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最新专利技术
  • 一种晶圆的吸盘式转运机构
    一种晶圆的吸盘式转运机构_苏州同冠微电子有限公司_202610417780.2
    本发明涉及晶圆吸盘技术领域，尤其是一种晶圆的吸盘式转运机构，包括机械臂、支撑环、吸盘组件、气路结构和驱动单元，支撑环设在机械臂输出端；吸盘组件包括支撑块和吸盘主体，支撑块设在支撑环上，吸盘主体转动设置在支撑块内，吸盘主体为锥状主体，并与支撑...
    2026-05-08
  • 基片处理装置和测量方法
    基片处理装置和测量方法_东京毅力科创株式会社_202511485975.2
    本发明提供一种基片处理装置和测量方法，其能够以简易的结构来测量位于基片的表面的膜的膜厚。基片处理装置包括输送装置、测量装置和控制部。输送装置具有保持并输送基片的输送臂。测量装置测量位于基片的表面的膜的膜厚。测量装置具有：壳体，其具有能够供保...
    2026-05-08
  • 焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品
    焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品_深圳佰维存储科技股份有限公司_202610182588.X
    本申请公开一种焊点测试架构及其制备工艺、封装体测试系统及程序产品，涉及电子封装技术领域，在该焊点测试架构中，测试基板的表面形成有至少一个测试基体结构；覆盖于测试基板及测试基体结构的表面上的互联测试层包括焊点焊盘、互连焊盘以及测试焊盘；焊点焊...
    2026-05-08
  • 半导体测试结构及方法
    半导体测试结构及方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610425182.X
    本申请提供了一种半导体测试结构及方法，属于半导体技术领域，所述半导体测试结构位于一待检测晶圆上，包括设于待检测晶圆中漏区、源区及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述漏区与所述源区之间，以隔离所述漏区与所述源区，所述源区包括至少一个第一叉指...
    2026-05-08
  • 半导体测试结构及厚度测量方法
    半导体测试结构及厚度测量方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610427694.X
    本申请实施例公开了一种半导体测试结构及厚度测量方法。该半导体测试结构包括：衬底，衬底上形成有凹槽；外延层，基于所述凹槽形成，外延层包括依次堆叠的缓冲层、籽晶层和硅帽子层；缓冲层覆盖所述凹槽的底部表面；籽晶层呈凸起状，且位于缓冲层上方；硅帽子...
    2026-05-08
  • 缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质
    缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511842176.6
    本公开提供一种缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质。该拦截方法包括：获取待退火晶圆上的缺陷的预测失效风险系数，其中，预测失效风险系数用于量化待退火晶圆上的缺陷在退火制程中发生劣化后，由劣化缺陷诱发待退火晶圆发生失效的概率；基于预测失效风险系...
    2026-05-08
  • 一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法
    一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法_佛山大学_202610041655.6
    本发明涉及微电子可靠性试验技术领域，一种微Led芯片键合力原位检测装置及方法，包括扫描单元、移动单元、处理单元、执行限制机构和检测模块，由于执行限制机构包括力过载保护模组、悬臂梁、剪切顶针和通电探针，悬臂梁的一端连接力过载保护模组，另一端分...
    2026-05-08
  • VDMOS器件的制造检测方法
    VDMOS器件的制造检测方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202610148948.4
    本申请提供一种VDMOS器件的制造检测方法。该方法通过获取表征VDMOS器件阵列区沟槽结构的工艺监测信号，并对工艺监测信号进行特征提取处理，以获得沟槽几何特征参数，然后，基于沟槽几何特征参数，确定对应VDMOS器件的导通电阻及击穿电压的预测...
    2026-05-08
  • 一种晶圆显微检测系统
    一种晶圆显微检测系统_瀚积智能科技(上海)有限公司_202610231716.5
    本发明公开了一种晶圆显微检测系统，涉及晶圆检测技术领域，旨在解决传统检测效率低、易误判及晶圆易二次损伤的问题。该系统包括工作台，工作台上设机械臂，机械臂端部有吸盘；工作台上还布置晶圆分类仓、宏检测装置、微检测装置和识别装置，各装置均位于机械...
    2026-05-08
  • 太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件
    太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610432786.7
    本申请涉及一种太阳能电池断栅检测方法、检测系统及光伏组件，太阳能电池断栅检测方法包括如下步骤：提供多片半导体基片；在若干片半导体基片表面采用第一浆料进行金属化处理形成第一主栅线，得到第一基片；且在若干片半导体基片表面采用第二浆料进行金属化处...
    2026-05-08
  • 一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件
    一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511944578.7
    本发明公开了一种U形PR掩膜的制备方法及碳化硅功率器件，涉及半导体功率器件领域，方法包括：在碳化硅外延片上形成带沟槽的氧化硅掩膜；旋涂稀释后的PI光刻胶，利用旋涂流动性和台阶差在沟槽内自然形成U形槽；采用无需曝光的分步可控显影工艺，先后使用...
    2026-05-08
  • 基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法
    基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法_中北大学_202610315795.8
    本发明提供一种基于硬掩膜约束电镀的碳化硅金属掩膜制备方法，涉及半导体技术领域，其中，方法包括：对待刻蚀晶圆与电镀母版硅片进行清洗操作；在待刻蚀晶圆之上依次形成黏附层以及种子层，并在电镀母版硅片之上形成键合层；将待刻蚀晶圆、电镀母版硅片进行基...
    2026-05-08
  • 碳化硅电化学阳极氧化-等离子体协同抛光方法
    碳化硅电化学阳极氧化-等离子体协同抛光方法_浙江工业大学_202610117126.X
    本发明提供了碳化硅电化学阳极氧化‑等离子体协同抛光方法，该方法包括以下步骤：S1，将碳化硅晶片进行机械研磨；S2，将碳化硅晶片进行清洗；S3，配制电解液；S4，将碳化硅晶片作为阳极放入电解池中，与电源正极相连；在阳极上方设置阴极板，并与电源...
    2026-05-08
  • 一种半导体硅片中的裂缝处理方法
    一种半导体硅片中的裂缝处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411500732.7
    本发明公开了一种半导体硅片中的裂缝处理方法，包括：在半导体硅片的表面上涂布氧化剂，并保持第一预设时间，以对所述半导体硅片的表面上的裂缝进行氧化处理；以预设的填充压力将绝缘体填充到氧化后的裂缝中，并在所述填充压力下保持第二预设时间；对所述氧化...
    2026-05-08
  • 一种均温加热装置
    一种均温加热装置_杭州先导热电科技有限公司_202511472852.5
    本发明公开了一种均温加热装置，旨在解决晶圆加热盘边缘热损耗导致温度不均，从而影响晶圆的热处理效果的不足。该发明包括底部支撑台和均热板，均热板安装在底部支撑台上，均热板内从中心到边缘设置若干圈径向间隔布设的液体流道，液体流道中装载液体介质，液...
    2026-05-08
  • 冷却板、包括冷却板的系统和用于控制系统中水分的方法
    冷却板、包括冷却板的系统和用于控制系统中水分的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511545995.4
    提供一种衬底处理系统，用于在制造操作期间进行有效的水分控制。系统包括具有冷却板的缓冲室，冷却板联接到低温泵以流通冷冻剂，例如液氮。在衬底转移期间释放的残余水分和水蒸汽被捕获并冷凝到冷却板上。再生系统使用传感器监测水分积聚，并在达到设定阈值时...
    2026-05-08
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411517093.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该制造方法在接触孔刻蚀停止层沉积前，选择性沉积介质修复层于器件隔离结构被损耗的顶部表面上，以将器件隔离结构被损耗的顶部修补好，由此避免后续沉积金属前绝缘介质层时易形成填充空洞的问题，进而避免该填充空洞导...
    2026-05-08
  • 半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备
    半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610427522.2
    本公开涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备。半导体结构包括：衬底；第一隔离结构，沿第一方向和第二方向相互间隔且阵列设置于衬底中，第一方向和第二方向相互垂直；第二隔离结构，沿第二方向延伸，且沿第一方向...
    2026-05-08
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411632088.9
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要先形成一金属间介电层于一基底的逻辑区以及电容区上，然后形成第一金属内连线于逻辑区以及第二金属内连线于电容区的金属间介电层内，去除第二金属内连线旁的金属间介电层，再形成一高介...
    2026-05-08
  • 改进可润湿金属化多层在集成电子设备中的粘附的方法
    改进可润湿金属化多层在集成电子设备中的粘附的方法_意法半导体国际公司_202511527716.1
    本公开的实施例涉及改进可润湿金属化多层在集成电子设备中的粘附的方法。公开了用于形成含银可润湿材料结构的工艺，其中，在包含铝的金属层上，锌层被沉积，锌层与金属层发生反应，并且创建表面微粗糙度；锌层被去除；并且包含银的可润湿层通过气相沉积而被沉...
    2026-05-08
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