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最新专利技术
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610133047.8
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括导电层，所述导电层具有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的浮动区，所述浮动区位于所述漂移区上方；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构贯穿部分所述导电层且底部位于所述浮动区内；可以抑制米勒效应，实现降低开关振荡...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411514876.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述鳍部的顶部和侧壁依次形成栅介质层和功能层，所述功能层的热膨胀系数小于所述栅介质层的热膨胀系数；在所...
    2026-04-30
  • 一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件
    一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202610047089.X
    本发明公开了一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件，属于半导体技术领域。本发明在漂移区的上表面沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行掺杂，以在所述漂移区的上表面形成多晶硅掺杂结构，通过形成多晶硅掺杂结构与漂移区的上表面直接接触，能够增大漂移区...
    2026-04-30
  • 一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法
    一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610102928.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步骤2：在制备...
    2026-04-30
  • 一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法
    一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610103097.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极的欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步...
    2026-04-30
  • 一种晶体管及其制造方法
    一种晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510480325.2
    本发明公开一种晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中制造栅布线结构时容易导致晶体管电学性能下降的问题。晶体管包括：半导体衬底，缓冲层设置在所述半导体衬底上，势垒层设置在所述缓冲层上；缓冲层和势垒层构成异质结构；源极和漏极沿...
    2026-04-30
  • 增强型的晶体管以及制作方法
    增强型的晶体管以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511797645.7
    本公开提供了一种增强型的晶体管以及制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括层叠的GaN沟道层和势垒层，所述势垒层包括至少一个单元结构，所述单元结构层叠设置，每个所述单元结构包括一个InAlGaN层和一个AlGaN层。本公开可以提高晶体管...
    2026-04-30
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511805333.6
    本公开公开了一种功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该功率器件，包括外延层、势垒层、第一介质层、源极、漏极和栅极；势垒层位于外延层的一侧；第一介质层位于势垒层背向外延层的一侧，第一介质层背向势垒层的一面具有介质沟槽；源极和漏极相互间隔...
    2026-04-30
  • 一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法
    一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202610123585.9
    本发明公开了一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。p沟道氮化镓晶体管包括：衬底；位于衬底的一侧的势垒层和p型氮化镓层；p型氮化镓层与势垒层形成空穴异质结结构；p型氮化镓层包括第一凹槽以及位于第一凹槽相对两侧的第一凸起和...
    2026-04-30
  • 一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法
    一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法_电子科技大学_202610151823.7
    本发明提出一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法，属于功率半导体技术领域。所述GaN HEMT器件包括衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属层、p‑GaN栅极帽层、漏极金属层、栅极金属层及阻性...
    2026-04-30
  • 高耐压的沟槽功率器件及其制备方法
    高耐压的沟槽功率器件及其制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610065007.4
    本发明涉及一种高耐压的沟槽功率器件及其制备方法。其包括半导体基板，包括第一导电类型外延层以及位于所述第一导电类型外延层上的第一导电类型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的沟槽元胞，其中，所述沟槽元胞包括设置于第一导电...
    2026-04-30
  • 一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺
    一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺_济南晶恒电子有限责任公司_202610121591.0
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺，包括漏极金属，漏极金属上方有N+型衬底漏极区，N+型衬底上方设置有N‑型外延层，N‑型外延层中交替分布有P型柱和N型柱，P型柱顶部设置有宽度收窄的收窄...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_杭州士兰微电子股份有限公司_202610129311.0
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用在半导体技术领域中。在本发明中，半导体器件包括第一外延层、设置在第一外延层内的第一掺杂类型的掺杂柱和第二掺杂类型的掺杂柱、第二外延层、设置在第二外延层内的体区、以及至少一层第三外延层。如此，通过在...
    2026-04-30
  • 双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品
    双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品_珠海格力电器股份有限公司_202511912188.1
    本申请提供了一种双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品，器件的第一欧姆接触电极位于外延结构第一表面位于第一栅极背离第二栅极的一侧；第一欧姆接触电极、第一水平场板和第一垂直场板形成半封闭且位于第一栅极背离第一表面的第一导电罩；第一垂直场...
    2026-04-30
  • 对称型LDMOS及其制造方法
    对称型LDMOS及其制造方法_东南大学_202511913174.1
    本发明涉及一种对称型LDMOS及其制造方法，所述对称型LDMOS包括：衬底；漂移区，至少部分衬底位于漂移区下方；沟槽栅结构，位于漂移区中，包括位于目标沟槽的内壁的栅介电层和位于目标沟槽中的栅极；体区，位于目标沟槽下方，体区的导电类型与所述漂...
    2026-04-30
  • 一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件
    一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610000601.5
    本发明公开一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件，包括位于第一导电类型外延层中间隔设置的第二导电类型穿通区、JFET源区、第二导电类型阱区、第一导电类型缓冲区；第二导电类型穿通区贯穿第一导电类型外延层，并与第二导电类型外延层接触；位...
    2026-04-30
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610091132.2
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。该器件包括衬底、外延层、体区、漂移区、源极区、漏极区、栅极结构及接触场板结构。接触场板结构位于源极区与漏极区之间且位于漂移区上方，其特征在于包括至少两个物理上相互间隔的子接触场板，子接...
    2026-04-30
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610091442.4
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。该器件包括：衬底；漂移区介质层；导电层图案，包括间隔设置界定出间隙的辅助导电结构；由侧墙绝缘材料构成并填充于间隙内的间隙填充介质部；以及位于间隙上方的接触孔结构。本发明利用侧墙沉积工艺...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511362310.2
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提高半导体器件的击穿电压和可靠性。多个半导体元件形成在单元区中。终端区在平面图中包围单元区。在终端区的半导体衬底中，p型RESURF区被形成为达到距半导体衬底的上表面的预定深度。RESURF区被环状地形成在...
    2026-04-30
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_友达光电股份有限公司_202610132737.1
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法。制造方法包括以下步骤：在基板上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成具有第一穿孔的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成栅极电极和第一电极，其中第一电极经由第一穿孔与氧化物半导体层...
    2026-04-30
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