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最新专利技术
  • 铁电器件及其制备方法
    铁电器件及其制备方法_苏州实验室_202610385907.7
    本申请涉及一种铁电器件及其制备方法。该铁电器件的制备方法，铁电器件包括铁电层，该方法，包括：采用金属有机化学气相沉积工艺沉积铁电层，铁电层的材料包括氧化镁锌，氧化镁锌的化学式为MgxZn1‑xO，x的取值范围为0.1‑0.6，铁电层具有单一...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610416662.X
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，具体涉及半导体领域。所述半导体的制备方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、形成于所述衬底上的栅极结构以及分别位于所述栅极结构两侧衬底内的离子掺杂区；在所述基底的表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行...
    2026-05-10
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610433072.8
    本申请提供了一种LDMOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成预设厚度的第一氧化材料，并形成第一氧化层；形成介质材料层，并利用介质材料层对第一氧化层周围的衬底执行离子注入；采用预设光罩对介质材料层执...
    2026-05-10
  • 一种金属栅极器件结构及其制作方法
    一种金属栅极器件结构及其制作方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433860.7
    本申请公开了一种金属栅极器件结构及其制作方法，包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部的表面上形成包括由内而外依次堆叠的多层功函数材料层的功函数层；其中，对在最外一层功函数材料层之前形成的一至多层内层功函数材料层的表面，先使用亚稳态粒子激发的氮自由基...
    2026-05-10
  • 一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构
    一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433864.5
    本申请公开了一种金属栅极器件结构制造方法和金属栅极器件结构，包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部的表面上依次形成栅介质层和帽层；在帽层的表面上形成牺牲及缓冲层，然后执行热处理，使牺牲及缓冲层材料中的原子扩散进入帽层材料中，以提高帽层的扩散阻挡能力...
    2026-05-10
  • 金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构
    金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610433867.9
    本申请公开了一种金属栅极器件结构制作方法及金属栅极器件结构，包括：在第一鳍部至第六鳍部上形成第一功函数层至第五功函数层时，选择性去除第一鳍部至第四鳍部上的第二功函数层，第一鳍部至第三鳍部上的第三功函数层，和第一鳍部至第二鳍部上的第四功函数层...
    2026-05-10
  • 超结功率器件及其制备方法
    超结功率器件及其制备方法_深圳市威兆半导体股份有限公司_202610438090.5
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种超结功率器件及其制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上形成若干个深沟槽，且在深沟槽内填充与第一外延层不同掺杂类型的第二外延层；在每一深沟槽上形成相对位于深沟槽侧壁处的浅沟槽，浅...
    2026-05-10
  • 一种栅介质协同诱导沟道p型导电的二维半导体晶体管
    一种栅介质协同诱导沟道p型导电的二维半导体晶体管_厦门大学_202610087193.1
    一种栅介质协同诱导沟道p型导电的二维半导体晶体管，属于半导体器件技术领域。该器件主要解决二维n型半导体材料(如InSe)难以实现稳定、高性能p型导电的技术问题。技术方案要点在于：采用二维反铁磁绝缘材料CrOCl同时作为栅介质和p型诱导层，通...
    2026-05-10
  • 一种SiC HEMT器件结构及其制备方法
    一种SiC HEMT器件结构及其制备方法_西安电子科技大学_202610104629.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种SiC HEMT器件结构及其制备方法。该SiC HEMT器件结构，包括4H‑SiC衬底；在4H‑SiC衬底上的3C/4H‑SiC异质结构层，3C/4H‑SiC异质结构层由依次层叠在4H‑SiC衬底上的4...
    2026-05-10
  • 增强型半导体器件结构及其制备方法
    增强型半导体器件结构及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610138742.3
    本发明公开了一种增强型半导体器件结构及其制备方法。增强型半导体器件结构包括：氮化物外延结构；沟道载流子提供层，设置在氮化镓外延结构的栅极区域上，用于为氮化物外延结构中异质结二维电子气沟道提供载流子；栅极凹槽，开设在沟道载流子提供层内，且槽底...
    2026-05-10
  • 一种单片集成GaN HEMT器件及其制备方法
    一种单片集成GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202610152032.6
    本发明公开了一种单片集成GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体领域，包括集成于衬底上的HEMT器件单元和p‑GaN混合阳极二极管单元，HEMT器件单元和p‑GaN混合阳极二极管单元之间设置隔离结构；p‑GaN混合阳极二极管单元阳极通过...
    2026-05-10
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610409089.X
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅极层及栅极电极。沟道层位于衬底的一侧；势垒层位于沟道层背离衬底的一侧；栅极层位于势垒层背离衬底层的一侧；栅极电极位于栅极层背离衬底层的一侧，且栅极电极在半导体器件厚...
    2026-05-10
  • 一种氮化镓薄膜的外延结构及制备方法
    一种氮化镓薄膜的外延结构及制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610425747.4
    本发明提供了一种氮化镓薄膜的外延结构及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次叠层设置的衬底、缓冲层、GaN薄膜、AlGaN势垒层和绝缘层；绝缘层上开设有多个矩形栅跟插槽、第一源极插槽和第二源极插槽，第一源极插槽和第二源极插槽的底部均延伸至...
    2026-05-10
  • 芯片结构、半导体器件结构及其制备方法
    芯片结构、半导体器件结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610084320.2
    本申请涉及一种芯片结构、半导体器件结构及其制备方法。芯片结构，包括：外延层；结终端扩展区，位于外延层内；截止环，位于外延层内，且位于结终端扩展区与所述外延层的边缘之间，并与结终端扩展区和外延层的边缘均具有间距；场板结构，位于外延层的上表面，...
    2026-05-10
  • MOS器件及形成方法
    MOS器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113645.9
    本发明提供了一种MOS器件及形成方法，包括：在衬底内形成有N型阱区和P型阱区；在N型阱区表面形成第一栅多晶硅，在P型阱区表面形成第二栅多晶硅；同时注入离子，在第一栅多晶硅两侧的N型阱区内形成第一NLDD区，第一NLDD区的边缘对准第一栅多晶...
    2026-05-10
  • 一种平面核壳结构无结晶体管
    一种平面核壳结构无结晶体管_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202610417734.2
    本申请提供一种平面核壳结构无结晶体管，包括沿堆叠方向依次层叠的衬底、核层、壳层和源漏区，位于壳层远离核层一侧的栅极和第一侧墙，栅极和第一侧墙同层设置，第一侧墙位于栅极和源漏区之间，第一侧墙的第一介电常数大于7.5，且小于或等于20，在堆叠方...
    2026-05-10
  • 鳍式场效晶体管及其制作方法
    鳍式场效晶体管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411628236.X
    本发明公开一种鳍式场效晶体管及其制作方法，其中鳍式场效晶体管结构包含一半导体基底，一鳍状结构凸出于半导体基底，一栅极横跨鳍状结构，一源极区和一漏极区分别设置在栅极的两侧的鳍状结构上，源极区包含一第一外延层和一第三外延层分别埋入于鳍状结构中，...
    2026-05-10
  • 一种鳍式场效应晶体管
    一种鳍式场效应晶体管_北方工业大学_202511849855.6
    本申请提供一种鳍式场效应晶体管，包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上方的鳍形结构和栅极结构，鳍形结构包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区，并且栅极结构横跨沟道区设置；鳍形结构还包括与源极区同型掺杂的穿通区，穿通区位于源极区和...
    2026-05-10
  • 具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制作方法
    具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制作方法_西安理工大学_202512039613.7
    本发明公开了具有环绕P+屏蔽层的SiC MOSFET器件，包括从下至上依次设置的碳化硅N型衬底、碳化硅N型外延层、碳化硅N型电流扩展层、碳化硅P体区及表面N+区，碳化硅N型电流扩展层、碳化硅P体区及表面N+区的四周被中空的碳化硅P型环绕P+...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610127533.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。半导体器件包括：半导体本体，设置为第一导电类型，所述半导体本体包括依次层叠设置的4H‑SiC层、非晶SiNx层、纳米晶Si3N4层以及3C‑SiC层；所述半导体本体...
    2026-05-10
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