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  • 本申请涉及半导体制造设备技术领域,尤其是涉及一种晶圆立式工艺炉压力控制系统。包括:工艺腔室;进气单元向工艺腔室供给工艺气体;排气单元,包括真空排气回路、常压/微正压排气回路以及互锁机构;真空排气回路将工艺腔室抽至真空或低压状态;常压/微正压...
  • 本发明公开用于晶圆多自由度移动和冷却的氢离子注入工艺装置,包括注入机柜、真空机械手、承载机构和静电吸盘,注入机柜的顶部开设有真空注入腔;真空机械手设置于真空注入腔的底部,真空机械手的内部呈空腔结构;承载机构设置于真空机械手远离注入机柜的一端...
  • 本发明公开了一种晶片载具层高自动标定方法及相关装置,包括:移动晶片载具,使得双路协同光电传感器能够同时检测到当前晶片的金属支撑环;移动晶片载具,基于双路协同光电传感器识别当前晶片的金属支撑环的下边界位置P1及上边界位置P2,其中,所述晶片载...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种基于电子元件加工的封装装置。包括封装台,沿顺时针方向,其上依次设置有上下料工位、注胶工位、盖板上料工位和压装工位,转架,转动连接于封装台上,四个封装组件,阵列安装在封装台上,封装组件包括转动连接于转架上...
  • 本申请提供一种晶圆装载翻转浸泡机构,包括:基座,设置有箱体安装架和模组支撑结构,模组支撑结构设置有导轨;浸泡箱体,设置于箱体安装架,浸泡箱体容置浸泡液;翻转模组,设置于模组支撑结构,翻转模组包括翻转装置和驱动组件,翻转装置设置有晶圆夹持部,...
  • 本发明公开了一种倒膜设备、倒膜方法以及封装系统,包括:解构单元,适于领受第一晶圆组件;第一晶圆组件包括第一胶膜,贴设于第一胶膜的晶圆、第一工装;解构单元适于裁切第一胶膜,使晶圆同第一工装断连;第一应用单元,适于领受晶圆、第二工装,将第二胶膜...
  • 本发明提供一种芯片键合设备,属于半导体器件键合技术领域。该芯片键合设备包括:相对设置的第一安装平台与第二安装平台;晶圆保持组件,倒置安装于第一安装平台,用于保持晶圆并使晶圆的待键合面朝下;至少两个压头模组,分别用于保持芯片,压头模组通过线性...
  • 本发明公开了一种覆铜陶瓷基板自动化分拣设备及其分拣方法。一种覆铜陶瓷基板自动化分拣设备,包括一基座,基座的前方安装有左右设置提篮下料机构以及提篮上料机构;基座上安装有扩晶机构以及治具平台;基座上安装有用于将提篮上料机构上的晶圆传递至扩晶机构...
  • 本发明专门适用于半导体设备,更具体涉及光伏板生产设备技术领域,且公开了一种光伏板内芯高效吸附分离装置,包括中空管,所述中空管上设置有第一调节部,第一调节部包括有管套,管套滑动套设在中空管上,管套上开设有两个滑槽,其中一个滑槽内安装有电推杆,...
  • 本发明提供一种加热与制冷一体式的低温晶圆加热装置,包括:盘体组件,包括沿热传导方向依次连接设置的承载组件、制冷组件和散热组件;所述承载组件包括设有加热元件的导热基板;所述制冷组件包括与所述导热基板底面无间隙贴合的半导体制冷阵列;所述散热组件...
  • 本发明公开了一种多工位共晶贴片机,包括基座,基座中央前侧设有能够沿X轴和Y轴平移的中空晶圆治具,中空晶圆治具用于放置带有芯片的晶圆,中空晶圆治具后侧的基座上设有能够沿X轴和Y轴平移、绕Z轴转动用于放置待共晶芯片的芯片中转台,基座上设有用于转...
  • 提供一种机构,该机构能够对喷嘴的位置进行调整,蚀刻宽度的处理精度高,且能够抑制微粒向基板处理区域流出。喷嘴机构(50)具有喷嘴主体(52)、以及使喷嘴主体在基板的半径方向上往复移动的喷嘴驱动部(53),喷嘴主体在喷出口(521)的相反侧具有...
  • 提出了一种歧管结构。为了同时使用多种气体,本公开提出了一种歧管,其包括设置在歧管顶部的气体入口部分,其中主气体通道放置在气体入口部分的中心;沿着竖直轴线设置在气体入口部分下方的多个主体部分;以及沿着竖直轴线设置在底部的混合部分,混合部分包括...
  • 本发明涉及一种基板支承单元以及包括其的基板处理装置,根据本发明的一实施例的基板支承单元,其特征在于,包括:定位器,被安放基板;基底板,用于支承所述定位器;以及环组件,沿着所述定位器以及所述基底板的周边配置,所述环组件包括焊盘,沿着所述焊盘的...
  • 本发明要提供一种可以在处理空间的边缘区域中精密地控制等离子体分布的基板支承组件、喷头组件以及包括其的基板处理装置。根据本发明的在利用等离子体的基板处理装置中支承基板的基板支承组件包括:陶瓷材料的支承板,支承所述基板;金属材料的基底板,位于所...
  • 本发明提供一种发光二极管筛选方法,包含以下步骤:提供一晶圆,该晶圆上具有多个发光二极管结构;晶圆级静电放电测试该晶圆上的各该发光二极管结构;晶圆级崩溃电压测试该晶圆上的各该发光二极管结构;晶圆级光电特性测试该晶圆上的各该发光二极管结构;劈裂...
  • 本申请公开一种温降控制方法和温降控制系统,温降控制方法包括:确定待降温件的温度值;在所述温度值大于第一阈值的情况下,控制降温器件以预设功率工作,其中,所述第一阈值大于预设值;在所述温度值小于所述第一阈值,且大于所述预设值的情况下,控制所述降...
  • 本申请公开了一种温度调节装置、半导体工艺设备及温度调节方法,属于半导体加工技术领域。温度调节装置用于调节晶圆的温度,温度调节装置包括遮光组件、温度检测组件和驱动组件,遮光组件活动地设置于加热源与晶圆之间,并用于遮挡晶圆;温度检测元件用于检测...
  • 本申请公开了一种基板热处理装置及涂覆设备。基板热处理装置包括:腔体,设置有可开闭地基板输送口;热板,设置于腔体内,用于承载和加热基板;进气机构,用于向腔体内输送洁净气体;排气机构,用于排出腔体内的气体;其中,排气机构包括整流板和排气口,整流...
  • 本公开实施例提供了一种控制系统和半导体设备,控制系统包括腔体和管路,腔体包括加热静电吸盘,晶圆吸附于加热静电吸盘上,管路与加热静电吸盘连接;管路中流动有背部气体,背部气体通入至晶圆和加热静电吸盘之间;管路按照背部气体流入腔体的方向依次设置有...
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