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最新专利技术
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_上海艾为微电子技术有限公司_202610116165.8
    本申请公开一种芯片封装结构和电子设备；芯片封装结构包括：芯片、引线框架、第一导热引线和封装层；芯片与引线框架电连接；芯片的至少部分表面被封装层包覆；第一导热引线的至少部分位于封装层内，且第一导热引线的第一端与引线框架连接，第一导热引线的第二...
    2026-05-01
  • 一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺
    一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺_江苏荧磁半导体有限公司_202610096344.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种集成电路芯片封装结构，包括基座与环氧树脂，基座上方设有芯片，芯片两侧设有多组用于为芯片提供工作电压的引脚，基座与引脚之间设有用于固定芯片的粘接层，芯片上方设有多组用于散热的翅片，翅片下方设有用于传导热...
    2026-05-01
  • 一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法
    一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法_武汉理工大学_202610004766.X
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于硅基碳化硅中介层的CoWoS封装结构及其制备方法，硅基碳化硅中介层包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底双面经抛光处理且其中一面外延生长有3C‑SiC散热层，在单晶硅衬底上布满硅通孔。本发明的CoWoS...
    2026-05-01
  • 一种高效散热的HPD功率模块
    一种高效散热的HPD功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511929210.3
    本发明涉及功率模块技术领域，特别涉及一种高效散热的HPD功率模块。所述高效散热的HPD功率模块包括散热组件，模块组件，以及外壳。所述散热组件包括第一底板，第二底板，第三底板，散热基板，以及散热翅片。所述第二底板设置有进液流道和出液流道，所述...
    2026-05-01
  • 一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构
    一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构_北京卫星制造厂有限公司_202511849549.2
    本发明公开一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构，GaN器件通过焊点与陶瓷基板电气互连，GaN器件与陶瓷基板间的电气互连采用纳米金属材料烧结工艺；GaN器件底部电极之间烧结柔性绝缘覆铜板，柔性绝缘覆铜板位于GaN器件和陶瓷基板之间；...
    2026-05-01
  • 半导体封装
    半导体封装_联发科技股份有限公司_202511488243.9
    本发明公开一种半导体封装，包括：基板；晶粒，安装于该基板上；以及模塑化合物，设置于该基板上并围绕该晶粒，其中该模塑化合物包括顶表面及低于该顶表面的第一上表面，其中该晶粒从该模塑化合物中暴露，且该模塑化合物的该第一上表面与该晶粒的顶表面齐平。...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及半导体器件制备方法
    一种半导体器件及半导体器件制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202610076426.8
    本申请提供了一种半导体器件及半导体器件制备方法，该半导体器件通过设置第一表面区域与漏极靠向导电层的第一接触面连接，且覆盖全部第一接触面，设置第二表面区域与漏极焊盘靠向导电层的第二接触面连接，且覆盖全部第二接触面，能够最大限度提高漏极与漏极焊...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202610030607.7
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：封装组件，具有相对的第一表面和第二表面，封装组件包括位于第一表面的第一引脚和第二引脚；半导体开关元件，埋设于封装组件内，半导体开关元件具有朝向第一表面的第三表面，以及朝向第...
    2026-05-01
  • 一种复合衬底多芯片的液冷散热系统
    一种复合衬底多芯片的液冷散热系统_曙光数据基础设施创新技术(北京)股份有限公司_202512043718.X
    本申请涉及一种复合衬底多芯片的液冷散热系统，所述系统包括复合衬底的多芯片散热封装装置、第一供回液模块、回液支路、换热模块、驱动模块、供液支路以及第二供回液模块依此连通所形成的冷却循环回路；其中，所述复合衬底的多芯片散热封装装置，包括有复合衬...
    2026-05-01
  • 一种异质芯片封装方法和结构
    一种异质芯片封装方法和结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511790941.4
    本发明涉及异质芯片封装方法和结构技术领域，具体为一种异质芯片封装方法和结构，包括：基板，基板的顶部开设有两组焊接槽，焊接槽中分别焊接有第一芯片与第二芯片，第一芯片与第二芯片的顶部的两侧分别焊接有第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片；有益效...
    2026-05-01
  • 一种铜互连结构及其制造方法
    一种铜互连结构及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202411443881.4
    本申请提供了一种易于与大尺寸金属丝形成良好电连接性能焊点的用于集成电路芯片中的铜互连结构。该铜互连结构包括铜表面，金属阻挡层和可焊接金属层。所述铜互连结构包括在所述金属阻挡层上形成的厚度范围在0.03微米至0.05微米之间的可焊接金属层。
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511504449.6
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板、在基板上的半导体芯片、以及在基板和半导体芯片之间的接合层，其中接合层包括过渡金属、具有比过渡金属的熔点低的熔点的低熔点金属、贵金属以及其合金，在第一方向上，接合层中的贵金属的百分比在接合层的中心部...
    2026-05-01
  • 金属互连层及其制备方法
    金属互连层及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610371023.6
    本申请涉及一种金属互连层及其制备方法，包括：提供一衬底；于衬底上沿平行于第一表面的第一方向交替排布的介质叠层及初始金属导线；初始金属导线的侧壁上包括凸出部，凸出部沿第一方向嵌入介质叠层内；刻蚀介质叠层，于相邻初始金属导线之间形成凹槽后，形成...
    2026-05-01
  • 一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法
    一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610013172.5
    本发明提供一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法，执行以下步骤：S1.提供一SOI衬底，SOI衬底包括底硅层、埋氧层及顶硅层，顶硅层的厚度小于150μm；S2.利用刻蚀工艺，在顶硅层中形成贯穿的硅通孔；S3.在顶硅层表面及硅通孔的侧...
    2026-05-01
  • SOI衬底结构及其制备方法
    SOI衬底结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610159676.8
    本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法, 该结构包括从下至上堆叠的底硅层、埋氧层和顶硅层, 且在距离底硅层上表面的第一深度处形成氮离子的第一浓度峰值区, 以在底硅层内形成第一O‑N‑O电子束缚结构; 和/或在距离埋氧层下表面的第二深度处...
    2026-05-01
  • 一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法
    一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202610023766.4
    本发明提供一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法，包括第一衬底，第一埋氧层设置在所述第一衬底上，氮化硅中间层设置在所述第一埋氧层上，第二埋氧层设置在所述氮化硅中间层上，第二衬底设置在所述第二埋氧层上。本发明的有益效果是通过在第一埋氧层与第二埋氧层之...
    2026-05-01
  • 一种可调节的硅片粗糙度的制备方法
    一种可调节的硅片粗糙度的制备方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020706.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种可调节的硅片粗糙度的制备方法，包括：对于低haze需求的硅片，在≤750℃的惰性气氛下退火，保持硅片表面光滑；对于高haze需求的硅片：在1000–1300℃温度和氢气气氛下热处理，通过调节温度、氢气...
    2026-05-01
  • 一种键合晶圆环切加工方法
    一种键合晶圆环切加工方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610007927.0
    本发明提供了一种键合晶圆环形切割加工方法，包括，提供一键合晶圆，所述键合晶圆边缘设置有用于晶圆标识对位的缺口，所述缺口深度为Vh，对键合晶圆进行两次环形切割，第一次环形切割时切割宽度覆盖所述缺口深度；第二次环形切割时，在第一次环形切割形成的...
    2026-05-01
  • 一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法
    一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512047433.3
    本发明提供一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法，所述制备方法至少包括步骤：制备第一锗基外延片，第一锗基外延片具有基础厚度的锗衬底；于第一锗基外延片的锗衬底侧依次进行粗磨、应力退火、塑性精磨和化学腐蚀，得到第四锗基外延片，第四锗基外延片具...
    2026-05-01
  • 一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法
    一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法_上海征世科技股份有限公司_202511944473.1
    本发明公开了一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法，该制备方法包括：选取偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底；在偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底的表面形成(111)晶面原子台阶；在具有(111) 晶面原子台阶的衬底表面自选择...
    2026-05-01
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