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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_瑞萨电子株式会社_202511463474.4
    本公开的各实施例涉及半导体器件。一种LDMOSFET形成在半导体衬底的主表面处。LDMOSFET包括全部形成在n型半导体层中的n型漏极区、n型源极区、n型漂移区、第一p型阱区和第二p型阱区。n型漂移区与n型漏极区的底表面接触，第二p型阱区与...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构及其制备方法、电子设备
    一种半导体结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411509937.1
    本申请实施方式提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该电子设备包括半导体结构。该半导体结构包括器件层、接触层、互连层。器件层包括一个或多个器件。接触层位于器件层上方，包括第一介质层、一个或多个第一导电部和第二导电部；每个第一导电部与一个...
    2026-05-10
  • 用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理
    用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理_德州仪器公司_202511487309.2
    本申请涉及用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理。在示例中，一种装置包含半导体衬底(102)、底座电介质堆叠(402g，404e)、双极结型晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述衬底(102)包含BJT区(104)、FET区(110...
    2026-05-10
  • 一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC-IGBT结构
    一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202610020613.4
    本发明提供一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，该具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，包括器件主体，底部设集电极金属，依次向上为p+集电极区、FS层、n－漂移区，顶部含栅极沟槽、n+发射区、p+接触...
    2026-05-10
  • p型氮化物基晶体管
    p型氮化物基晶体管_德州仪器公司_202511502946.2
    本公开涉及一种p型氮化物基晶体管。一种半导体装置(500)包含第一半导体材料(510、515)，所述第一半导体材料又包含双极结型晶体管BJT (504)；及第二半导体材料(550、555、560)，所述第二半导体材料位于所述第一半导体材料(...
    2026-05-10
  • 用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理
    用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理_德州仪器公司_202511470155.6
    本公开涉及用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理。在实例中，装置包含半导体衬底、位于所述衬底上方的基座电介质堆叠以及位于所述衬底上的BJT。所述基座电介质堆叠在所述基座电介质堆叠的第一子层与第二子层之间的界面处包含氮。开口穿过所述基座...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法和半导体结构
    半导体结构的制造方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610380978.8
    本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括提供一衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区；在衬底上方形成覆盖NMOS器件区和PMOS器件区的高介电常数介电层；在高介电常数介电层上方形成栅堆叠结构，栅堆叠结构位于N...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610121695.1
    本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例会提供包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成半导体层，形成从半导体层上表面延伸至半导体层内部的深隔离沟槽和栅极沟槽，在深隔离沟槽内部和栅极沟槽内部分别形...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610008311.5
    本揭露的一实施方式提供半导体结构的制造方法。一种方法包括：在一第一装置区中且在一第二装置区中：形成多个第一磊晶层及多个第二磊晶层的一堆叠；在堆叠上方形成一牺牲栅极；蚀刻堆叠以形成具有一底表面的一空腔；移除第一磊晶层以形成多个缝隙；及在底表面...
    2026-05-10
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012202.9
    方法包括：在用于底部器件的底部半导体沟道上方形成用于顶部器件的顶部半导体沟道；形成包裹顶部半导体沟道和底部半导体沟道的每个的高k栅极介电层；在高k栅极介电层上方形成第一栅极金属；回蚀第一栅极金属以暴露高k栅极介电层的顶部部分，而高k栅极介电...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012127.6
    方法包括：形成邻近第一沟道区域的下部源极/漏极区域；在下部源极/漏极区域上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成伪源极/漏极区域，其中，伪源极/漏极区域邻近第二沟道区域，其中，第二沟道区域位于第一沟道区域上方；在形成伪源极/漏极区域之后，在第一沟道...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512011889.4
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件，其包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构；形成下部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域，半导...
    2026-05-10
  • 制造电子装置的方法和相应的电子装置
    制造电子装置的方法和相应的电子装置_意法半导体国际公司_202511532994.6
    本公开涉及制造电子装置的方法和相应的电子装置。本说明书涉及一种制造电子装置的方法，该电子装置包括第二区域中的第一FinFET晶体管和第二区域中的第二MOSFET晶体管，方法包括：在第一区域中沿着半导体衬底的第一鳍状物形成第一长度的第一牺牲栅...
    2026-05-10
  • 一种集成了双自偏置MOS管的减小饱和电流的RC-LIGBT器件
    一种集成了双自偏置MOS管的减小饱和电流的RC-LIGBT器件_重庆市集成电路协同创新中心_202610166760.2
    本发明设计一种集成了双自偏置MOS管的减小饱和电流的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明包括集电极侧的自偏置NMOS和在发射极的自偏置PMOS。正向导通时，自偏置NMOS的衬底抑制了电子直接通过集电极N+到达集电极，消除了Sna...
    2026-05-10
  • 一种RC-IGBT器件结构及其制作方法
    一种RC-IGBT器件结构及其制作方法_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202610114424.3
    本发明提供一种RC‑IGBT器件结构及其制作方法，该RC‑IGBT器件结构及其制作方法，包括晶圆，其底部设背面金属层、FRD阴极及集电极，顶部设元胞区，元胞区内包含正面金属层、P‑Body区域、载流子存储层、Trench栅极结构、N‑sou...
    2026-05-10
  • 一种基于微带线的可调超材料复合结构
    一种基于微带线的可调超材料复合结构_许昌学院_202610153545.9
    本发明公开了一种基于微带线的可调超材料复合结构, 包括微带线、贴片电感、变容二极管、磁珠、电阻; 微带线的中心导带左侧部分和右侧部分分别周期性地开设有上下贯穿的机械通孔, 贴片电感插在机械通孔内并与微带线的中心导带和接地板接通; 微带线的中...
    2026-05-10
  • 芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块
    芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块_采埃孚股份公司_202411513791.8
    本发明涉及汽车零部件技术领域，提供芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块。芯片封装结构包括：母排，母排上设置有多个芯片槽；多个芯片单元，分别嵌入多个芯片槽中，多个芯片单元中至少包括两个不同类型的芯片单元；其中，芯片槽的底部设置有电化学镀层...
    2026-05-10
  • 用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件
    用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件_西安电子科技大学_202511753690.2
    本发明公开了一种用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件。该低阻金属半导体接触结构，包括依次层叠设置的锗掺杂层、石墨烯层和金属电极；锗掺杂层中的锗掺杂浓度为1×1019 cm‑3至5×1019 cm‑3；石墨烯层至少包含一层石...
    2026-05-10
  • 一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法
    一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610406125.7
    本发明公开一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法，结构包括半导体外延层、形成于半导体外延层中的沟槽、设置于沟槽内的栅极绝缘层以及由栅极绝缘层限定形成的至少一个安装腔；在各安装腔内分别设置有栅极导电层，并在栅极导电层外表面与对应...
    2026-05-10
  • 一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构
    一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构_河北工业大学_202610140229.8
    本发明公开一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构，包括源电极、漏电极、基础衬底层、绝缘层、六方氮化硼衬底层、石墨烯沟道层、栅电极和栅介质层；基础衬底层、绝缘层、六方氮化硼衬底层、石墨烯沟道层由下至上依次布置，源电极和漏电极分别位于石墨烯...
    2026-05-10
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