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最新专利技术
  • 用于在激光退火期间晶片的自动且集成的检查的系统
    用于在激光退火期间晶片的自动且集成的检查的系统_贰陆特拉华股份有限公司_202411545118.2
    一种激光退火机器，配置成对工件施加激光退火，该激光退火机器可以配置成在激光退火期间提供晶片的自动且集成的退火前检查、原位检查和退火后检查。提供自动且集成的退火前检查、原位检查和退火后检查可以包括：经由至少一个视觉感测设备获取与工件相关联的视...
    2026-05-09
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510872719.2
    本发明提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括：提供基板；对基板进行开孔制程，以在基板中形成穿孔；对基板进行第一检测步骤，以获得第一检测结果；以及根据第一检测结果判断穿孔的状态是否异常。当判断穿孔的状态为异常时，对基板进行穿孔重...
    2026-05-09
  • 电性参数值确定方法、装置、设备、介质及产品
    电性参数值确定方法、装置、设备、介质及产品_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411532687.3
    本申请提供一种电性参数值确定方法、装置、设备、介质及产品。应用于半导体制造技术领域，所述方法包括：获取半导体器件的制造相关数据和预先训练的预测模型；将所述制造相关数据输入至所述预测模型中；所述预测模型包括转换单元和处理单元；所述转换单元，用...
    2026-05-09
  • 功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质
    功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质_基本半导体(无锡)有限公司_202512035510.3
    本发明公开了一种功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质。所述方法包括：获取待测试的功率半导体器件，将所述待测试的功率半导体器件的漏极和源极进行电性短接；在所述待测试的功率半导体器件的栅极和源极之间，施加高于额定工作栅压的栅源应力...
    2026-05-09
  • 全自动晶圆边缘检验及晶背清洁检验机
    全自动晶圆边缘检验及晶背清洁检验机_争丰半导体科技(苏州)有限公司_202610166207.9
    本发明涉及晶圆检验技术领域，特别涉及全自动晶圆边缘检验及晶背清洁检验机；包括机架、装载机构、运输机械臂、外观检测机构和清洁检验机构，所述装载机构固定设在所述机架的外侧，所述运输机械臂、外观检测机构和清洁检验机构固定设在所述机架内部，所述装载...
    2026-05-09
  • 一种晶圆键合强度评估方法、系统及介质
    一种晶圆键合强度评估方法、系统及介质_东莞触点智能装备有限公司_202610173442.9
    本发明涉及一种晶圆键合强度评估方法、系统及介质，涉及半导体制造质量监控与测试技术领域。方法包括：在预设环境温度条件下，取预设数量的化学刻蚀试剂施加于键合晶圆对的边缘，使得所述化学刻蚀试剂与所述边缘界面处的介电层接触并开始计时；其中，化学刻蚀...
    2026-05-09
  • 晶圆片倒角检测方法及计算机设备
    晶圆片倒角检测方法及计算机设备_江西兆驰半导体有限公司_202610434494.7
    本发明公开了一种晶圆片倒角检测方法及计算机设备，涉及LED技术领域，所述方法包括：获取片盒中各晶圆片的基准位置；根据基准位置驱动搬运手将晶圆片送到中心定位机构的第一真空吸附台上以对晶圆片进行中心定位；驱动搬运手将晶圆片送到边缘面幅测量机构的...
    2026-05-09
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411519974.0
    本公开提出了一种半导体结构的制造方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构；在所述衬底结构上形成掩模层，所述掩模层具有与目标图案对应的初始图案，所述初始图案包括一组或多组第二图案，每组第二图案包括在第一方向上间隔排列的一个或多个初始...
    2026-05-09
  • 精细掩模版及其制造方法
    精细掩模版及其制造方法_安徽熙泰智能科技有限公司_202610106813.1
    本发明公开了一种精细掩模板及其制造方法，属于显示面板制造技术领域，所述制造方法包括：在支撑基板一侧形成具有阵列像素开口的掩模板主体及其上的图案化导电层；然后处理支撑基板，形成露出掩模板主体像素开口区域的开口；最后在支撑基板背面及开口内壁形成...
    2026-05-09
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411763615.X
    本发明提供一种半导体结构的制造方法，其包括以下步骤。于衬底上形成目标层。于所述目标层上形成硬掩模层。移除部分所述硬掩模层，以于所述硬掩模层中形成凹槽。于所述硬掩模层的顶面上形成多个第一图案以及同时于所述凹槽中形成多个第二图案，其中所述多个第...
    2026-05-09
  • 一种高柔韧性的半导体基板的制备方法
    一种高柔韧性的半导体基板的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411507869.5
    本发明公开了一种高柔韧性的半导体基板的制备方法，包括：对硅基材料层的第一表面和第二表面进行清洗处理；在清洗后的第一表面和第二表面分别涂覆高分子材料，并进行烘干处理，对应形成第一高分子层和第二高分子层；在第一高分子层和第二高分子层的表面分别涂...
    2026-05-09
  • 晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置
    晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置_浙江求是半导体设备有限公司_202512042015.5
    本申请公开了一种晶圆激光退火的控制方法、晶圆激光退火方法及相关装置，其中，晶圆激光退火的控制方法包括：对激光光束进行整形，使整形后的激光光束的加工参数信息达到预设要求；根据场镜最大幅面限制和光斑畸变允许要求，设置振镜使用幅面；根据加工参数信...
    2026-05-09
  • 改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法
    改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610139419.8
    本发明公开了一种改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法，包括：进行批次内晶圆间膜厚改善工艺。批次内晶圆间膜厚改善工艺包括：将一批次的晶圆依次在刻蚀腔中进行AIO刻蚀。在各晶圆的AIO刻蚀过程中实时监测刻蚀腔中的副产物并形成副产物的...
    2026-05-09
  • 间隙填充方法
    间隙填充方法_江苏首芯半导体科技有限公司_202610179033.X
    本申请公开了一种间隙填充方法。该间隙填充方法包括：将具有间隙的衬底置于沉积腔室内；在第一沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第一载气与反应气体，以在衬底表面沉积氧化物薄膜；在第二沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第二载气与反应气体，以在衬底表面继...
    2026-05-09
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202610181994.4
    本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。接收具有阵列区域和周边区域的基板，其中阵列区域的厚度大于周边区域的厚度。在基板的阵列区域中形成沟槽。在基板的阵列区域上和沟槽中形成第一介电层。在第一介电层上和沟槽中形成第一导电层。在第...
    2026-05-09
  • 半导体结构的制造方法以及半导体结构
    半导体结构的制造方法以及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411518604.5
    本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法以及半导体结构。其中，该制造方法包括：提供基底；采用第一光刻蚀刻工艺在基底上形成第一转移层；形成覆盖第一转移层侧壁的侧墙；形成覆盖侧墙和第一转移层的调节层以满足第一尺寸大于或者等于第一预设值；其中，第...
    2026-05-09
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_新唐科技股份有限公司_202510923161.6
    本发明提出一种半导体装置的制造方法，包含：提供衬底，其中所述衬底包含阱区，以及所述阱区包含顶掺杂区；在所述阱区上沉积第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成至少一接触通孔；在所述第一层间介电层中形成第一下金属层；在所述第一层间介电层上沉积...
    2026-05-09
  • 一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法
    一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法_重庆芯联微电子有限公司_202512002679.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种沟槽和通孔刻蚀后的处理方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有刻蚀得到的通孔和沟槽，所述通孔底部暴露有铜互连结构表面；对所述衬底进行第一等离子体处理，以去...
    2026-05-09
  • 应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法
    应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法_联合微电子中心有限责任公司_202610167818.5
    本发明提供一种应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法，在硅衬底上采用大马士革布线工艺和PI布线工艺依次形成多层大马士革布线层和多层有机介质布线层，从而使该硅转接板能够实现TSV盲孔深宽比不小于10 : 1、布线层数为8层的高密度集成，显著提...
    2026-05-09
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202610371397.8
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，该制备方法包括步骤：提供半导体基体；于半导体基体上依次形成第一阻挡层、第一牺牲层以及第二阻挡层；形成第一支撑部以及至少两个第一导电部，第一支撑部贯穿第二阻挡层和第一牺牲层，第...
    2026-05-09
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