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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610074798.7
    本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；连接垫，位于衬底上，连接垫沿第一方向排成多行，沿第二方向排成多列，形成连接垫阵列；外围堤结构，设置在连接垫阵列的外侧；角围堤结构，设置在连接垫阵列与外围堤结构之间；其中，外围堤结构...
    2026-04-30
  • 存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法
    存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法_北京大学_202610183039.4
    本申请公开了一种存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法，涉及半导体器件领域，该存储器单元结构包括晶体管以及存储结构，存储结构位于晶体管的漏端，晶体管的沟道层设置为环形结构，且连接于源端和漏端之间，晶体管的栅极结构设置于环形沟道层内侧，存...
    2026-04-30
  • 存储器装置
    存储器装置_福建省晋华集成电路有限公司_202610186401.3
    本发明公开了一种存储器装置。存储器装置包括半导体衬底、多条位线结构、第一侧壁结构、存储节点接触结构与第一空隙、凹陷和第二侧壁结构，位线结构与存储节点接触结构设置在半导体衬底上，各位线结构沿第一方向延伸，且多条位线结构沿第二方向排列设置，第一...
    2026-04-30
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202610395899.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，制备方法包括：提供第一初始结构，形成位于第一区域上的第一开口以及位于第二区域上的对准结构；提供第二初始结构，第一堆叠层和第二堆叠层均包含交替叠设的第一子层和第二子层；将第一初始...
    2026-04-30
  • 一种闪存阵列及闪存芯片
    一种闪存阵列及闪存芯片_杭州知存算力科技有限公司_202610304117.1
    本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括阵列排布的多个闪存模块；闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；存算单元与虚设单元相间排布；虚设单元包括第一衬底、位于第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于第一衬底上...
    2026-04-30
  • 芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法
    芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法_华为技术有限公司_202411500929.0
    本申请实施例公开了一种芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法，涉及半导体存储技术领域，减小了三维存储器的布线设计复杂、工艺复杂且成本较高的问题。三维存储器包括具有阵列区和台阶区的衬底、包括多个存储单元的堆叠结构、控制线及多个连接电路...
    2026-04-30
  • 基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和电路结构
    基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和电路结构_复旦大学_202511993072.5
    本发明实施例提供一种基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和和电路结构，方法包括：在目标衬底上沉积图案化的第一金属薄膜作为电荷俘获层；通过定位转移法在所述电荷俘获层上堆叠六方氮化硼薄膜作为隧穿层；通过机械剥离法制得二硫化钼薄膜，将所述...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516082.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构和第二导电结构。第二导电结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧且与第一导电结构接触。第二导电结构与第一导电结构接触的部分在第二方向上朝第一导电结构凸出。第一方向与...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516095.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构、堆叠结构、接触结构和第二导电结构。堆叠结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧，并包括在第一方向上交替堆叠的第一介质层和栅极层。接触结构位于第一导电结构在第一方向...
    2026-04-30
  • 存储器阵列及具有其的设备
    存储器阵列及具有其的设备_北京新忆科技有限公司_202511868354.2
    本申请提出一种存储器阵列及具有其的设备，其中，存储器阵列包括多个2T1R结构，所述2T1R结构包括第一晶体管、第一存储器单元和第二晶体管，所述第一晶体管的第一端分别连接所述第一存储器单元的第一端和所述第二晶体管的第二端；位于同一行的多个所述...
    2026-04-30
  • 存储器器件、半导体器件及其形成方法
    存储器器件、半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045146.9
    本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其形成方法。存储器器件包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个包括串联连接在第一存取线和第二存取线之间的电阻元件和晶体管。第一存取线至少包括第一金属轨道和第二金属轨道，第一金属轨道设置在衬底...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202610310384.X
    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底表面形成若干堆叠层和若干第一开口，各所述第一开口位于相邻两个堆叠层之间；在所述第一开口侧壁和底部表面形成初始第一保护层，以所述第一开口形成第二开口，所述第二开口顶部尺寸小于所述第二开口底部尺寸...
    2026-04-30
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510861087.X
    提供了一种半导体封装件，该半导体封装件具有堆叠有多个存储芯片的结构，并且具有最小化的物理损伤和改进的可靠性。半导体封装件包括基底芯片；多个存储芯片，多个存储芯片设置在基底芯片上；以及密封材料，密封材料在基底芯片上密封多个存储芯片，其中，多个...
    2026-04-30
  • 一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质
    一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质_华南理工大学_202610154297.X
    本申请提供了一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：对衬底进行刻蚀获得深沟槽，在衬底表面生成第一介质层；利用化学气相沉积对生成第一介质层后的深沟槽进行多晶硅填充，对多晶硅进行回刻蚀处理获得下层...
    2026-04-30
  • 具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法
    具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法_意法半导体国际公司_202511539274.2
    本公开涉及具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法。一种肖特基二极管，其包括具有有源区的衬底。沟槽延伸到衬底外延层中，沟槽的侧壁和底表面衬覆有绝缘层，每个沟槽的其余部分填充有多晶体硅(多晶硅)填充物。在相邻沟槽之间的位置处的外延层中注入...
    2026-04-30
  • 一种硅基材料的低压降芯片制作方法
    一种硅基材料的低压降芯片制作方法_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511917833.9
    本发明公开了一种硅基材料的低压降芯片制作方法，包括：S1、提供具有外延层的硅衬底；S2、在外延层的表面形成氧化层；S3、对氧化层进行光刻，而后硼扩散，在外延层中形成若干P+区；S4、对氧化层进行光刻，而后磷掺杂，在外延层中形成N+区；S5、...
    2026-04-30
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610061077.2
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括第一表面和第二表面；第一表面设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽包括第三子沟槽和第...
    2026-04-30
  • 自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511815163.X
    本申请公开了一种自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述自对准锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂集电区埋层，形成在衬底上；硅外延集电区和场区氧化硅层，分别形成在重掺杂集电区埋层上；锗硅外延基区，形成在硅外延集电...
    2026-04-30
  • 全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511820259.5
    本申请公开了一种全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，利用选择性腐蚀或者刻蚀使得硅外延发射区和硅外延集电区以及部分重掺杂硅集电区都相对于锗硅外延基区向内自对准缩进，使得...
    2026-04-30
  • 半导体器件、制备方法以及控制方法
    半导体器件、制备方法以及控制方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610045379.0
    本发明提供一种半导体器件、制备方法以及控制方法，所述制备方法包括：提供基底，基底内形成有体区层且包括多个器件单元区，每个器件单元区包括MOS晶体管区和双极晶体管区；形成第二MOS晶体管，包括在MOS晶体管区的体区层内形成掩埋掺杂区和沟槽式伪...
    2026-04-30
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