在衬底的一侧制备金属氧化物有源层；在金属氧化物有源层远离衬底的一侧制备第一绝缘层；在第一绝缘层远离衬底的一侧制备栅极；向第一注入区和第二注入区注入至...
    2026-05-10
  • 功率场效应晶体管及其形成方法
    功率场效应晶体管及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113517.4
    本发明提供一种功率场效应晶体管及其形成方法，功率场效应晶体管的形成方法包括：先提供一衬底；接着形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述衬底且所述硬掩模层的厚度为第一目标厚度；形成场氧化层，所述场氧化层从所述衬底中延伸至所述衬底上；形成JFET结构...
    2026-05-10
  • U型沟槽的制造方法
    U型沟槽的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411547779.9
    本发明公开了一种U型沟槽的制造方法，U型沟槽X方向光刻过程保留在场氧上的光刻胶会保护非U型沟槽区域的Y方向开口的场氧上的硬质掩膜，不会导致非U型沟槽区域的Y方向开口的场氧上的硬质掩膜损失，增大了U型沟槽工艺窗口；进行X方向硅刻蚀形成U型沟槽...
    2026-05-10
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411527287.3
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成有栅极结构，衬底至少包括第一区域和第二区域；形成覆盖栅极结构的第一硬掩膜层、停止层和第二硬掩膜层；刻蚀去除第二区域的部分栅极结构以及部分衬底以形成沟槽；形成填...
    2026-05-10
  • 一种栅极全环绕场效应晶体管
    一种栅极全环绕场效应晶体管_北方工业大学_202511849857.5
    本申请提供一种栅极全环绕场效应晶体管，包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上方的源极区、漏极区、栅极结构和多个纳米结构；栅极结构包括多个间隔的贯通孔，贯通孔的穿透方向平行于半导体衬底的上表面，各个纳米结构分别填充于贯通孔内，并且源极区和漏极区...
    2026-05-10
  • 栅极结构及其制造方法
    栅极结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510973380.5
    本公开涉及栅极结构及其制造方法。一种方法，包括：在第一和第二器件区域处形成IL以环绕每个半导体沟道层；在IL之上形成HK电介质层；在HK电介质层之上形成调整层，该调整层包括用于具有第一导电性的器件的元素；在第一和第二器件区域处在调整层之上形...
    2026-05-10
  • 具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法
    具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法_浙江芯盟半导体技术有限责任公司_202610127869.5
    本申请属于功率半导体器件领域，具体公开具有补偿型浮空P区的低损耗IGBT芯片及其制备方法。本申请在浮空P区内部形成N‑CS层，由于N‑CS层在器件导通时形成空穴势垒，浮空P区增大了发射极侧的空穴浓度，为了保持电中性，发射极侧的电子注入增强，...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_美垦半导体技术有限公司_202511995012.7
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域，包括：第一导电类型的半导体衬底，其中形成有多类型栅极结构，包括至少一个用于栅极的第一栅极结构和至少一个用于虚拟栅极的第二栅极结构；第一导电类型的第一浮空区，位于第一栅极结构和第二...
    2026-05-10
  • 一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
    一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911601.2
    本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，所述锗硅异质结双极晶体管包括：硅基双极晶体管基础结构；选择性注入集电区，形成在轻掺杂硅外延集电区内；基区‑集电区隔离介质层，形成在场区介质层和轻掺杂硅外延集电区上侧；过渡硅外延集电区，形成在选...
    2026-05-10
  • 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
    锗硅异质结双极晶体管及制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911597.X
    本申请提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法。该晶体管在衬底上依次形成集电区、场区氧化硅层、外基隔离层、外基区多晶硅层及发射区；其后，在覆盖器件表面的第一介质层上，设置了一层金属或金属硅化物屏蔽层，该屏蔽层位于集电极、基极和发射极中任意两...
    2026-05-10
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911594.6
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，在n型重掺杂多晶硅发射区与L形氧化硅内侧墙之间插入了p型重掺杂多晶硅发射区内侧墙，能够导致或者加强L形氧化硅内侧墙下...
    2026-05-10
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911593.1
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，对于基础结构中的场区氧化硅层以及工艺流程中涉及的基区‑集电区隔离氧化硅层、氧化硅隔离层及氧化硅隔离层后续形成的L形氧...
    2026-05-10
  • 锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911590.8
    本申请公开了一种锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结npn型双极晶体管及其制备方法，通过p型原位掺杂的锗硅碳选择性外延生长方法，能够同时生长得到位于所述氮化硅内侧墙包围区域下方的p型原位硼掺杂的锗硅碳...
    2026-05-10
  • 一种新型高功率密度NPN器件结构
    一种新型高功率密度NPN器件结构_杰平方半导体(上海)有限公司_202411512356.3
    本发明公开了一种新型高功率密度NPN器件结构，属于半导体器件技术领域，该新型高功率密度NPN器件结构，包括第一导电类型衬底和至少两个ZP埋层，所述ZP埋层设置在所述第一导电类型衬底中的预定深度处，所述ZP埋层之间设置有第一导电类型埋层，所述...
    2026-05-10
  • 多沟道功率二极管及其制备方法
    多沟道功率二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511855316.3
    本公开提供了一种多沟道功率二极管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道功率二极管包括：外延层、阳极层和阴极层；所述外延层包括多个层叠的异质结，所述外延层的顶面具有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽均延伸至最远离所述外...
    2026-05-10
  • 氮化镓肖特基二极管及其制备方法
    氮化镓肖特基二极管及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202610173824.1
    本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，通过使用N型SiC衬底有效降低成本，并利用SiC材料的高热导率改善器件的散热性能。由于在P型GaN层中形成有Mg与H成键的Mg‑H结构，通过图案化的氢扩散阻挡层实现Mg的渐变激活，使得电场调控区...
    2026-05-10
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202511520685.7
    本发明提供半导体装置。能够得到难以发生二次击穿的RFC二极管。在背面侧，n型阴极层(12)和p型阴极层(13)在俯视时交替地形成，n型阴极层(12)和p型阴极层(13)与阴极电极(21)连接。正面侧半导体区域具备：第一p型阳极层(15)，其...
    2026-05-10
  • 集成无源器件和电子设备
    集成无源器件和电子设备_北京京东方光电科技有限公司_202411545369.0
    提供一种集成无源器件包括：器件主体层，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电容功能层，所述电容功能层包括至少一个电容；第一导电层，位于所述器件主体层沿第一方向的一侧，所述衬底基板具有面向所述电容功能层的第一表面，所述第一方向垂直于所述第一表面...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202610031566.3
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底第一面刻蚀形成多个沟槽；在所述沟槽内依次形成沟槽电容的下极板、介电层及上极板；在至少部分沟槽上方形成第一通孔导电结构，该第一通孔导电结构电连接于其下方沟槽内的下极板，并通过...
    2026-05-10
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